东微半导: 东微半导首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书

证券之星 2022-01-14 00:00:00
关注证券之星官方微博:
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
本次股票发行后拟在科创板市场上市,该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有研发投入
大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点,投资者面临较大的市场风险。投资者应充
分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素,审慎作出投资决定。
      苏州东微半导体股份有限公司
      Suzhou Oriental Semiconductor Company Limited
   (住所:苏州工业园区金鸡湖大道 99 号苏州纳米城西北区 20 幢 515 室)
      首次公开发行股票并在科创板上市
                    招股意向书
                保荐机构(主承销商)
     (住所:北京市朝阳区建国门外大街1号国贸大厦2座27层及28层)
苏州东微半导体股份有限公司                     招股意向书
                发行人声明
  中国证监会、上海证券交易所对本次发行所作的任何决定或意见均不表明其对注
册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证,也不表明其对发行人
的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的
声明均属虚假不实陈述。
  根据《证券法》的规定,股票依法发行后,发行人经营与收益的变化,由发行人
自行负责;投资者自主判断发行人的投资价值,自主作出投资决策,自行承担股票依
法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。
  发行人及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股意向书及其他信息披露资料不
存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并对其真实性、准确性、完整性承担个别和
连带的法律责任。
  发行人实际控制人承诺本招股意向书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,
并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。
  公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证招股意向书中财务会
计资料真实、完整。
  发行人及全体董事、监事、高级管理人员、发行人实际控制人以及保荐人、承销
的证券公司承诺因发行人招股意向书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或
者重大遗漏,致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的,将依法赔偿投资者损失。
  保荐人及证券服务机构承诺因其为发行人本次公开发行制作、出具的文件有虚假
记载、误导性陈述或者重大遗漏,给投资者造成损失的,将依法赔偿投资者损失。
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
                     本次发行概况
发行股票类型          人民币普通股(A 股)
                本次公开发行股数为 1,684.4092 万股,公司股东不公开发售股
发行股数
                份,公开发行的新股占本次发行后总股本的 25%。
每股面值            人民币 1.00 元
每股发行价格          人民币【】元
预计发行日期          2022 年 1 月 24 日
拟上市的证券交易所和板块    上海证券交易所科创板
发行后总股本          6,737.6367 万股
保荐机构(主承销商)      中国国际金融股份有限公司
招股意向书签署日期       2022 年 1 月 14 日
苏州东微半导体股份有限公司                                招股意向书
                    重大事项提示
  发行人提醒投资者特别关注本公司本次发行的以下事项和风险,并认真阅读招股
意向书正文内容:
一、特别风险提示
  本公司提醒投资者特别关注“风险因素”中的下列风险,并认真阅读本招股意向
书“第四节 风险因素”中的全部内容。
(一)市场竞争风险
  目前,我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段。随着我国消费电子、汽车电
子、工业电子等多个行业的蓬勃发展以及智能装备制造、物联网、新能源等新兴领域
的兴起,国内对功率半导体产品的需求迅速扩大,推动了行业的快速发展。良好的前
景吸引了诸多国内企业进入这一领域,行业内厂商则在巩固自身优势基础上积极进行
市场拓展,市场竞争正在加剧。在日趋激烈的市场竞争环境下,若公司不能正确把握
市场动态和行业发展趋势,不能根据客户需求及时进行技术升级、提高产品性能与服
务质量,则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
  在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域,公司目前在全球和国内市场占有
率相对较低,市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。根据 Omdia 数据测算,2020 年
全球高压超级结 MOSFET 的市场规模预计为 9.4 亿美元,公司市场份额为 3.8%;2020
年中国高压超级结 MOSFET 市场规模经估算约为 4.2 亿美元,公司市场份额为 8.6%。
中低压 MOSFET 市场方面,2020 年度全球中低压 MOSFET 产品的市场规模为 52.4 亿
美元,公司市场份额为 0.2%;2020 年度中国中低压 MOSFET 产品的市场规模为 24.1
亿美元,公司市场份额为 0.4%。整体上看,公司的市场份额仍处于较低水平。
  相较于消费级客户,工业及汽车相关领域的客户对产品的性能和品质要求较高、
验证周期普遍较长。如公司产品设计、工艺升级或客户资源开拓进度未达预期,将在
与国外大型厂商的竞争中处于不利地位。例如,汽车领域对功率器件的性能、稳定性
等具有很高的要求,产品验证周期较长,因此公司在进入该等新的应用领域时可能会
苏州东微半导体股份有限公司                                       招股意向书
面临产品性能验证失败或者产品性能不及竞争对手而无法获得订单的风险。若上述情
况发生,将对发行人拓展新应用领域、提高市场竞争力产生不利影响,进一步影响发
行人的业绩表现。
(二)供应商集中度较高的风险
   公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节。报告期内,公司向前五
名供应商采购内容主要为晶圆及封装测试服务等,合计采购金额占当期采购总额的比
例分别为 99.56%、99.29%、99.01%及 97.73%,其中向第一大供应商采购金额占当期
采购总额比例分别为 83.59%、81.70%、80.19%及 72.85%。
   报告期内,随着下游需求持续扩张以及新冠疫情对全球晶圆代工行业产能带来的
负面影响,晶圆代工行业普遍出现产能紧张的情况,进一步导致了晶圆价格的增长。
由于公司的晶圆供应商集中度较高,若晶圆代工行业产能紧张的情况进一步加剧,则
晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足发行人的需求,从而对公司的产品出货量以
及未来的收入增长造成一定不利影响。另一方面,公司营业成本主要由材料成本和封
测费用构成,其中材料成本以晶圆成本为主,若晶圆价格未来持续提高,可能会对公
司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。
(三)下游需求波动的风险
   报告期内,公司主营业务收入分别为 15,283.52 万元、19,604.66 万元、30,878.74
万元以及 32,082.43 万元,保持了持续快速增长;公司归属于母公司所有者的净利润分
别为 1,297.43 万元、911.01 万元、2,768.32 万元以及 5,180.53 万元,亦保持了快速增长
的趋势。公司主要产品包括高压超级结以及中低压屏蔽栅 MOSFET 产品,广泛应用于
充电桩、快速充电器、电机驱动、光伏逆变器等下游行业。报告期内公司业绩的持续
增长主要系受前述下游终端需求增长、进口替代等因素影响。为增强公司的技术优势
及保持产品的竞争力,公司不断增加研发投入,扩充人员规模。但是,半导体行业具
有较强的周期性特征,与宏观经济整体发展亦密切相关。如果宏观经济波动较大或长
期处于低谷,半导体行业的市场需求也将随之受到影响。因此,若新能源汽车、5G 通
信、光伏等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期,行业规模增速放缓或出
现下滑,中国半导体功率器件行业进口替代趋势放缓,公司的研发进展与成果不达预
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
期,或宏观经济发展出现较大波动,则公司将面临业绩无法继续保持报告期内所实现
的快速增长的风险。
  此外,从产业链角度来看,由于下游终端产品结构相对复杂,产业链分工高度专
业化,终端产品的推出往往需要整个产业链密切的合作才能完成,若未来产业链某个
环节出现缺货的情形,终端厂商的生产计划可能会出现阶段性停滞,或需要被迫推迟
新产品的发布,以上可能会影响整体的采购需求,进而对包括公司在内的产业链公司
造成不利影响。
(四)毛利率波动的风险
  报告期内,公司的综合毛利率分别为 26.38%、14.93%、17.85%和 26.75%,波动
较大。公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。随着行业技
术的发展和市场竞争的加剧,公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新,
若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术实力停滞不前、或公司未能有效控制
产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预
期外波动等不利情形。在该等不利情况下,公司综合毛利率水平未来可能会持续波动
甚至出现下降的可能性,从而对公司的经营带来一定风险。此外,公司的产品规格数
量较多,不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。
  具体来看,发行人 Fabless 的经营模式将生产制造环节进行外包,毛利率水平受到
晶圆代工成本的影响,因此行业景气度、晶圆代工行业产能的充沛情况导致的晶圆代
工价格的波动会影响发行人毛利率水平。同时,晶圆代工行业具有重资产、资本投入
大以及产能释放周期长的特点,其晶圆的销售价格受行业景气度影响呈现周期性波动。
其中,晶圆代工厂作为发行人的上游供应商,行业集中度相较发行人下游行业更高,
在晶圆代工产能较为紧张的情况下,晶圆代工厂商的议价能力较强且传导能力亦会更
强。
  相较于可比公司,发行人经营规模较小,与上游供应商以及下游客户的议价能力
相对较弱。此外,发行人的主要工业级客户具有粘性高、议价频率低的特点。因此,
若上游如晶圆代工、封装测试的产能紧张导致公司采购成本持续上升,在公司向下游
客户传导上游晶圆价格变动影响的及时性较低的情况下将对公司的毛利率水平产生不
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
利影响。在上述因素的影响下,公司综合毛利率水平未来可能会持续波动甚至出现下
降,从而对公司的经营带来一定风险。
(五)产品结构较为单一的风险
  报告期内,公司实现大规模销售的主要产品为 MOSFET 产品,包括高压超级结
MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 等。报告期内,MOSFET 产品的销售收入占主营
业务收入的比例均超过 99%,其中高压超级结 MOSFET 产品占比分别为 81.48%、
现大规模销售需要一定的时间周期,如果下游市场短期内对 MOSFET 产品的需求增速
放缓,将会对公司的营收和盈利能力带来不利影响。
  同时,考虑到第三代半导体材料功率器件可能是未来高性能功率器件的组成部分
之一,若公司未来不能实现现有功率器件产品的进一步技术突破,或者研发出具有市
场竞争力的第三代半导体材料功率器件,则公司的销售收入增长可能有所放缓,对公
司的经营业绩造成不利影响。
(六)新产品研发不及预期的风险
  半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点,产品技术更新迭代需要持续
的资源投入。未来的几年内,公司将继续投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技
术开发。由于半导体行业研发项目的周期较长,相关研发项目存在一定的不确定性,
若研发项目启动后的进度及效果未达预期,或者研发的新技术或产品尚不具备商业价
值,则大量的研发投入将影响公司的经营业绩;若公司未来研发资金投入不足,则可
能致使公司现有技术被赶超或被替代,进而导致公司已有产品的市场竞争力下降,给
公司未来业务拓展带来不利影响。
  截至 2021 年 6 月 30 日,发行人研发人员合计 31 人,占员工比例为 46%。发行人
研发部下设产品研发工程部以及应用技术部,分别专注新型器件的研发以及研发过程
中的执行和辅助工作。报告期末,发行人研发人员数量相比可比公司较少,可能存在
研发资源受限、研发进度不达预期的风险,进一步影响发行人新产品的推出、技术储
备等方面,进而对公司未来业务发展带来不利影响。
苏州东微半导体股份有限公司                                招股意向书
(七)人员规模相对较小的风险
  发行人作为以 Fabless 模式运营的企业,将涉及人员用工较多的生产制造环节进行
外包,因此人员规模相对较小。报告期各期末,公司员工总人数分别为 18 人、37 人、
规模不断扩大,发行人需要设立完善的人力资源管控、内部晋升制度以及具有市场竞
争力的薪酬水平,以一方面不断吸引人才加入,另一方面保证现有员工的稳定性。由
于公司的员工规模较小,若未来发生大规模人员流失的情况,将对发行人开展日常经
营活动以及持续拓展业务规模带来不利影响。
二、本次发行相关责任主体作出的重要承诺
  本公司提示投资者认真阅读本公司、实际控制人、董事、监事、高级管理人员以
及本次发行的保荐人及证券服务机构等作出的重要承诺、未能履行承诺的约束措施以
及已触发履行条件的承诺事项的履行情况,请参见本招股意向书“第十节 投资者保护
/ 七、发行人、实际控制人、董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及本次发行的
保荐人及证券服务机构作出的重要承诺”。
三、财务报告审计基准日后的主要财务信息和经营情况
(一)财务报告审计基准日后主要经营状况
  公司财务报告审计截止日为 2021 年 6 月 30 日。财务报告审计截止日至本招股意
向书签署之日,公司各项业务正常开展,采购及销售情况未发生重大变化,经营情况
良好,公司的经营模式、业务情况、销售规模、供应商情况以及其他可能影响投资者
判断的重大事项等方面均未发生重大变化。
(二)财务报告审计基准日后主要财务信息
  天健对公司 2021 年 9 月 30 日的合并及母公司资产负债表、2021 年 1-9 月的合并
及母公司利润表、2021 年 1-9 月的合并及母公司现金流量表以及财务报表附注进行了
审阅,并出具了《审阅报告》(天健审〔2021〕9975 号)。
  根据经审阅的财务数据,公司主要财务情况如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                                招股意向书
                                                             单位:万元
        项目          2021 年 9 月 30 日      2020年12月31日        变动比例
资产总额                        56,364.37          43,764.02        28.79%
负债总额                          5,197.92          1,874.23       177.34%
所有者权益                       51,166.45          41,889.80        22.15%
归属于母公司所有者权益                 51,166.45          41,889.80        22.15%
        项目           2021 年 1-9 月         2020年1-9月         变动比例
营业收入                        55,919.47          19,752.06       183.11%
营业利润                         11,762.26          1,822.59       545.36%
利润总额                         11,762.26          1,799.94       553.48%
净利润                           9,276.86          1,535.03       504.34%
归属于母公司所有者的净利润                 9,276.86          1,535.03       504.34%
扣除非经常性损益后归属于母
公司所有者的净利润
经营活动产生的现金流量净额                 5,913.94          -1,517.05       不适用
        项目           2021 年 7-9 月         2020年7-9月         变动比例
营业收入                        23,837.04           8,931.26       166.89%
营业利润                          5,225.19            982.14       432.02%
利润总额                          5,225.19            982.14       432.02%
净利润                           4,096.33            736.90       455.89%
归属于母公司所有者的净利润                 4,096.33            736.90       455.89%
扣除非经常性损益后归属于母
公司所有者的净利润
经营活动产生的现金流量净额                 2,648.80            148.97      1,678.07%
开展,货币资金、应收账款、存货等科目增长所致。2021 年 9 月末,公司负债总额较
费等科目增长所致。
万元,同比增长分别为 183.11%和 166.89%,增长较快主要系受益于新能源汽车充电
桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求快速提升,客户对公司的采购规模增长所
致。2021 年 1-9 月和 2021 年 7-9 月,公司营业利润、利润总额、净利润、归属于母公
苏州东微半导体股份有限公司                                            招股意向书
司所有者的净利润和扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润同比大幅增长,
且增幅均高于同期营业收入增幅,主要系 2021 年 1-9 月和 2021 年 7-9 月毛利率较去年
同期大幅上涨所致。公司毛利率 2021 年 1-9 月较去年同期上涨 12.84 个百分点,2021
年 7-9 月较去年同期上涨 14.67 个百分点,主要系①来自 5G 基站电源、通信电源、新
能源汽车直流充电桩等高毛利应用领域的收入占比提升;②MOSFET 行业供需关系变
动导致的产品单价上涨,变动原因与 2021 年 1-6 月毛利率上涨原因相同,具体详见本
招股意向书“第八节 财务会计信息与管理层分析/十一、经营成果分析/(三)毛利及
毛利率构成分析”。
规模快速增长,毛利率上升较多,销售商品收到的现金大幅上升所致。
                                                         单位:万元
               项目                 2021 年 1-9 月       2020 年 1-9 月
非流动性资产处置损益                                  9.98               0.89
计入当期损益的政府补助                               511.78             439.10
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持
有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、
衍生金融负债产生的公允价值变动损益,以及处置交易                   10.16             140.39
性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金
融负债和其他债权投资取得的投资收益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一
                                                 -            75.56
次性调整对当期损益的影响
除上述各项之外的其他营业外收入和支出                          0.00              -22.65
其他符合非经常性损益定义的损益项目                           0.92               0.33
小计                                        532.83             633.63
减:企业所得税影响数                                133.21             145.27
归属于母公司所有者的非经常性损益净额                        399.62             488.36
别为 399.62 万元和 488.36 万元,均主要系当期收到的直接计入当期损益的政府补助构
成。
苏州东微半导体股份有限公司                                 招股意向书
(三)2021 年度业绩预计情况
   公司预计 2021 年度营业收入为 77,200 万元至 80,300 万元,同比增长 150%至
比增长 377%至 453%;预计 2021 年度扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净
利润为 12,700 万元至 14,700 万元,同比增长 522%至 620%。
   公司在 2021 年 1-9 月收入快速增长的情况下,受益于新能源汽车充电桩、通信电
源、光伏逆变器等终端市场需求的持续提升,预计在 2021 年第四季度销售收入也将同
比增加,因此 2021 年度的营业收入将同比增加。同时,受益于产品终端应用结构的变
动、产品单价上涨等因素,预计 2021 年度公司毛利率将同比上升,因此预计 2021 年
度的利润水平将同比增加。
   前述 2021 年度业绩情况系公司初步预计数据,不构成公司的盈利预测或业绩承诺。
苏州东微半导体股份有限公司                                                                                                                  招股意向书
苏州东微半导体股份有限公司                                                                                                         招股意向书
      一、股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘书制度的运行及相关人员
苏州东微半导体股份有限公司                                                                                                         招股意向书
      五、关键审计事项及与财务信息相关的重大事项或重要性水平的判断标准........ 210
苏州东微半导体股份有限公司                                                                                                     招股意向书
      七、发行人、实际控制人、董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及本次发
      四、董事、监事、高级管理人员和核心技术人员最近 3 年涉及行政处罚、被司法
苏州东微半导体股份有限公司                              招股意向书
                    第一节 释义
     本招股意向书中,除非文义另有所指,下列词语或简称具有如下含义:
一、一般词汇
发行人、公司、本公司、股份       苏州东微半导体股份有限公司,根据上下文,还包括其子和
                指
公司、东微半导体、东微         /或分公司
东微有限            指   东微半导体前身“苏州东微半导体有限公司”
                    发行人本次在中国境内(不含香港、澳门和台湾地区)发行
本次发行上市          指   以人民币认购和交易的普通股(A 股)并在科创板上市的行
                    为
                    获准在境内证券交易所上市、以人民币标明面值、以人民币
A股              指
                    认购和交易的普通股股票
                    《苏州东微半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创
招股意向书、本招股意向书    指
                    板上市招股意向书》
苏州高维            指   苏州工业园区高维企业管理合伙企业(有限合伙)
得数聚才            指   苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业(有限合伙)
原点创投            指   苏州工业园区原点创业投资有限公司
中新创投            指   中新苏州工业园区创业投资有限公司
聚源聚芯            指   上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心(有限合伙)
                    哈勃科技创业投资有限公司,曾用名“哈勃科技投资有限公
哈勃投资            指
                    司”
中小企业发展基金        指   中小企业发展基金(深圳有限合伙)
智禹博信            指   苏州工业园区智禹博信投资合伙企业(有限合伙)
智禹淼森            指   苏州智禹淼森半导体产业投资合伙企业(有限合伙)
智禹博弘            指   苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业(有限合伙)
智禹东微            指   苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业(有限合伙)
智禹嘉通            指   苏州智禹嘉通创业投资合伙企业(有限合伙)
天蝉投资            指   苏州天蝉智造股权投资合伙企业(有限合伙)
丰熠投资            指   上海丰熠投资管理有限公司
丰辉投资            指   宁波丰辉投资管理合伙企业(有限合伙)
融风投资            指   苏州工业园区融风投资管理有限公司
引导基金            指   苏州工业园区创业投资引导基金管理中心
苏州中和            指   苏州中和春生三号投资中心(有限合伙)
                    上海国策科技制造股权投资基金合伙企业(有限合伙),曾
国策投资            指   用名“上海国和人工智能股权投资基金合伙企业(有限合
                    伙)”
上海烨旻            指   上海烨旻企业管理中心(有限合伙)
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
亚美斯通            指   深圳市亚美斯通电子有限公司
华为              指   华为投资控股有限公司及其子公司
华润微电子           指   华润微电子有限公司(688396.SH)
吉林华微电子          指   吉林华微电子股份有限公司(600360.SH)
新洁能             指   无锡新洁能股份有限公司(605111.SH)
士兰微             指   杭州士兰微电子股份有限公司(600460.SH)
扬杰科技            指   扬州扬杰电子科技股份有限公司(300373.SZ)
英飞凌、英飞凌科技       指   Infineon Technologies AG
安森美             指   ON Semiconductor Corporation
意法半导体           指   STMicroelectronics N.V.
瑞萨电子            指   Renesas Electronics Corporation
日本东芝            指   Toshiba Corporation
苏州工业园区工商局       指   江苏省苏州工业园区工商行政管理局
财政部             指   中华人民共和国财政部
发改委             指   中华人民共和国国家发展和改革委员会
中国证监会           指   中国证券监督管理委员会
上交所             指   上海证券交易所
基金业协会           指   中国证券投资基金业协会
《公司法》           指   《中华人民共和国公司法》
《证券法》           指   《中华人民共和国证券法》
                    财政部于 2006 年 2 月 15 日颁布的企业会计准则及其应用指
《企业会计准则》        指
                    南和其他相关规定,以及相关规定、指南的不时之修订
《上市规则》          指   《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《注册管理办法》        指   《科创板首次公开发行股票注册管理办法(试行)》
报告期、最近三年及一期     指   2018 年、2019 年、2020 年及 2021 年 1-6 月
报告期末            指   2021 年 6 月 30 日
报告期各期末、各期末      指
                    日及 2021 年 6 月 30 日
元、万元、亿元         指   人民币元、万元、亿元
                    现行有效的《苏州东微半导体股份有限公司章程》及其修订
《公司章程》          指
                    和补充
                    本次发行上市之日起适用的《苏州东微半导体股份有限公司
《公司章程(草案)》      指
                    章程(草案)
                         》
股东大会            指   苏州东微半导体股份有限公司股东大会
董事会             指   苏州东微半导体股份有限公司董事会
监事会             指   苏州东微半导体股份有限公司监事会
苏州东微半导体股份有限公司                                                 招股意向书
保荐人、保荐机构、主承销
                        指   中国国际金融股份有限公司
商、中金公司
天册、发行人律师                指   浙江天册律师事务所
天健、发行人会计师               指   天健会计师事务所(特殊普通合伙)
二、专业词汇
                            常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导
半导体                     指   体材料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体
                            材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。
                            指采用半导体制备工艺,把一个电路中所需的晶体管、电
                            阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几
IC、集成电路                 指
                            小块半导体晶片或介质基片上,而后封装在一个管壳内,成
                            为具有所需电路功能的微型结构。
                            半导体分立器件,与集成电路相对而言的,采用特殊的半导
                            体制备工艺,实现特定单一功能的半导体器件,且该功能往
分立器件                    指   往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成
                            本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸
                            管、MOSFET、IGBT 等。
                            又称电力电子功率器件,主要用于电力设备的电能变换和电
                            路控制,是进行电能(功率)处理的核心器件,弱电控制和
半导体功率器件、功率半导体           指
                            强电运行间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的
                            主要组成部分。
                            金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是一种典型半导体器件
MOSFET、功率 MOSFET 或
                        指   结构,目前已广泛使用在电力电子电路中,也可以单独作为
MOS
                            分立器件使用以实现特定功能。
Trench MOSFET、沟槽型功率         MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备,具有高元胞密度、
                        指
MOSFET                      低导通损耗等特点。
                            基于电荷平衡技术理论,在传统的功率 MOSFET 中加入 p-
超级结功率 MOSFET 产品、
                            n 柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构,具有
超结 MOS、超结 MOSFET、       指
                            工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特
Super Junction MOSFET
                            点。
屏蔽栅功率 MOSFET、屏蔽
                            基于电荷平衡技术理论,在传统的功率 MOSFET 中加入额
栅沟槽型功率 MOSFET、屏
                            外的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低导通电阻
蔽栅 MOSFET、屏蔽栅结构         指
                            的器件结构,具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等
MOSFET 、 SGT 、 SGT
                            特点。
MOSFET、分裂栅器件
沟槽栅 VDMOS               指   垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管。
                            绝缘栅双极型晶体管,同时具备 MOSFET 和双极性晶体管
IGBT                    指   的优点,如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制
                            能力高、工作频率高等特点。
                            Tri-gate IGBT,一种公司采用独立知识产权 Tri-gate 器件结
TGBT                    指
                            构的创新型 IGBT 产品系列。
                            Bipolar Junction Transistor,双极结型晶体管,是通过一定的
BJT                     指   工艺将两个 PN 结结合在一起的器件,有 PNP 和 NPN 两种
                            组合结构。
Vth                     指   Threshold Voltage,阈值电压。
                            将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压,也称为直流
DC-DC                   指
                            斩波器。
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
                    一种电源的架构,其具备效率高、输出纹波小、发热小、体
谐振拓扑            指   积小、低 EMI、负载可调范围大,可以对输入/输出电压比
                    在很宽的范围内进行调节等特点。
                    将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在
                    一起,形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度
功率模块            指
                    高、功率控制能力强,往往应用于大功率或小体积的电力电
                    子产品。
                    经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品,进一步通过封
晶圆              指   装测试可以形成半导体器件产品。每片 8 英寸晶圆包含数百
                    颗至数万颗数量不等的单芯片。
                    已经封装好的 MOSFET、IGBT 等产品。晶圆制作完成后,
                    需要封装才可以使用,封装外壳可以给芯片提供支撑、保
功率器件            指
                    护、散热以及电气连接和隔离等作用,以便使器件与其他电
                    容、电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统。
                    指垂直一体化模式,半导体行业中从芯片设计、晶圆制造、
IDM             指
                    封装测试到销售的垂直整合型公司。
                    半导体行业中流行的业务形态,指公司“没有制造业务、只
Fabless         指   专注于研发设计”的一种运作模式,也用来指未拥有芯片制
                    造工厂的 IC 或功率器件设计公司。
                    半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家,其依据设计
Foundry         指
                    企业提供的方案,提供晶圆代工服务。
                    芯片设计企业将设计方案完成后,由芯片代工企业通过采购
晶圆代工            指
                    晶圆材料、光刻、刻蚀、离子注入等加工工艺制造出芯片。
                    封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装,再
封装测试、封测         指   对元器件进行结构及电气功能的确认,以保证半导体元件符
                    合系统的需求,整个过程被称为封装测试。
                    碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具
碳化硅、SiC         指   有禁带宽度大、热导率高和击穿电场高等性质,特别适用于
                    高压、大功率半导体功率器件领域。
                    氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具
氮化镓、GaN         指   有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带
                    隙、击穿电场高等性质。
                    功率 MOSFET 开启时漏极和源极间的阻值。导通电阻数值
导通电阻            指
                    越小,MOSFET 工作时的功率损耗越小。
饱和压降            指   在饱和区内,IGBT 集电极和发射极间电压。
                    IGBT 关闭动作(switch-off)中,集电极电流 Ic 下降至接近于
关闭损耗 Eoff       指
                    器件的品质因子或系数,指导通电阻与栅极电荷 Qg 的乘
                    积。栅极电荷 Qg 的大小可以表征器件的开关速度,栅极电
优值系数、FOM        指   荷 Qg 越小,器件的开关速度越快。因此,FOM 值越低,
                    表示器件同时具备低导通电阻和快速开关特性,器件损耗特
                    性越好。
                    Lighting Emitting Diode,即发光二极管,是一种半导体固体
LED             指   发光器件,利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导体中
                    通过载流子复合产生光子。
                    Electro-Magnetic Interference,即电磁干扰,是干扰电缆信
EMI             指
                    号并降低信号完好性的电子噪音。
                    Pin,又称管脚,是从集成电路(芯片)内部电路引出与外
pin-to-pin 替换   指   围电路的接线,所有引脚构成芯片的接口。两个集成电路的
                    pin 脚功能完全一致,封装也完全一致,则可以用其中一个
苏州东微半导体股份有限公司                                     招股意向书
                    集成电路替换另一个,称为 pin-to-pin 替换。
                    为导通或驱动 MOSFET 而注入到栅极电极的电荷量。数值
栅极电荷、总栅极电荷、Qg   指
                    越小,开关损耗越小,从而可实现高速开关。
                    器件开始导通时 MOSFET 源-漏极之间或者 IGBT 发射极-集
导通压降            指
                    电极之间的电压差。
                    用功率 MOSFET 做整流器时,要求栅极电压必须与被整流
同步整流            指
                    电压的相位保持同步,以完成整流功能。
                    对电芯的保护,使电芯工作在安全范围内,锂电保护监测电
锂电保护            指   芯使用情况,在异常状态阻断电芯充放电,防止电芯继续使
                    用。
                    把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成定频定压或调频调压交
逆变器             指   流电(一般为 220V,50Hz 正弦波)的转换器,由逆变桥、
                    控制逻辑和滤波电路组成。
                    片上系统(“System-on-Chip”),即在单个芯片上集成一
SoC             指   个完整的系统,对所有或部分必要的电子电路进行包分组的
                    技术。
                    Yole Développement SA,一家法国市场研究与战略咨询公
Yole            指
                    司,专注于功率半导体与 MEMS 传感器等领域。
                    一家以研究科技、媒体和电信业务为核心的全球性调查公
Omdia           指
                    司。
注:本招股意向书中所列出的数据可能因四舍五入原因与根据本招股意向书中所列示的相关单项
数据计算得出的结果略有不同
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
                             第二节 概览
  本概览仅对招股意向书全文做扼要提示,投资者作出投资决策前,应认真阅读招
股意向书全文。
一、发行人及中介机构情况
                             发行人基本情况
         苏州东微半导体股份有限公司,
发行人名称    Suzhou Oriental Semiconductor 成立日期      2008 年 9 月 12 日
         Company Limited
注册资本     人民币 5,053.2275 万元           法定代表人       龚轶
         苏州工业园区金鸡湖大道 99 号苏           苏州工业园区东长路 88 号
注册地址                        主要生产经营地址
         州纳米城西北区 20 幢 515 室          2.5 产业园三期 N2 栋 5 层
控股股东     无                           实际控制人       王鹏飞、龚轶
         根据中国证监会《上市公司行业
         分类指引》(2012 年修订),公 在其他交易场所
行业分类     司 属 于 “ 制 造 业 ” 中 的 “ 计 算 (申请)挂牌或上 无
         机 、 通 信 和 其 他 电 子 设 备 制 造 市的情况
         业”,行业代码“C39”
                         本次发行的有关中介机构
保荐人(主承
       中国国际金融股份有限公司                  发行人律师       浙江天册律师事务所
销商)
       天健会计师事务所(特殊普通合                保荐机构(主承销
审计机构                                          国浩律师(上海)事务所
       伙)                            商)律师
保荐机构(主
       容诚会计师事务所(特殊普通合                            江苏中企华中天资产评估有
承销商)会计                               评估机构
       伙)                                        限公司

二、本次发行概况
                         (一)本次发行基本情况
股票种类              人民币普通股(A 股)
每股面值              人民币 1.00 元
发行股数              1,684.4092 万股            占发行后总股本比例   25.00%
其中:发行新股数量         1,684.4092 万股            占发行后总股本比例   25.00%
股东公开发售股份数量        无                        占发行后总股本比例   无
发行后总股本            6,737.6367 万股
每股发行价格            人民币【】元
苏州东微半导体股份有限公司                                        招股意向书
发行市盈率           【】倍(按询价确定的每股发行价格除以发行后每股收益计算)
                                              经审计的扣除非经
                                              常性损益前后孰低
发行前每股净资产                            发行前每股收益   的归属于母公司股
                公司所有者权益除以本次
                                              东的净利润除以本
                发行前总股本计算)
                                              次发行前总股本计
                                              算)
                【】元(按 2021 年 6 月              【】元(按 2020 年
                公司所有者权益加上本次                   常性损益前后孰低
发行后每股净资产                         发行后每股收益
                发行募集资金净额之和除                   的归属于母公司股
                以本次发行后总股本计                    东的净利润除以发
                算)                            行后总股本计算)
发行市净率           【】倍(按询价确定的每股发行价格除以发行后每股净资产计算)
                本次发行采用向战略投资者定向配售、网下向符合条件的投资者询价
发行方式            配售和网上向持有上海市场非限售A股股份和非限售存托凭证市值的社
                会公众投资者定价发行相结合的方式进行
                符合资格的战略投资者、询价对象以及已开立上海证券交易所股票账
发行对象            户并开通科创板交易的境内自然人、法人等科创板市场投资者,但法
                律、法规及上海证券交易所业务规则等禁止参与者除外
承销方式            余额包销方式
拟公开发售股份股东名称     本次发行不涉及公开发售
                本次发行不涉及公开发售,不涉及发行费用分摊,发行费用全部由发
发行费用的分摊原则
                行人承担
募集资金总额          募集资金总额【】元
募集资金净额          扣除新股发行费用后,募集资金净额【】元
                超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目
                新结构功率器件研发及产业化项目
募集资金投资项目
                研发工程中心建设项目
                科技与发展储备资金
                本次发行费用总额为 17,678 万元~20,678 万元,其中:
                (1)承销费及保荐费:本次发行的募集资金总额*保荐承销费率,保
                荐承销费率区间为 5.5%-8.5%,且承销费不低于 15,000 万元、不高于
                (2)审计、验资费:1,300 万元
                (3)律师费:788 万元
发行费用概算
                (4)用于本次发行的信息披露费用不超过 530 万元
                (5)上市相关的手续费等其他费用不超过 60 万元
                注 1:发行手续费中暂未包含本次发行的印花税,税基为扣除印花税前
                的募集资金净额,税率为 0.025%;将结合最终发行情况计算并纳入发
                行手续费;
                注 2:各项费用根据发行结果可能会有调整,以上费用均不含增值税。
                    (二)本次发行上市的重要日期
初步询价日期          2022 年 1 月 19 日
苏州东微半导体股份有限公司                                                       招股意向书
刊登发行公告日期        2022 年 1 月 21 日
申购日期            2022 年 1 月 24 日
缴款日期            2022 年 1 月 26 日
股票上市日期          本次股票发行结束后,将尽快按照程序向上交所申请股票上市
三、发行人主要财务数据及财务指标
       项目
                 /2021 年 1-6 月   日/2020 年度      日/2019 年度      日/2018 年度
资产总额(万元)               50,991.19            43,764.02   17,351.93   16,097.99
归属于母公司所有者权益
(万元)
资产负债率(合并)                 7.69%                4.28%       7.25%       7.03%
资产负债率(母公司)                7.69%                4.28%       7.25%       7.03%
营业收入(万元)               32,082.43            30,878.74   19,604.66   15,289.99
净利润(万元)                 5,180.53             2,768.32     911.01     1,297.43
归属于母公司所有者的净
利润(万元)
扣除非经常性损益后归属
于母公司所有者的净利润             4,800.29             2,040.26     815.81     1,890.70
(万元)
基本每股收益(元)                   1.03                 0.60     不适用         不适用
稀释每股收益(元)                   1.03                 0.60     不适用         不适用
加权平均净资产收益率               11.65%               12.66%       5.87%       9.46%
经营活动产生的现金流量
净额(万元)
现金分红(万元)                       -                    -           -            -
研发投入占营业收入比例               5.14%                5.18%       6.13%      10.49%
四、发行人主营业务经营情况
(一)公司主要业务情况、竞争地位及主要经营模式
  公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专
注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能
力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验
苏州东微半导体股份有限公司                            招股意向书
的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率
器件产品领域实现了国产化替代。
  报告期内,公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS
系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直
流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工
业级应用领域,以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费
电子应用领域。同时,公司不断进行技术创新,进一步开发了超级硅 MOSFET、
TGBT 等新产品。未来,公司将持续开发更多新型高性能功率半导体产品,致力于成
为国际领先的功率半导体厂商。
  基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力,公司已成
为国内领先的高性能功率器件设计厂商。根据 Omdia 数据,以 2019 年销售额计,公
司在全球 MOSFET 功率器件市场中位列中国本土厂商前十位。同时,公司产品的销售
单价亦显著高于行业平均水平。在产品性能方面,公司的主要产品 GreenMOS 系列产
品通过自主器件设计和工艺优化,成功解决了常规超级结 MOSFET 所存在的成品良率
低、开关波形震荡等技术问题,同时其性能也达到了国际先进水平。公司也是国内最
早进入工业和汽车相关应用领域的功率器件厂商之一,根据《人民日报》报道,2016
年 4 月,公司成为率先量产充电桩用高压超级结 MOSFET 器件的本土企业,打破了国
外企业对这一产品的垄断,降低了充电桩的整体成本,也为近几年国内充电桩的快速
推广提供了大量的国产化芯片。此外,公司充分利用国际一流的晶圆代工资源,将自
身的创新能力与代工合作伙伴的制造能力深度结合,开发出性能优异的产品。公司是
国内在 12 英寸晶圆产线上较早实现功率器件量产的功率器件设计公司之一。
  公司产品的终端应用聚焦在工业级领域,同时也广泛应用在消费级领域。公司已
在前述领域积累了全球知名的品牌客户群,并已成为部分行业领先客户认证的国产供
应商之一。在工业及汽车相关应用领域中,公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的
终端用户如英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等,5G 基站电源及通信电源领域的终
端用户如华为、维谛技术、麦格米特等,以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金
升阳、雷能、通用电气等。在消费电子领域中,公司积累了大功率显示电源领域的终
端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。
苏州东微半导体股份有限公司                                                                   招股意向书
   公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业,自成立以来始终采用 Fabless 的
经营模式。
(二)公司主营业务收入的构成情况
   报告期内,公司主营业务收入的构成情况如下表所示:
                                                                                单位:万元
 产品              2021 年 1-6 月        2020 年度              2019 年度            2018 年度
         产品品类
 类别              金额        比例      金额          比例       金额        比例       金额        比例
         高压
        超级结     23,917.46 74.55% 24,907.95     80.66% 15,738.18   80.28% 12,453.37   81.48%
       MOSFET
       中低压屏
MOSFET
         蔽栅      8,006.71 24.96% 5,930.43      19.21% 3,858.16    19.68% 2,830.16    18.52%
       MOSFET
        超级硅
       MOSFET
 IGBT    TGBT      22.95   0.07%         -          -         -        -         -        -
        合计      32,082.43 100.00% 30,878.74 100.00% 19,604.66 100.00% 15,283.52 100.00%
五、发行人技术先进性、研发技术产业化情况以及未来发展战略
(一)技术先进性
   公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,基于多
年的技术积累和研发投入,在半导体功率器件领域拥有强大的自主研发能力并形成了
多项专利。截至 2021 年 6 月 30 日,公司已获授权的专利 53 项,包括境内专利 38 项,
其中发明专利 37 项、实用新型专利 1 项,以及境外专利 15 项。2017 年,公司获得苏
州市超级结功率器件工程技术研究中心的称号。
   在技术水平方面,公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优
化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术,产品的关键技术指标达
到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压领域,公司亦积累了包括优化电荷平衡、
自对准加工等核心技术,产品的关键技术指标达到了国内领先水平。
苏州东微半导体股份有限公司                                       招股意向书
   在产品结构方面,公司的功率器件产品以具有更高技术含量的高压超级结
MOSFET 产品为主。报告期内,公司的高压超级结 MOSFET 产品销售收入占主营业务
收入的比例分别为 81.48%、80.28%、80.66%及 74.55%。由于高压超级结产品应用广
泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额,公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间,
发展空间巨大。
   在应用领域方面,公司的产品以工业级应用为主,包括新能源汽车直流充电桩、
功率半导体产品的性能和稳定性要求普遍高于消费级应用,其产品单价也较消费级应
用的产品单价更高。根据 Omdia 数据,2019 年中国市场 MOSFET 功率器件平均销售
价格为 1.04 元/颗,全球市场为 1.25 元/颗。同行业可比上市公司新洁能 2019 年度功率
器件成品的平均销售单价为 0.44 元/颗,其中超级结 MOSFET 平均销售单价为 1.67 元/
颗。相比之下,东微半导体 2019 年度功率器件成品的整体平均销售价格为 2.19 元/颗,
其中高压超级结 MOSFET 器件成品平均销售价格为 2.36 元/颗,高于行业平均以及可
比公司水平。
(二)研发技术产业化情况
   基于多年的技术积累和研发投入,公司在半导体功率器件领域形成多项核心技术
与专利,并成功将这些核心技术与专利应用于功率器件产品之中,推动了创新技术的
产业化。
   报告期内,公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS
系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET。同时,公司已开发了超级硅 MOSFET 及
TGBT 等先进功率器件产品。公司在上述功率器件领域已形成一系列具有自主知识产
权的核心技术。
   公司应用核心技术的产品包括高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超
级硅 MOSFET 及 TGBT 等产品。报告期内,前述产品形成的收入分别为 15,283.52 万
元、19,604.66 万元、30,878.74 万元及 32,082.43 万元,占营业收入的比例为 99.96%、
苏州东微半导体股份有限公司                                  招股意向书
(三)未来发展战略
  为了更好地指引公司未来的发展,在经营模式方面,公司将深化与上下游优秀合
作伙伴的合作,使公司的技术创新能力与代工合作伙伴的制造能力深度结合,创造出
更优秀的产品。这种紧密合作可以进一步深化双方的信任,强化双方的技术优势和产
能优势。同时,公司亦会探索上下游资源整合的路径,进一步提高公司产品的竞争力
以及丰富产品结构。
  在产品方面,公司将持续专注于研发高效率、高可靠性产品,实现国产功率器件
的自主可控。在高压 MOSFET 方面,公司将延续高压超级结 MOSFET 产品系列的优
势,充分利用 12 英寸先进制程工艺,进一步提升产品动态性能,优化一致性和稳定性,
降低单位面积导通电阻,达到国际领先的水准。公司将加速扩大产品在工业级应用领
域的市场份额,取代更多的进口品牌的份额,实现国产高可靠性、高速功率器件产品
的自主可控。在中低压 MOSFET 方面,公司将扩大已有产品的优势,并在 12 英寸制
程开发国际领先的产品,满足客户在低功耗、高功率密度领域的需求。在 IGBT 方面,
公司计划充分发挥 TGBT 器件的技术优势,达到或超过国际一流产品的性能,在更多
应用领域替换国外的高性能 IGBT 芯片。
  公司关于未来发展战略的具体的规划措施参见本招股意向书之“第九节                募集资
金运用及未来发展规划 / 三、未来发展规划 / (三)未来规划采取的措施”。
六、具体上市标准、符合科创属性要求的情况
(一)适用的具体上市标准
  发行人符合并选择适用《上海证券交易所科创板股票上市规则》第 2.1.2 条第一项
的上市标准:预计市值不低于人民币 10 亿元,最近两年净利润均为正且累计净利润不
低于人民币 5,000 万元,或者预计市值不低于人民币 10 亿元,最近一年净利润为正且
营业收入不低于人民币 1 亿元。
  发行人 2020 年度的营业收入为 30,878.74 万元,净利润为 2,040.26 万元。结合市
场估值情况,发行人预计市值不低于 10 亿元。因此,发行人符合“预计市值不低于人
民币 10 亿元,最近一年净利润为正且营业收入不低于人民币 1 亿元”的上市标准。
苏州东微半导体股份有限公司                                           招股意向书
(二)发行人满足科创属性和指标的情况
  公司主营业务为半导体功率器件研发与销售,根据中国证监会《上市公司行业分
类指引》(2012 年修订),公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制
造业”,行业代码“C39”。
  公司主营业务是国家重点发展的战略性新兴产业之一。根据《战略性新兴产业重
业”之“1.3 电子核心产业”之“1.3.3 新型元器件”中的“金属氧化物半导体场效应
管(MOSFET)”、“绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块”。根据《战略性新兴
产业分类(2018)》,公司主营业务产品属于“1 新一代信息技术产业”之“1.2 电子
核心产业”之“1.2.1 新型电子元器件及设备制造”中的“半导体分立器件制造”,以
及“6 新能源产业”之“6.5 智能电网产业”之“6.5.2 电力电子基础元器件制造”中的
“金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)”、“绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及
模块”。
  因此,发行人属于《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定》
(2021 年 4 月修订)(以下简称“《申报及推荐暂行规定》” )第四条“新一代信息
技术领域,主要包括半导体和集成电路、电子信息、下一代信息网络、人工智能、大
数据、云计算、软件、互联网、物联网和智能硬件等” 高新技术产业和战略性新兴产
业领域的企业。
       科创属性评价标准一     是否符合                   指标情况
                               分 别 为 1,603.83 万 元 、1,202.58 万 元 和
最近三年累计研发投入占最近三年累计营
业收入比例≥5%,或最近三年累计研发投 √是 □否
                               三年营业收入金额累计为 65,773.39 万元,
入金额≥6000 万元
                               最近三年累计研发投入占最近三年累计营业
                               收入比例为 6.70%,不低于 5%。
                               截至报告期末,公司已获授权的专利合计
形成主营业务收入的发明专利(含国防专
                   √是 □否       53 项,其中已形成主营业务收入的境内发明
利)≥5 项
                               专利 17 项,境外专利 11 项,大于 5 项。
                               截至 2018 年 12 月 31 日、2019 年 12 月 31
研发人员占当年员工总数的比例不低于              日、2020 年 12 月 31 日,发行人研发人员分
                  √是 □否
                               分别为 18 人、37 人和 53 人,发行人研发人
苏州东微半导体股份有限公司                                           招股意向书
                                员占当年员工总数的比例分别为 55.56%、
                                数的比例不低于 10%。
                                公司 2020 年的营业收入为 30,878.74 万元,
最近三年营业收入复合增长率≥20%,或最
                     √是 □否      大于 3 亿元,公司 2018 至 2020 年营业收入
近一年营业收入金额≥3 亿
                                复合增长率为 42.11%,大于 20%。
     因此,发行人符合《科创板首发管理办法》第三条“发行人申请首次公开发行股
票并在科创板上市,应当符合科创板定位,面向世界科技前沿、面向经济主战场、面
向国家重大需求。优先支持符合国家战略,拥有关键核心技术,科技创新能力突出,
主要依靠核心技术开展生产经营,具有稳定的商业模式,市场认可度高,社会形象良
好,具有较强成长性的企业” 规定的关于申报企业性质的相关条件。
七、发行人公司治理特殊安排及其他重要事项
     发行人不存在特别表决权股份或类似公司治理的特殊安排。
八、发行人募集资金用途
     本次首次公开发行股票所募集的资金扣除发行费用后将全部用于投资于以下项目,
具体情况如下:
                                                        单位:万元
序号         募集资金投资方向               拟投入募集资金金额           拟投入资金比例
                合计                        93,869.10      100.00%
     本次募集资金到位之前,公司将根据项目进度的实际情况以自有资金或银行贷款
先行投入,并在募集资金到位之后予以置换。若本次发行的实际募集资金量少于拟投
资项目的资金需求,不足部分由本公司通过银行贷款或其他方式自筹解决。若实际募
苏州东微半导体股份有限公司                   招股意向书
集资金净额超过上述项目拟投入募集资金总额,超出部分由公司根据中国证监会和上
海证券交易所的相关规定用于公司主营业务的发展。
苏州东微半导体股份有限公司                                     招股意向书
                  第三节 本次发行概况
一、本次发行的基本情况
股票种类            人民币普通股(A 股)
每股面值            人民币 1.00 元
发行股数及其占发行后已发 本次发行的股票数量为 1,684.4092 万股,占发行后总股本的比例为
行股份总数的比例     25%
每股发行价格          人民币【】元
             发行人高级管理人员、员工拟通过专项资产管理计划参与本次发行战
             略配售,认购本次公开发行新股。前述资产管理计划参与战略配售的
发行人高管、员工拟参与配 数量为不超过本次公开发行规模的 10.00%,同时包含新股配售经纪
售情况          佣金的总投资规模不超过 18,958 万元(包括新股配售经纪佣金和相
             关税费)。具体比例和金额将在 2022 年 1 月 20 日(T-2 日)确定发
             行价格后确定
             保荐机构安排本保荐机构依法设立的相关子公司中国中金财富证券有
             限公司参与本次发行战略配售,跟投的初始股份数量不超过本次公开
             发行股份数量的 5.00%,即 842,204 股。因保荐机构相关子公司最终
             实际认购数量与最终实际发行规模相关,保荐机构(主承销商)将在
保荐人相关子公司拟参与战
             确定发行价格后对保荐机构相关子公司最终实际认购数量进行调整。
略配售情况
             具体跟投的股份数量和金额将在 2022 年 1 月 20 日(T-2 日)发行价
             格确定后明确。中国中金财富证券有限公司本次跟投获配股票的限售
             期为 24 个月,限售期自本次公开发行的股票在上交所上市之日起开
             始计算
发行市盈率           【】倍(按询价确定的每股发行价格除以发行后每股收益计算)
                【】元(按 2020 年经审计的扣除非经常性损益前后孰低的归属于母
发行后每股收益
                公司股东的净利润除以发行后总股本计算)
发行前每股净资产
                本次发行前总股本计算)
                【】元(按 2021 年 6 月 30 日经审计的归属于母公司所有者权益加上
发行后每股净资产
                本次发行募集资金净额之和除以本次发行后总股本计算)
发行市净率           【】倍(按询价确定的每股发行价格除以发行后每股净资产计算)
                本次发行采用向战略投资者定向配售、网下向符合条件的投资者询价
发行方式            配售和网上向持有上海市场非限售 A 股股份和非限售存托凭证市值
                的社会公众投资者定价发行相结合的方式进行
                符合资格的战略投资者、询价对象以及已开立上海证券交易所股票账
发行对象            户并开通科创板交易的境内自然人、法人等科创板市场投资者,但法
                律、法规及上海证券交易所业务规则等禁止参与者除外
承销方式            余额包销方式
                本次发行费用总额为 17,678 万元~20,678 万元,其中:
                (1)承销费及保荐费:本次发行的募集资金总额*保荐承销费率,保
发行费用概算          荐承销费率区间为 5.5%-8.5%,且承销费不低于 15,000 万元、不高于
                (2)审计、验资费:1,300 万元
苏州东微半导体股份有限公司                                   招股意向书
                (3)律师费:788 万元
                (4)用于本次发行的信息披露费用不超过 530 万元
                (5)上市相关的手续费等其他费用不超过 60 万元
                注 1:发行手续费中暂未包含本次发行的印花税,税基为扣除印花税
                前的募集资金净额,税率为 0.025%;将结合最终发行情况计算并纳
                入发行手续费;
                注 2:各项费用根据发行结果可能会有调整,以上费用均不含增值
                税。
二、本次发行的相关当事人
(一)保荐机构(主承销商):中国国际金融股份有限公司
   法定代表人:           沈如军
                    北京市朝阳区建国门外大街 1 号国贸大厦 2 座 27 层及 28
   住所:
                    层
   联系电话:            010-65051166
   传真:              010-65051156
   保荐代表人:           李扬、王竹亭
   项目协办人:           何柳
   项目经办人:           吴迪、曹毅程、王若钰、赵善军、戴志远、季璟、叶建冬
(二)发行人律师:浙江天册律师事务所
   负责人:             章靖忠
   住所:              浙江省杭州市杭大路 1 号黄龙世纪广场 A 座 11 楼
   联系电话:            0571-87901110
   传真:              0571-87902008
   经办律师:            傅羽韬、熊琦、赵龙廷
(三)会计师事务所:天健会计师事务所(特殊普通合伙)
   负责人:             王国海
   住所:              浙江省杭州市江干区钱江路 1366 号华润大厦 B 座
   联系电话:            0571-88216888
   传真:              0571-89722977
   经办注册会计师:         蒋舒媚、华鋆烨
(四)保荐机构(主承销商)律师:国浩律师(上海)事务所
   负责人:             李强
   住所:              上海市北京西路 968 号嘉地中心 27 层
   联系电话:            021-52341668
   传真:              021-52433320
苏州东微半导体股份有限公司                                 招股意向书
   经办律师:          刘维、承婧艽
(五)保荐机构(主承销商)会计师:容诚会计师事务所(特殊普通合伙)
   负责人:           肖厚发
                  北京市西城区阜成门外大街 22 号 1 幢外经贸大厦 901-22 至
   住所:
   联系电话:          010-66001391
   传真:            010-66001392
   经办注册会计师:       支彩琴、廖蕊、谢瓅
(六)资产评估机构:江苏中企华中天资产评估有限公司
   负责人:           谢肖琳
                  江苏省常州市天宁区北塘河路 8 号恒生科技园二区 6 幢 1
   住所:
                  号
   联系电话:          0519-88155675
   传真:            0519-88155675
   经办注册资产评估师:     戴国云、宋蕴中
(七)拟上市的证券交易所:上海证券交易所
   住所:            上海市浦东南路 528 号证券大厦
   联系电话:          021-68808888
   传真:            021-68804868
(八)股票登记机构:中国证券登记结算有限责任公司上海分公司
   住所:            上海市浦东新区陆家嘴东路 166 号
   联系电话:          021-58708888
   传真:            021-58899400
(九)主承销商收款银行:中国建设银行股份有限公司北京国贸支行
   开户单位:          中国国际金融股份有限公司
   开户账号:          11001085100056000400
三、发行人与有关中介机构的股权关系和其他权益关系
  截至 2021 年 11 月 12 日,持有发行人 9.9512%股权的聚源聚芯、持有发行人
后的间接出资人中包含中金公司相关主体,中金公司相关主体通过上述持股路径间接
持有发行人的股份比例极低,合计间接持有发行人的股份不足 0.01%。
苏州东微半导体股份有限公司                            招股意向书
  根据《上海证券交易所科创板股票发行与承销实施办法》等相关法律、法规的规
定,发行人的保荐机构依法设立的相关子公司或者实际控制该保荐机构的证券公司依
法设立的其他相关子公司,参与本次发行战略配售,并对获配股份设定限售期,具体
认购数量、金额等内容在发行前确定并公告。
  除上述情况外,发行人与本次发行有关的中介机构及其负责人、高级管理人员、
经办人员之间不存在直接或间接的股权关系或其他权益关系。
四、预计本次发行上市的重要日期
初步询价日期          2022 年 1 月 19 日
刊登发行公告日期        2022 年 1 月 21 日
申购日期            2022 年 1 月 24 日
缴款日期            2022 年 1 月 26 日
股票上市日期          本次股票发行结束后,将尽快按照程序向上交所申请股票上市
五、本次发行的战略配售安排
  本次发行的战略配售由保荐机构(主承销商)相关子公司跟投和发行人的高级管
理人员与核心员工专项资产管理计划组成,跟投机构为中国中金财富证券有限公司;
发行人高管、核心员工专项资产管理计划为中金丰众 40 号员工参与科创板战略配售集
合资产管理计划(以下简称“中金丰众 40 号资管计划”)。本次发行初始战略配售发行
数量为 2,526,613 股,占本次发行数量的 15.00%。最终战略配售数量与初始战略配售
数量的差额将根据回拨机制规定的原则进行回拨。中国中金财富证券有限公司本次跟
投获配股票的限售期为 24 个月,中金丰众 40 号资管计划获配股票的限售期为 12 个月,
限售期自本次公开发行的股票在上交所上市之日起开始计算。限售期届满后,战略投
资者对获配股份的减持适用中国证监会和上交所关于股份减持的有关规定。
六、保荐机构相关子公司拟参与战略配售情况
  保荐机构安排本保荐机构依法设立的相关子公司中国中金财富证券有限公司参与
本次发行战略配售,跟投的初始股份数量不超过本次公开发行股份数量的 5.00%,即
苏州东微半导体股份有限公司                                招股意向书
机构(主承销商)将在确定发行价格后对保荐机构相关子公司最终实际认购数量进行
调整。具体跟投的股份数量和金额将在 2022 年 1 月 20 日(T-2 日)发行价格确定后明
确。中国中金财富证券有限公司本次跟投获配股票的限售期为 24 个月,限售期自本次
公开发行的股票在上交所上市之日起开始计算。
七、发行人高管、员工拟参与战略配售情况
  发行人高级管理人员、员工拟通过专项资产管理计划参与本次发行战略配售,认
购本次公开发行新股。前述资产管理计划参与战略配售的数量为不超过本次公开发行
规模的 10.00%,同时包含新股配售经纪佣金的总投资规模不超过 18,958 万元(包括新
股配售经纪佣金和相关税费)。具体比例和金额将在 2022 年 1 月 20 日(T-2 日)确定
发行价格后确定。中金丰众 40 号资管计划承诺获得本次配售的股票限售期限为自发行
人首次公开发行并上市之日起 12 个月。
核心员工参与公司首次公开发行股票并在科创板上市战略配售的议案》,同意公司部
分高级管理人员与核心员工通过专项资产管理计划参与公司本次发行上市的战略配售,
具体信息如下:
(一)投资主体
  发行人的高级管理人员及核心员工参与本次战略配售设立的专项资产管理计划为
中金丰众 40 号资管计划。中金丰众 40 号资管计划的设立时间为 2021 年 12 月 29 日,
募集资金规模为 18,958 万元,管理人、实际支配主体为中国国际金融股份有限公司。
(二)参与规模
  中金丰众 40 号资管计划参与战略配售的数量为不超过本次公开发行规模的
经纪佣金和相关税费)。
(三)参与人姓名、职级与比例
  中金丰众 40 号资管计划参与人姓名、职务与比例具体如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                          招股意向书
                                   认购金额     资管计划份额
序号     姓名         职务                                   员工类别
                                   (万元)      认购比例
      总计           -               18,958    100.00%    -
注 1:中金丰众 40 号资管计划为权益类资管计划,其募集资金的 100%用于参与本次战略配售。
注 2:合计数与各部分数直接相加之和在尾数存在的差异系由四舍五入造成。
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
                 第四节 风险因素
  投资者在评价判断本公司股票价值时,除仔细阅读本招股意向书提供的其他资料
外,应该特别关注下述各项风险因素。下述各项风险按照不同类型进行归类,同类风
险根据重要性原则或可能影响投资决策的程度大小排序,但该排序并不表示风险因素
依次发生。以下风险因素可能直接或间接对发行人生产经营状况、财务状况和持续盈
利能力产生不利影响。
  本次股票发行后拟在科创板市场上市,该市场具有较高的投资风险。科创板公司
具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点,投资者面临较大的
市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素,审
慎作出投资决定。
一、技术风险
(一)新产品研发不及预期的风险
  半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点,产品技术更新迭代需要持续
的资源投入。未来的几年内,公司将继续投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技
术开发。由于半导体行业研发项目的周期较长,相关研发项目存在一定的不确定性,
若研发项目启动后的进度及效果未达预期,或者研发的新技术或产品尚不具备商业价
值,则大量的研发投入将影响公司的经营业绩;若公司未来研发资金投入不足,则可
能致使公司现有技术被赶超或被替代,进而导致公司已有产品的市场竞争力下降,给
公司未来业务拓展带来不利影响。
  截至 2021 年 6 月 30 日,发行人研发人员合计 31 人,占员工比例为 46%。发行人
研发部下设产品研发工程部以及应用技术部,分别专注新型器件的研发以及研发过程
中的执行和辅助工作。报告期末,发行人研发人员数量相比可比公司较少,可能存在
研发资源受限、研发进度不达预期的风险,进一步影响发行人新产品的推出、技术储
备等方面,进而对公司未来业务发展带来不利影响。
苏州东微半导体股份有限公司                                  招股意向书
(二)技术升级迭代的风险
  公司主要产品为功率器件,处于半导体行业中的功率半导体行业。功率半导体行
业是技术密集型行业,技术及下游客户需求迭代速度相对较快。公司的发展很大程度
上依赖于识别并快速响应客户需求的变化,以开发出符合客户要求且具有较好成本效
益的产品。报告期内,公司的主营业务收入为 15,283.52 万元、19,604.66 万元、
年来下游应用如新能源汽车充电桩、5G 通信、快速充电器等新兴领域迅速发展,下游
客户对高压超级结 MOSFET 产品的性能和技术等方面提出了新要求。随着市场竞争的
加剧以及终端客户对产品个性化需求的不断提高,行业中新技术、新产品不断涌现,
公司需要根据技术发展趋势和终端客户需求不断升级更新现有产品并研发新技术和新
产品,并通过持续的研发投入和技术创新,保持技术先进性和产品竞争力。如果公司
不能准确把握市场发展趋势,在功率器件应用领域中始终保持持续的创新能力并紧贴
下游应用的发展方向,则可能导致公司产品被赶超或替代,进而在新产品领域难以保
持市场的领先地位。
(三)技术泄密的风险
  基于多年的技术积累和研发投入,公司在半导体功率器件领域已形成多项核心技
术,并已将核心技术广泛应用于自有的功率器件产品中。目前,公司正致力于新技术
和新产品的研发。公司自成立以来对核心技术的保密工作高度重视,设立了健全的保
密机制并与项目研发人员签订了保密协议,但仍然存在个别人员保管不善或核心技术
人员流失导致公司核心技术失密的风险。
二、经营风险
(一)市场竞争风险
  目前,我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段。随着我国消费电子、汽车电
子、工业电子等多个行业的蓬勃发展以及智能装备制造、物联网、新能源等新兴领域
的兴起,国内对功率半导体产品的需求迅速扩大,推动了行业的快速发展。良好的前
景吸引了诸多国内企业进入这一领域,行业内厂商则在巩固自身优势基础上积极进行
市场拓展,市场竞争正在加剧。在日趋激烈的市场竞争环境下,若公司不能正确把握
苏州东微半导体股份有限公司                                招股意向书
市场动态和行业发展趋势,不能根据客户需求及时进行技术升级、提高产品性能与服
务质量,则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
   在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域,公司目前在全球和国内市场占有
率相对较低,市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。根据 Omdia 数据测算,2020 年
全球高压超级结 MOSFET 的市场规模预计为 9.4 亿美元,公司市场份额为 3.8%;2020
年中国高压超级结 MOSFET 市场规模经估算约为 4.2 亿美元,公司市场份额为 8.6%。
中低压 MOSFET 市场方面,2020 年度全球中低压 MOSFET 产品的市场规模为 52.4 亿
美元,公司市场份额为 0.2%;2020 年度中国中低压 MOSFET 产品的市场规模为 24.1
亿美元,公司市场份额为 0.4%。整体上看,公司的市场份额仍处于较低水平。
   相较于消费级客户,工业及汽车相关领域的客户对产品的性能和品质要求较高、
验证周期普遍较长。如公司产品设计、工艺升级或客户资源开拓进度未达预期,将在
与国外大型厂商的竞争中处于不利地位。例如,汽车领域对功率器件的性能、稳定性
等具有很高的要求,产品验证周期较长,因此公司在进入该等新的应用领域时可能会
面临产品性能验证失败或者产品性能不及竞争对手而无法获得订单的风险。若上述情
况发生,将对发行人拓展新应用领域、提高市场竞争力产生不利影响,进一步影响发
行人的业绩表现。
(二)供应商集中度较高的风险
   公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节。报告期内,公司向前五
名供应商采购内容主要为晶圆及封装测试服务等,合计采购金额占当期采购总额的比
例分别为 99.56%、99.29%、99.01%及 97.73%,其中向第一大供应商采购金额占当期
采购总额比例分别为 83.59%、81.70%、80.19%及 72.85%。
   报告期内,随着下游需求持续扩张以及新冠疫情对全球晶圆代工行业产能带来的
负面影响,晶圆代工行业普遍出现产能紧张的情况,进一步导致了晶圆价格的增长。
由于公司的晶圆供应商集中度较高,若晶圆代工行业产能紧张的情况进一步加剧,则
晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足发行人的需求,从而对公司的产品出货量以
及未来的收入增长造成一定不利影响。另一方面,公司营业成本主要由材料成本和封
测费用构成,其中材料成本以晶圆成本为主,若晶圆价格未来持续提高,可能会对公
司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。
苏州东微半导体股份有限公司                                       招股意向书
(三)下游需求波动的风险
   报告期内,公司主营业务收入分别为 15,283.52 万元、19,604.66 万元、30,878.74
万元以及 32,082.43 万元,保持了持续快速增长;公司归属于母公司所有者的净利润分
别为 1,297.43 万元、911.01 万元、2,768.32 万元以及 5,180.53 万元,亦保持了快速增长
的趋势。公司主要产品包括高压超级结以及中低压屏蔽栅 MOSFET 产品,广泛应用于
充电桩、快速充电器、电机驱动、光伏逆变器等下游行业。报告期内公司业绩的持续
增长主要系受前述下游终端需求增长、进口替代等因素影响。为增强公司的技术优势
及保持产品的竞争力,公司不断增加研发投入,扩充人员规模。但是,半导体行业具
有较强的周期性特征,与宏观经济整体发展亦密切相关。如果宏观经济波动较大或长
期处于低谷,半导体行业的市场需求也将随之受到影响。因此,若新能源汽车、5G 通
信、光伏等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期,行业规模增速放缓或出
现下滑,中国半导体功率器件行业进口替代趋势放缓,公司的研发进展与成果不达预
期,或宏观经济发展出现较大波动,则公司将面临业绩无法继续保持报告期内所实现
的快速增长的风险。
   此外,从产业链角度来看,由于下游终端产品结构相对复杂,产业链分工高度专
业化,终端产品的推出往往需要整个产业链密切的合作才能完成,若未来产业链某个
环节出现缺货的情形,终端厂商的生产计划可能会出现阶段性停滞,或需要被迫推迟
新产品的发布,以上可能会影响整体的采购需求,进而对包括公司在内的产业链公司
造成不利影响。
(四)产品结构较为单一的风险
   报告期内,公司实现大规模销售的主要产品为 MOSFET 产品,包括高压超级结
MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 等。报告期内,MOSFET 产品的销售收入占主营
业务收入的比例均超过 99%,其中高压超级结 MOSFET 产品占比分别为 81.48%、
现大规模销售需要一定的时间周期,如果下游市场短期内对 MOSFET 产品的需求增速
放缓,将会对公司的营收和盈利能力带来不利影响。
  同时,考虑到第三代半导体材料功率器件可能是未来高性能功率器件的组成部分
之一,若公司未来不能实现现有功率器件产品的进一步技术突破,或者研发出具有市
苏州东微半导体股份有限公司                                      招股意向书
场竞争力的第三代半导体材料功率器件,则公司的销售收入增长可能有所放缓,对公
司的经营业绩造成不利影响。
(五)产业政策变化的风险
   半导体产业作为信息产业的基础,是国民经济和社会发展的战略性产业。近年
来,国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展,增强中国半导体产业
创新能力和国际竞争力。2017 年,相关部委发布了《战略性新兴产业重点产品和服务
录,并明确了电力电子功率器件的地位和范围,其中包括了 MOSFET 和 IGBT 等功率
器件。此外国家还持续推出了各项支持半导体行业发展的政策,包括《中国制造
展的若干政策》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远
景目标纲要》(“十四五规划”)等。如果未来国家相关产业政策支持力度减弱,公
司的经营业绩将会受到不利影响。
(六)国际贸易摩擦的风险
   近年来,国际贸易摩擦不断,部分国家通过贸易保护的手段,试图制约中国相关
产业的发展。公司始终严格遵守中国和他国法律,但国际局势瞬息万变,一旦因国际
贸易摩擦导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束,公司的正常生
产经营将受到不利影响。报告期内,公司境外销售收入分别为 1,897.09 万元、1,642.27
万元、3,228.18 万元和 1,096.60 万元,占主营业务收入的比例分别为 12.41%、8.38%、
的不确定性。如果全球贸易摩擦进一步加剧,境外客户可能会减少订单、要求公司产
品降价或者承担相应关税等措施,境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货。若
出现上述情况,则公司的经营可能会受到不利影响。
   另外,在国际政治、经济形势日益复杂的背景下,尤其是随着中美贸易摩擦的加
剧,美国政府已将多家中国企业和机构列入美国出口管制的“实体清单”。美国政府
不断扩大“实体清单”名单、加强对“实体清单”的限制。同时,2020 年 5 月,美国
商务部修订直接产品规则(“Foreign-Produced Direct Product Rule”),进一步限制部
分中国公司获取半导体技术和服务的范围。报告期内,公司的前五大客户未被列入
苏州东微半导体股份有限公司                         招股意向书
“实体清单”名单。但是,公司的客户包括各终端应用领域内领先的国内厂商,若美
国商务部将上述或其他公司主要终端客户列入“实体清单”名单或采取其他经济限制
手段,则公司的经营可能会受到不利影响。
(七)供应链管理风险
  公司专注于高性能功率器件的研发与设计,晶圆制造和封装等主要生产环节由专
业的晶圆制造和封装厂商完成。报告期内,公司与行业内知名的晶圆制造厂商和封装
厂商均建立了长期稳定的合作关系。由于公司产品的终端应用涵盖了工业、汽车相关
应用及消费等多个行业,行业内客户均具有较高的供应商认证要求,如果公司对供应
链及生产环节管理不善,导致产品质量、交付及时性等出现问题,则会影响公司产品
销售和品牌声誉,对公司的经营造成不利影响。
(八)新型冠状病毒疫情持续风险
作为采用 Fabless 模式经营的半导体功率器件设计公司,上游供应商包括国内外晶圆制
造和封装测试厂商,下游客户包括直销客户和经销商,整体产业链较长,因此上下游
受到疫情影响的程度可能会对公司的生产经营产生一定的影响。若上游供应商受到疫
情影响无法及时交货或者下游客户和经销商需求出现阶段性减缓或停滞,将对公司经
营活动和业绩造成不利影响。
三、管理风险
(一)人员规模相对较小的风险
  发行人作为以 Fabless 模式运营的企业,将涉及人员用工较多的生产制造环节进行
外包,因此人员规模相对较小。报告期各期末,公司员工总人数分别为 18 人、37 人、
规模不断扩大,发行人需要设立完善的人力资源管控、内部晋升制度以及具有市场竞
争力的薪酬水平,以一方面不断吸引人才加入,另一方面保证现有员工的稳定性。由
于公司的员工规模较小,若未来发生大规模人员流失的情况,将对发行人开展日常经
营活动以及持续拓展业务规模带来不利影响。
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
(二)关键技术人员流失、顶尖技术人才不足的风险
  在功率半导体行业,关键技术人员是公司获得持续竞争优势的基础,也是公司持
续进行技术创新和保持竞争优势的主要因素之一,因此技术人员的稳定与公司正常经
营和技术创新息息相关。截至 2021 年 6 月 30 日,公司拥有研发人员 31 名,占员工总
人数的 46%,符合公司属于技术驱动型科技企业的特征。目前国内半导体企业众多,
对功率半导体关键技术人才需求缺口较大,运用高薪或者股权激励等方式吸引技术人
员已逐渐成为行业内的常规手段,导致行业内人员流动愈发频繁。
  未来,如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势或人力资源管控及
内部晋升制度得不到有效执行,公司将无法引进更多的高端技术人才,甚至可能出现
现有骨干技术人员流失的情形,对公司生产经营产生不利影响。
四、财务风险
(一)毛利率波动的风险
  报告期内,公司的综合毛利率分别为 26.38%、14.93%、17.85%和 26.75%,波动
较大。公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。随着行业技
术的发展和市场竞争的加剧,公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新,
若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术实力停滞不前、或公司未能有效控制
产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预
期外波动等不利情形。在该等不利情况下,公司综合毛利率水平未来可能会持续波动
甚至出现下降的可能性,从而对公司的经营带来一定风险。此外,公司的产品规格数
量较多,不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。
  具体来看,发行人 Fabless 的经营模式将生产制造环节进行外包,毛利率水平受到
晶圆代工成本的影响,因此行业景气度、晶圆代工行业产能的充沛情况导致的晶圆代
工价格的波动会影响发行人毛利率水平。同时,晶圆代工行业具有重资产、资本投入
大以及产能释放周期长的特点,其晶圆的销售价格受行业景气度影响呈现周期性波动。
其中,晶圆代工厂作为发行人的上游供应商,行业集中度相较发行人下游行业更高,
在晶圆代工产能较为紧张的情况下,晶圆代工厂商的议价能力较强且传导能力亦会更
强。
苏州东微半导体股份有限公司                                 招股意向书
  相较于可比公司,发行人经营规模较小,与上游供应商以及下游客户的议价能力
相对较弱。此外,发行人的主要工业级客户具有粘性高、议价频率低的特点。因此,
若上游如晶圆代工、封装测试的产能紧张导致公司采购成本持续上升,在公司向下游
客户传导上游晶圆价格变动影响的及时性较低的情况下将对公司的毛利率水平产生不
利影响。在上述因素的影响下,公司综合毛利率水平未来可能会持续波动甚至出现下
降,从而对公司的经营带来一定风险。
(二)关联交易增加的风险
  报告期内,公司向关联方销售及比照关联交易披露的交易金额合计分别为 0.07 万
元、67.88 万元、700.31 万元和 5,395.65 万元,占营业收入的比例分别为 0.00%、
品。公司的关联方中包括了全球领先的 ICT(信息与通信)基础设施和智能终端提供
商,该等领域是公司产品的应用终端之一。若未来公司与关联方持续加大业务合作规
模,则公司向关联方销售及比照关联交易披露的交易金额存在进一步增加的可能性。
(三)经销商管理不善的风险
  公司采用“经销加直销”的销售模式。报告期内,公司的经销收入占比相对较高,
分别为 74.57%、68.39%、63.98%和 64.17%,经销商可以帮助公司快速建立销售渠道,
提升品牌知名度,也可以协助公司进行终端客户的日常维护和售后服务。未来,如果
公司对经销商管理不善,可能造成经销商不能很好地理解公司品牌和发展目标,影响
公司声誉,并且导致客户关系疏离,从而对公司业绩带来不利影响。
(四)应收账款增加的风险
  报告期各期末,公司应收账款账面价值分别为 1,275.30 万元、2,710.67 万元、
公司按照会计政策对应收账款计提坏账准备,但未来应收账款可能会随着经营规模的
扩大而继续增长。若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化,或催收措施不力,
则可能导致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失,对公司经营成果造成不利影
响,也会影响公司经营性现金流量,对公司资金状况造成不利影响。
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
(五)无法持续取得税收优惠的风险
  公司于 2017 年 12 月 27 日取得由江苏省科学技术厅、江苏省财政厅、江苏省国家
税务局和江苏省地方税务局联合颁发的高新技术企业证书(证书编号:
GR201732003993),有效期三年。2020 年度,公司未能通过高新技术企业认定。虽然
公司将持续申请高新技术企业认定,但不排除未来公司无法重新通过高新技术企业认
定,从而无法享受高新技术企业税收优惠政策,进而对公司业绩带来不利影响的可能
性。
(六)存货减值的风险
  报告期各期末,公司存货的账面价值分别为 4,765.06 万元、6,207.55 万元、
司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响,未来,如果公司下游客户需求、
市场竞争格局发生变化,或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理,可能导致
存货无法顺利实现销售,公司或将面临存货减值的风险,进而会给公司经营造成一定
的不利影响。
五、法律风险
(一)知识产权相关风险
  公司拥有的商标、专利等知识产权是公司核心竞争力的重要组成部分。自设立以
来,公司高度重视知识产权保护,通过专利申请、商标注册等途径确保公司知识产权
合法有效。截至 2021 年 6 月 30 日,公司已获授权的专利 53 项,包括境内专利 38 项,
其中发明专利 37 项、实用新型专利 1 项,以及境外专利 15 项。随着功率半导体领域
市场竞争日趋激烈,公司未来仍可能出现知识产权被第三方侵犯、知识产权涉及侵权
诉讼或纠纷等情形。如果公司通过法律途径寻求保护,将为此付出额外的人力、物力
及时间成本,从而导致公司商业利益受到一定程度的损失。如公司相关核心技术被竞
争对手所获知并效仿,或者第三方侵犯公司知识产权的行为得不到及时防范和制止,
可能对公司未来业务发展和生产经营产生负面影响。
苏州东微半导体股份有限公司                      招股意向书
六、本次发行失败的风险
  根据《上海证券交易所科创板股票发行与承销实施办法》的要求,若本次发行时
提供有效报价的投资者或网下申购的投资者数量不足法律规定要求,或者发行时总市
值未能达到预计市值上市条件的,本次发行应当中止,若发行人中止发行上市审核程
序超过上交所规定的时限或者中止发行注册程序超过 3 个月仍未恢复,或者存在其他
影响发行的不利情形,或将会出现发行失败的风险。
七、与募集资金运用相关的风险
  本次募集资金投资项目包括“超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目”、
“新结构功率器件研发及产业化项目”、“研发工程中心建设项目”及“科技与发展
储备资金”,本次募集资金投资项目与公司现有主营业务和发展战略紧密联系,现有
的可行性分析是基于当前的市场环境和技术发展趋势等因素做出的,如果募集资金到
位后,未来宏观环境、市场需求以及原材料供应等出现了重大变化,公司销售订单和
营业收入不能随之提高,导致募投项目不能如期实施或效益未达预期,会对公司业绩
产生不利影响。
  此外,本次募集资金投资项目建成后,公司将新增固定资产、无形资产、研发投
入,导致相应的折旧、摊销费用增加。如本次募集资金投资项目按预期实现效益,公
司预计主营业务收入的增长可以消化本次募投项目新增的折旧、摊销及费用支出,但
如果因市场环境等因素发生变化,募集资金投资项目投产后盈利水平不及预期,新增
的固定资产折旧将对公司的经营业绩产生不利影响。
苏州东微半导体股份有限公司                                           招股意向书
                      第五节 发行人基本情况
一、发行人的基本信息
   中文名称:苏州东微半导体股份有限公司
   英文名称:Suzhou Oriental Semiconductor Company Limited
   注册资本:人民币 5,053.2275 万元
   法定代表人:龚轶
   有限公司成立日期:2008 年 9 月 12 日
   股份公司成立日期:2020 年 11 月 27 日
   住所:苏州工业园区金鸡湖大道 99 号苏州纳米城西北区 20 幢 515 室
   邮政编码:215121
   联系电话:0512-62534962
   传真:0512-62534962
   互联网网址:www.orientalsemi.com
   电子信箱:enquiry@orientalsemi.com
   信息披露和投资者关系负责部门:董事会办公室
   信息披露和投资者关系负责部门负责人:李麟
   信息披露和投资者关系负责部门联系电话:0512-62534962
二、发行人设立及股本和股东变化情况
(一)有限责任公司设立情况
   发行人前身东微有限系王鹏飞与龚轶于 2008 年 9 月 12 日共同出资设立的有限责
任公司。东微有限设立时的注册资本为 10.00 万元,由王鹏飞认缴 5.50 万元、龚轶认
缴 4.50 万元。
苏州东微半导体股份有限公司                                                招股意向书
号”《验资报告》,确认截至 2008 年 8 月 29 日,公司已收到全体股东以货币方式缴
纳的注册资本共 10.00 万元。
人营业执照》。根据该营业执照,东微有限设立时的基本情况如下:
名称         苏州东微半导体有限公司
成立日期       2008 年 9 月 12 日
住所         苏州工业园区金鸡湖大道 1355 号国际科技园 123G 单元
法定代表人      王鹏飞
注册资本       10.00 万元
实收资本       10.00 万元
公司类型       有限责任公司
           许可经营项目:无。
经营范围
           一般经营项目:半导体器件、集成电路的设计、开发及技术服务。
营业期限       2008 年 9 月 12 日至 2028 年 9 月 11 日
     东微有限设立时的股东及股权结构如下所示:
  序号               股东姓名                     出资额(万元)       出资比例(%)
               合 计                                10.00        100.00
(二)股份有限公司设立情况
股份有限公司名称为“苏州东微半导体股份有限公司”,公司现有全体股东为股份有
限公司发起人;同意以 2020 年 8 月 31 日为基准日,协调中介机构开展相关审计与资
产评估工作。
至 2020 年 8 月 31 日,公司净资产的审计值为 248,683,212.28 元。
苏州东微半导体股份有限公司                                             招股意向书
〔2020〕第 2071 号”《资产评估报告》,根据该评估报告,截至 2020 年 8 月 31 日,
公司净资产的评估值为 252,350,375.56 元。该评估结果已提交苏州工业园区国有资产
监督管理办公室备案,并取得了《国有资产评估项目备案表》。
计净资产值 248,683,212.28 元中的 4,758.2182 万元按股东出资比例分配并折合为变更
后的股份公司的注册资本,分为 47,582,182 股,每股面值人民币 1 元。超出股本部分
的净资产 201,101,030.28 元作为股本溢价,计入股份公司资本公积。同日,公司全体
股东暨股份公司全体发起人签署《关于变更设立苏州东微半导体股份有限公司之发起
人协议》。
创立苏州东微半导体股份有限公司的议案》《苏州东微半导体股份有限公司章程》
《关于选举公司第一届董事会董事的议案》《关于选举公司第一届监事会监事的议案》
等议案。
行了审验,并出具“天健验〔2020〕562 号”《验资报告》,确认截至 2020 年 10 月
   本次整体变更为股份公司后,公司的股东及股权结构如下所示:
  序号           股东姓名/名称                持股数量(万股)         持股比例(%)
苏州东微半导体股份有限公司                                            招股意向书
  序号            股东姓名/名称             持股数量(万股)          持股比例(%)
               合计                        4,758.2182        100.0000
   (1)整体变更为股份公司存在未弥补亏损的基本情况
   根据天健出具“天健审〔2020〕9923 号”《审计报告》,截至 2020 年 8 月 31 日
(整体变更基准日),东微有限母公司未分配利润为-2,260,037.63 元。发行人整体变
更设立为股份有限公司时存在累计未弥补亏损,主要系早期产品研发投入、维护员工
稳定及客户拓展的投入较大,而产品的大规模量产及通过客户验证需一定周期所致。
   (2)整体变更的具体方案及相应的会计处理
   根据天健出具的“天健审〔2020〕9923 号”《审计报告》、“天健验〔2020〕562
号”《验资报告》,截至 2020 年 8 月 31 日账面净资产 248,683,212.28 元折为股本
整体变更设立股份公司。最终影响资本公积净减少 2,260,037.63 元,未分配利润净增
加 2,260,037.63 元。
   公司整体变更时,进行的会计处理为:
   借:实收资本 47,582,182.00 元
        资本公积 203,361,067.91 元
        未分配利润-2,260,037.63 元
   贷:股本 47,582,182.00 元
        资本公积-股本溢价 201,101,030.28 元
苏州东微半导体股份有限公司                                  招股意向书
  (3)整体变更后的变化情况和发展趋势,对发行人未来持续盈利能力的影响
  公司依照 《关于变更设立苏州东微半导体股份有限公司之发起人协议》在履行董
事会、股东会等内部决策后,以不高于净资产金额折股,通过整体变更设立股份有限
公司方式弥补了部分累计未弥补亏损。此外,随着公司经营业绩持续增长,截至 2020
年 12 月 31 日(整体变更当年年末),公司合并财务报表的未分配利润金额为
形成的未弥补亏损情形已通过整体变更设立股份有限公司以及公司经营业绩增长的方
式得到填补,公司股改时未分配利润为负的情形已消除,不会对发行人未来持续盈利
能力产生重大不利影响。
  (4)整体变更为股份公司的合法合规性
  发行人从有限责任公司整体变更设立股份有限公司相关事项经董事会、创立大会
表决通过,相关程序合法合规。发行人整体变更中不存在侵害债权人合法利益情形,
与债权人不存在纠纷,并已履行国有资产评估项目备案程序及已完成工商税务登记程
序。同时,公司各发起人签署的《关于变更设立苏州东微半导体股份有限公司之发起
人协议》系各发起人真实意思表示,符合有关法律、法规和规范性文件的规定;公司
创立大会的召开程序及所议事项、决议符合相关法律法规和规范性文件的规定;发行
人的设立履行了审计、评估、验资及必要的内部决策程序,且履行了工商税务变更登
记等手续;发行人的设立程序、条件、方式及发起人资格等均符合《公司法》等法律、
法规和规范性文件的规定。
(三)报告期内的股本和股东变化情况
  报告期内,发行人共发生了 3 次增资及 3 次股权转让,具体情况如下:
议》,约定由聚源聚芯向东微有限投资 2,000.0000 万元,其中 201.143 万元计入注册
资本,剩余投资款计入资本公积。
由 4,224.0000 万元增加至 4,425.143 万元,新增注册资本由股东聚源聚芯以货币方式出
资认缴,并就前述变更签署新的公司章程。
苏州东微半导体股份有限公司                                        招股意向书
  本次增资完成后,东微有限的股东及股权结构如下所示:
 序号          股东姓名/名称              出资额(万元)         出资比例(%)
            合 计                      4,425.1430       100.0000
注:上表的出资额合计数与本招股意向书中所列出的数据存在差异,系为四舍五入所致
转让协议补充协议》,约定将王鹏飞与龚轶分别持有的东微有限 0.482%股权(对应注
册资本 21.3292 万元)和 0.478%股权(对应注册资本 21.1522 万元)分别均以 0 元的
价格转让给卢万松。本次股权转让系对卢万松实施股权激励,具体内容参见本招股意
向书“第五节 发行人基本情况 / 八、发行人已经制定或实施的股权激励及相关安
排”。
  同日,东微有限作出股东会决议,同意王鹏飞和龚轶与卢万松股权转让事宜,全
体股东就该等变更签署新的公司章程。
苏州东微半导体股份有限公司                                          招股意向书
   本次股权转让完成后,东微有限的股东及股权结构如下所示:
  序号          股东姓名/名称               出资额(万元)         出资比例(%)
             合 计                       4,425.1430       100.0000
注:上表的出资额合计数与本招股意向书中所列出的数据存在差异,系为四舍五入所致
约定王鹏飞、龚轶和卢万松分别将其持有的东微有限 0.25%股权(对应注册资本
本 7.0802 万元)以 312.5000 万元、437.5000 万元和 200.0000 万元的价格转让给智禹博
弘;王鹏飞、龚轶分别与丰熠投资签署《股权转让协议》,约定王鹏飞和龚轶分别将
其持有的东微有限 0.27%股权(对应注册资本 11.9479 万元)和 0.37%股权(对应注册
资本 16.3730 万元)以 337.5000 万元和 462.5000 万元的价格转让给丰熠投资。
   同日,东微有限股东作出股东会决议,同意上述股权转让事宜,全体股东就该等
变更签署新的公司章程。
   本次股权转让完成后,东微有限的股东及股权结构如下所示:
苏州东微半导体股份有限公司                                        招股意向书
 序号          股东姓名/名称              出资额(万元)         出资比例(%)
            合 计                      4,425.1430       100.0000
注:上表的出资额合计数与本招股意向书中所列出的数据存在差异,系为四舍五入所致
限 1.57%股权(对应注册资本 69.4412 万元)和 1.84%股权(对应注册资本 81.4159 万
元)分别以 1,961.7000 万元和 2,300.0000 万元的价格转让给天蝉投资和智禹淼森,全
体股东就前述变更签署新的公司章程。
  苏州中和与天蝉投资、智禹淼森就上述股权转让事宜签署了《股权转让协议》。
照》。
  本次股权转让完成后,东微有限的股东及股权结构如下所示:
 序号          股东姓名/名称              出资额(万元)         出资比例(%)
苏州东微半导体股份有限公司                                        招股意向书
 序号          股东姓名/名称              出资额(万元)         出资比例(%)
            合 计                      4,425.1430       100.0000
注:上表的出资额合计数与本招股意向书中所列出的数据存在差异,系为四舍五入所致
第 3003 号”《资产评估报告》。该评估结果已完成国有资产评估项目备案,并由国有
资产监督管理机构出具《国有资产评估项目备案表》。
东微有限投资 7,530.0000 万元,其中 333.0752 万元计入注册资本,剩余投资款计入资
本公积。
  同日,东微有限股东作出股东会决议,同意将东微有限的注册资本由 4,425.143 万
元增加至 4,758.2182 万元,新增注册资本由哈勃投资认缴,全体股东就该等变更签署
新的公司章程。
照》。
苏州东微半导体股份有限公司                                          招股意向书
  本次增资完成后,东微有限的股东及股权结构如下所示:
  序号        股东姓名/名称              出资额(万元)             出资比例(%)
          合计                          4,758.2182         100.0000
  公司整体变更为股份有限公司的具体情况请参见本招股意向书“第五节 发行人基
本情况 / 二、发行人设立及股本和股东变化情况 / (二)股份有限公司设立情况”。
海烨旻分别签署《苏州东微半导体股份有限公司定向发行股份之股份认购协议》。根
据认购协议,国策投资、智禹东微、丰辉投资、中新创投及上海烨旻合计向东微半导
体增资 15,500.0000 万元,认购东微半导体新增股份 295.0093 万股。其中,国策投资
出 资 6,000.0000 万元,认购东微半导体新增股份 114.1972 万股;智禹东微出资
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
万元,认购东微半导体新增股份 47.5821 万股;中新创投出资 1,000.0000 万元,认购
东微半导体新增股份 19.0328 万股;上海烨旻出资 500.0000 万元,认购东微半导体新
增股份 9.5164 万股。
〔2020〕第 2111 号”《资产评估报告》。该评估结果已提交苏州工业园区国有资产监
督管理办公室进行备案,并取得了《国有资产评估项目备案表》。
事宜、同意将公司注册资本由 4,758.2182 万元增加至 5,053.2275 万元并同意全体股东
就该等变更签署新的公司章程。
   本次增资完成后,东微半导体的股东与股本结构如下所示:
 序号              股东姓名/名称            持股数量(万股)        持股比例(%)
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
 序号             股东姓名/名称            持股数量(万股)         持股比例(%)
            合计                         5,053.2275       100.0000
注:上表的持股比例合计数与各分项数值相加之和在尾数上存在差异,系为四舍五入所致
(四)报告期内的重大资产重组情况
  报告期内,发行人不存在重大资产重组情况。
(五)公司在其他证券市场的上市、挂牌情况
  截至 2021 年 11 月 12 日,发行人未在其他证券市场上市或挂牌。
三、发行人股权结构
(一)发行人股权结构
  截至 2021 年 11 月 12 日,公司的股权结构如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                 招股意向书
  注 1:王鹏飞及龚轶为公司共同实际控制人,王鹏飞持有苏州高维 49.6404%出资额,并担任
其执行事务合伙人;龚轶持有得数聚才 21.8520%出资额,并担任其执行事务合伙人
  注 2:卢万松及王绍泽为公司实际控制人王鹏飞和龚轶的一致行动人
  注 3:上图的持股比例合计数与各分项数值相加之和在尾数上存在差异,系为四舍五入所致
(二)发行人内部组织结构图
  截至 2021 年 11 月 12 日,公司的内部组织结构图如下:
(三)发行人全体股东私募投资基金备案情况
  截至 2021 年 11 月 12 日,发行人股东中,原点创投、中新创投、聚源聚芯、中小
企业发展基金、智禹博信、智禹博弘、智禹淼森、智禹东微、国策投资、天蝉投资、
丰辉投资属于《中华人民共和国证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》
《私募投资基金管理人登记和基金备案办法(试行)》规定的私募投资基金。上述私
募投资基金均已在中国证券投资基金业协会进行了私募投资基金备案、纳入监管,具
体情况如下所示:
 股东名称                            基金管理人
         基金编号      基金类型   基金管理人名称         基金管理人机构类型
(基金名称)                            登记编号
                         苏州元禾控股股          私募股权、创业投资
 原点创投    SD1753   创业投资基金         P1000721
                          份有限公司             基金管理人
                         苏州元禾控股股          私募股权、创业投资
 中新创投    SD1795   创业投资基金         P1000721
                          份有限公司             基金管理人
                         中芯聚源股权投
                                          私募股权、创业投资
 聚源聚芯    SL9155   股权投资基金 资管理(上海) P1003853
                                            基金管理人
                           有限公司
中小企业发展                   深圳国中创业投          私募股权、创业投资
         SR2284   创业投资基金         P1060025
  基金                     资管理有限公司            基金管理人
苏州东微半导体股份有限公司                                                  招股意向书
 股东名称                                           基金管理人
          基金编号           基金类型        基金管理人名称          基金管理人机构类型
(基金名称)                                           登记编号
                                     苏州丛蓉投资管
                                                           私募股权、创业投资
 智禹博信      SR2891     创业投资基金         理合伙企业(有    P1023548
                                                             基金管理人
                                       限合伙)
                                     苏州丛蓉投资管
                                                           私募股权、创业投资
 智禹博弘      SEP330     创业投资基金         理合伙企业(有    P1023548
                                                             基金管理人
                                       限合伙)
                                     苏州丛蓉投资管
                                                           私募股权、创业投资
 智禹淼森      SJL315     创业投资基金         理合伙企业(有    P1023548
                                                             基金管理人
                                       限合伙)
                                     苏州丛蓉投资管
                                                           私募股权、创业投资
 智禹东微      SNK001     创业投资基金         理合伙企业(有    P1023548
                                                             基金管理人
                                       限合伙)
                                     上海国策投资管               私募股权、创业投资
 国策投资      SJV799     股权投资基金                    P1071195
                                      理有限公司                  基金管理人
                                     苏州永鑫方舟股
                                     权投资管理合伙               私募股权、创业投资
 天蝉投资      SEZ885     股权投资基金                    P1017017
                                      企业(普通合                 基金管理人
                                        伙)
                                     上海丰实股权投               私募股权、创业投资
 丰辉投资      SNH168     创业投资基金                    P1001078
                                     资管理有限公司                 基金管理人
四、发行人控股、参股公司、分公司情况
  截至 2021 年 6 月 30 日,发行人拥有 2 家子公司和 2 家分公司,不存在参股公司,
具体情况如下:
(一)子公司
     项目                                       基本情况
    公司名称            广州动能半导体有限公司
    成立时间            2018 年 2 月 1 日
    注册资本            2,000.0000 万元
    实收资本            0元
    法定代表人           卢万松
     住所             广州市黄埔区科学城科学大道 18 号 A 栋 623 单元
  主要生产经营地           不从事实际生产经营活动
    股东构成            发行人持有 100%股权
                    半导体分立器件制造;集成电路制造;集成电路设计;集成电路布图
    经营范围
                    设计代理服务;电子产品批发;电子产品零售;电子产品设计服务;
苏州东微半导体股份有限公司                                                         招股意向书
                         货物进出口(专营专控商品除外);技术进出口;电力电子元器件制
                         造;电子元器件批发;电子元器件零售
主营业务及与发行人主营
            不从事实际生产经营活动
   业务的关系
   截至 2021 年 11 月 12 日,广州动能半导体有限公司尚未开始经营,暂无财务数据。
         项目                                          基本情况
       公司名称              香港赛普锐思有限公司
       成立时间              2014 年 5 月 26 日
        总股本              2,600,000 股
       实收资本              2,600,000 港元
         住所              香港湾仔卢押道 18 号海德中心 16 楼 D 座
    主要生产经营地              不从事实际生产经营活动
       股东构成              发行人持有 100%股权
主营业务及与发行人主营
            不从事实际生产经营活动
   业务的关系
                           最近一年主要财务数据(单位:元)
         日期                      总资产                  净资产            净利润
注:上述财务数据已经天健审计
(二)分公司
         项目                                          基本情况
       公司名称              苏州东微半导体股份有限公司上海分公司
       成立时间              2019 年 10 月 11 日
        负责人              龚轶
         住所              上海市松江区泗泾镇文化路 298 号
                         一般项目:半导体技术、电子科技领域内的技术开发、技术咨询、技
                         术转让、技术服务;集成电路芯片设计及服务;半导体设备及耗材、
                         集成电路芯片、电子产品、电子元器件销售。(除依法须经批准的项
       经营范围
                         目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
                         许可项目:货物进出口、技术进出口。(依法须经批准的项目,经相
                         关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件
苏州东微半导体股份有限公司                                     招股意向书
                或许可证件为准)
       项目                                  基本情况
      公司名称      苏州东微半导体股份有限公司深圳分公司
      成立时间      2019 年 3 月 29 日
       负责人      卢万松
                深圳市南山区西丽街道松坪山社区乌石头路 8 号天明科技大厦 12 楼
       住所
                半导体器件、集成电路、芯片、半导体耗材、电子产品的设计、开发、
      经营范围      销售、技术咨询和技术服务;经营进出口业务。(法律、行政法规、国
                务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)
五、主要股东及实际控制人的基本情况
(一)控股股东、实际控制人情况
  本次发行前,公司股份及表决权分散,且公司任何单一股东所持表决权均未超过
响。
  综上所述,截至 2021 年 11 月 12 日,公司不存在控股股东。
  公司的实际控制人为王鹏飞及龚轶,即二者为公司的共同控制人。
  王鹏飞及龚轶系公司的联合创始人,于 2008 年 9 月 12 日共同出资设立发行人前
身东微有限。两人与其一致行动人卢万松及王绍泽于 2016 年 12 月 15 日签署《关于苏
州东微半导体有限公司之一致行动协议》,约定卢万松及王绍泽就公司的经营管理和
决策事项与实际控制人王鹏飞及龚轶保持一致行动。
  截至 2021 年 11 月 12 日,王鹏飞直接持有公司 16.0872%股份,并通过作为苏州
高维的执行事务合伙人间接控制本公司 4.4268%股份;龚轶直接持有公司 13.2791%股
份,并通过作为得数聚才的执行事务合伙人间接控制本公司 2.8177%股份;王鹏飞和
龚轶的一致行动人卢万松及王绍泽分别直接持有公司 4.7226%股份、2.1768%股份。因
苏州东微半导体股份有限公司                                     招股意向书
此,王鹏飞和龚轶直接或间接控制及通过一致行动安排合计共同控制了公司 43.5102%
股份,系本公司的实际控制人。
  龚轶先生,1976 年 6 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,身份证号码为
身份证号码为 330321197602******。公司共同实际控制人龚轶先生和王鹏飞先生的简
历情况参见本招股意向书“第五节 发行人基本情况 / 七、董事、监事、高级管理人员
与核心技术人员 / (一)董事、监事、高级管理人员与核心技术人员简介 / 1、董事”。
(二)控股股东和实际控制人控制的其他企业
  截至 2021 年 11 月 12 日,除发行人及其子公司外,发行人实际控制人王鹏飞及龚
轶直接或间接控制的企业为苏州高维及得数聚才。
  (1)基本情况
     项目                                    基本情况
    公司名称        苏州工业园区高维企业管理合伙企业(有限合伙)
    成立时间        2016 年 9 月 27 日
  执行事务合伙人       王鹏飞
     住所         苏州工业园区金鸡湖大道 99 号苏州纳米城中北区 23 幢 214 室
                企业管理服务、企业管理咨询。(依法须经批准的项目,经相关部门
    经营范围
                批准后方可开展经营活动)
  (1)基本情况
     项目                                    基本情况
    公司名称        苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业(有限合伙)
    成立时间        2016 年 9 月 27 日
  执行事务合伙人       龚轶
     住所         苏州工业园区金鸡湖大道 99 号苏州纳米城中北区 23 幢 214 室
                企业管理服务、企业管理咨询。(依法须经批准的项目,经相关部门
    经营范围
                批准后方可开展经营活动)
苏州东微半导体股份有限公司                                      招股意向书
(三)控股股东和实际控制人直接或间接持有的公司股份质押或其他有争议的情况
     截至 2021 年 11 月 12 日,发行人实际控制人直接或间接持有发行人的股份不存在
质押或其他有争议的情况。
(四)其他持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本情况
     截至 2021 年 11 月 12 日,除公司实际控制人外,直接持有公司 5%以上股份的主
要股东包括:中新创投直接持有公司 7.1248%股份并通过原点创投间接持有公司
此外,智禹博信、智禹淼森、智禹博弘以及智禹东微的私募基金管理人均为苏州丛蓉
投资管理合伙企业(有限合伙),因此需合并计算其持有公司的权益。该等主要股东
的基本情况如下:
     截至 2021 年 11 月 12 日,中新创投的基本情况如下:
        项目                                  基本情况
公司名称            中新苏州工业园区创业投资有限公司
成立时间            2001 年 11 月 28 日
注册资本            173,000.0000 万元
法定代表人           刘澄伟
住所              苏州工业园区苏虹东路 183 号东沙湖股权投资中心 19 楼 2 层 235 室
主要生产经营地         苏州市
                高新技术企业的直接投资,相关产业的创业投资基金和创业投资管理
                公司的发起与管理;企业收购、兼并、重组、上市策划,企业管理咨
主营业务和经营范围
                询;国际经济技术交流及其相关业务;主营业务以外的其他项目投
                资。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务与发行人主营业
                无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,中新创投由苏州元禾控股股份有限公司持有 100%的股
权。
金类型为创业投资基金,管理人为苏州元禾控股股份有限公司,登记编号为 P1000721。
苏州东微半导体股份有限公司                                                 招股意向书
     截至 2021 年 11 月 12 日,原点创投的基本情况如下:
公司名称             苏州工业园区原点创业投资有限公司
成立时间             2008 年 3 月 26 日
注册资本             10,000.0000 万元
法定代表人            刘澄伟
住所               苏州工业园区苏虹东路 183 号东沙湖股权投资中心 19 幢 2 楼 238 室
主要生产经营地          苏州市
                 创业投资业务;代理其他创业投资企业等机构或个人的创业投资业
                 务;创业投资咨询业务;为创业企业提供创业管理服务业务;参与设
主营业务和经营范围
                 立创业投资企业与创业投资管理顾问机构。(依法须经批准的项目,
                 经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务与发行人主营业
                 无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,中新创投持有原点创投 100%的股权。
金类型为创业投资基金,管理人为苏州元禾控股股份有限公司,登记编号为 P1000721。
     截至 2021 年 11 月 12 日,聚源聚芯的基本情况如下:
        项目                                   基本情况
公司名称             上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心(有限合伙)
成立时间             2016 年 6 月 27 日
执行事务合伙人          上海肇芯投资管理中心(有限合伙)
住所               中国(上海)自由贸易试验区张东路 1388 号 17 幢 101 室 201 号
主要生产经营地          上海市
                 股权投资,投资管理,投资咨询。(依法须经批准的项目,经相关部
主营业务和经营范围
                 门批准后方可开展经营活动)
主营业务与发行人主营业
                 无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,聚源聚芯的出资人及出资比例如下:
                                                              出资比例
序号            合伙人姓名/名称                      合伙人类型   出资额(万元)
                                                               (%)
苏州东微半导体股份有限公司                                                         招股意向书
                                                                      出资比例
序号             合伙人姓名/名称                       合伙人类型   出资额(万元)
                                                                       (%)
                    合 计                                221,275.0000    100.0000
金类型为股权投资基金,管理人为中芯聚源股权投资管理(上海)有限公司,登记编
号为 P1003853。
     截至 2021 年 11 月 12 日,哈勃投资的基本情况如下:
        项目                                     基本情况
公司名称              哈勃科技创业投资有限公司
成立时间              2019 年 4 月 23 日
注册资本              300,000.0000 万元
法定代表人             白熠
住所                深圳市福田区福田街道福安社区福华一路 123 号中国人寿大厦 23 楼
主要生产经营地           深圳市
                  创业投资业务(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制
主营业务和经营范围
                  的项目须取得许可后方可经营)
主营业务与发行人主营业
                  无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,哈勃投资由华为投资控股有限公司持有 100%的股权。
     (1)智禹博信
     截至 2021 年 11 月 12 日,智禹博信的基本情况如下:
        项目                                     基本情况
公司名称              苏州工业园区智禹博信投资合伙企业(有限合伙)
成立时间              2016 年 11 月 25 日
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
         项目                          基本情况
执行事务合伙人           苏州迎帆企业管理合伙企业(普通合伙)
住所                苏州工业园区虹东路 183 号东沙湖基金小镇 8 幢 203 室
主要生产经营地           苏州市
                  创业投资、实业投资。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法
主营业务和经营范围
                  自主开展经营活动)
主营业务与发行人主营业
                  无关
务的关系
      截至 2021 年 11 月 12 日,智禹博信的出资人及出资比例如下:
序号            合伙人姓名/名称       合伙人类型    出资额(万元)            出资比例(%)
         苏州迎帆企业管理合伙企业
            (普通合伙)
                  合 计                       1,655.0000      100.0000
类型为创业投资基金,管理人为苏州丛蓉投资管理合伙企业(有限合伙),登记编号
为 P1023548。
      (2)智禹淼森
      截至 2021 年 11 月 12 日,智禹淼森的基本情况如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
        项目                                   基本情况
公司名称              苏州智禹淼森半导体产业投资合伙企业(有限合伙)
成立时间              2019 年 12 月 3 日
执行事务合伙人           苏州丛蓉智禹投资管理合伙企业(普通合伙)
                  中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路 183 号
住所
                  基金小镇 8 号楼 203 室
主要生产经营地           苏州市
                  半导体产业投资,创业投资。(除依法须经批准的项目外,凭营业执
主营业务和经营范围
                  照依法自主开展经营活动)
主营业务与发行人主营业
                  无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,智禹淼森的出资人及出资比例如下:
序号            合伙人姓名/名称              合伙人类型     出资额(万元)            出资比例(%)
       苏州丛蓉智禹投资管理合伙企业
           (普通合伙)
                  合 计                               2,350.0000      100.0000
类型为创业投资基金,管理人为苏州丛蓉投资管理合伙企业(有限合伙),登记编号
为 P1023548。
     (3)智禹博弘
     截至 2021 年 11 月 12 日,智禹博弘的基本情况如下:
        项目                                   基本情况
公司名称              苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业(有限合伙)
成立时间              2018 年 7 月 25 日
执行事务合伙人           苏州丛蓉智禹投资管理合伙企业(普通合伙)
住所                苏州工业园区虹东路 183 号东沙湖基金小镇 8 幢 203 室
主要生产经营地           苏州市
                  创业投资、实业投资。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法
主营业务和经营范围
                  自主开展经营活动)
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
        项目                                   基本情况
主营业务与发行人主营业
                 无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,智禹博弘的出资人及出资比例如下:
序号           合伙人姓名/名称               合伙人类型     出资额(万元)            出资比例(%)
      苏州丛蓉智禹投资管理合伙企业(普
            通合伙)
      苏州智启锐企业管理合伙企业(普通
            合伙)
                 合 计                            10,000.0000         100.0000
金类型为创业投资基金,管理人为苏州丛蓉投资管理合伙企业(有限合伙),登记编
号为 P1023548。
     (4)智禹东微
     截至 2021 年 11 月 12 日,智禹东微的基本情况如下:
        项目                                   基本情况
公司名称             苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业(有限合伙)
成立时间             2020 年 11 月 23 日
执行事务合伙人          苏州丛蓉智禹投资管理合伙企业(普通合伙)
                 中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路 183 号
住所
                 东沙湖基金小镇 8 幢 304 室
主要生产经营地          苏州市
                 一般项目:创业投资(限投资未上市企业)(除依法须经批准的项目
主营业务和经营范围
                 外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
主营业务与发行人主营业
                 无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,智禹东微的出资人及出资比例如下:
序号           合伙人姓名/名称               合伙人类型     出资额(万元)            出资比例(%)
      苏州丛蓉智禹投资管理合伙企业(普
            通合伙)
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
序号          合伙人姓名/名称        合伙人类型       出资额(万元)              出资比例(%)
       东莞长劲石股权投资合伙企业(有限
             合伙)
                    合 计                       5,600.0000            100.0000
金类型为创业投资基金,管理人为苏州丛蓉投资管理合伙企业(有限合伙),登记编
号为 P1023548。
六、发行人股本有关情况
(一)本次发行前后发行人股本情况
      本次发行前,公司的总股本为 5,053.2275 万股,本次发行的股票数量占公司发行
后总股本的比例为 25%,不涉及股东公开发售股份。公司本次发行前后股本结构如下:
                          本次发行前股本结构                  本次发行后股本结构
 序号       股东姓名/名称         持股数量         持股比例         持股数量           持股比例
                          (万股)          (%)         (万股)            (%)
苏州东微半导体股份有限公司                                                             招股意向书
                           本次发行前股本结构                     本次发行后股本结构
序号         股东姓名/名称         持股数量           持股比例           持股数量             持股比例
                           (万股)            (%)           (万股)              (%)
           合计               5,053.2275     100.0000        6,737.6367      100.0000
注:上表的持股比例合计数与各分项数值相加之和在尾数上存在差异,系为四舍五入所致。
(二)发行人前十名股东持股情况
  截至 2021 年 11 月 12 日,发行人前十名股东持股情况如下:
  序号            股东姓名/名称               持股数量(万股)                    持股比例(%)
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
(三)发行人前十名自然人股东及其在发行人处担任职务的情况
    截至 2021 年 11 月 12 日,发行人共有 4 名自然人股东,其持有的发行人股份情况
及在发行人处的任职情况如下:
 股东姓名/名称     持股数量(万股)          直接持股比例(%)              在发行人处担任的职务
    王鹏飞             812.9229              16.0872         董事兼首席技术官
    龚轶              671.0248              13.2791         董事长兼总经理
    卢万松             238.6460               4.7226         董事兼副总经理
    王绍泽             110.0000               2.1768            无任职
(四)发行人股本中的国有股份及外资股份情况
    截至 2021 年 11 月 12 日,发行人的国有股东为原点创投及中新创投,分别持有发
行人 767.2500 万股和 360.0328 万股。截至 2021 年 11 月 12 日,原点创投及中新创投
的实际控制人系苏州工业园区经济发展有限公司,其持有的公司股份为国有股权。
苏州东微半导体股份有限公司国有股东标识管理事项的批复》(苏国资复[2021]39
号),东微半导体如在境内发行股票并上市,原点创投、中新创投在中国证券登记结
算有限责任公司登记的证券账户标注“SS”。
    截至 2021 年 11 月 12 日,发行人现有股东不涉及外资股东。
(五)最近一年发行人新增股东情况
    因看好发行人发展前景,哈勃投资、国策投资、智禹东微、丰辉投资及上海烨旻,
于最近一年内取得了发行人股权并成为了发行人新增股东,该等新增股东的入股时间、
入股方式、入股原因、入股数量、入股价格及定价依据如下表所示:
序   新增股东                                      入股数量
           入股时间 入股方式            入股原因                      入股价格     定价依据
号    名称                                       (万股)
苏州东微半导体股份有限公司                                                     招股意向书
                                来成长性                            价格协商确定
                            看好发行人所处                                 基于发行人发
                              来成长性                                  价格协商确定
                            看好发行人所处                                 基于发行人发
                              来成长性                                  价格协商确定
                            看好发行人所处                                 基于发行人发
                              来成长性                                  价格协商确定
                            看好发行人所处                                 基于发行人发
                              来成长性                                  价格协商确定
     除上述增资扩股形成的新增股东外,因看好发行人所处行业及发行人未来成长性,
发行人原股东中新创投于 2020 年 12 月出资 1,000 万元认缴发行人新增股份 19.0328 万
股,入股价格为 52.54 元/股,基于发行人发展情况与市场价格协商确定。
     (1)哈勃投资
     请参见本招股意向书“第五节 发行人基本情况 / 五、主要股东及实际控制人的基
本情况 / (四)其他持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本情况”。
     (2)国策投资
     截至 2021 年 11 月 12 日,国策投资的基本情况如下:
        项目                                   基本情况
公司名称              上海国策科技制造股权投资基金合伙企业(有限合伙)
成立时间              2019 年 4 月 24 日
执行事务合伙人           上海国策投资管理有限公司
住所                上海市松江区洞泾镇长兴路 688 号 1 幢 601 室
主要生产经营地           上海市
                  股权投资,实业投资。投资管理,资产管理,投资咨询。(依法须经
主营业务和经营范围
                  批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务与发行人主营业
                  无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,国策投资的出资人及出资比例如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
序号            合伙人姓名/名称              合伙人类型     出资额(万元)            出资比例(%)
         上海寰蔚企业管理合伙企业
            (有限合伙)
       上海临港经济发展集团投资管理有限
              公司
       上海临港智兆股权投资基金合伙企业
            (有限合伙)
       上海国方母基金一期创业投资合伙企
           业(有限合伙)
       上海二三四五网络控股集团股份有限
              公司
       上海国方母基金二期创业投资合伙企
           业(有限合伙)
       上海长三角产业升级股权投资合伙企
           业(有限合伙)
                  合 计                           75,000.0000         100.0000
金类型为股权投资基金,管理人为上海国策投资管理有限公司,登记编号为 P1071195。
      截至 2021 年 11 月 12 日,国策投资执行事务合伙人上海国策投资管理有限公司的
基本情况如下:
         项目                                  基本情况
公司名称              上海国策投资管理有限公司
成立时间              2018 年 4 月 16 日
法定代表人             陆咨烨
注册资本              6,500 万元
                  中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路 888 号 A 楼 549
住所
                  室
苏州东微半导体股份有限公司                                            招股意向书
        项目                                  基本情况
                 投资管理、股权投资管理、投资咨询、资产管理。[依法须经批准的项
主营业务和经营范围
                 目外,经相关部门批准后开展经营活动]
     (3)智禹东微
     请参见本招股意向书“第五节 发行人基本情况 / 五、主要股东及实际控制人的基
本情况 / (四)其他持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东的基本情况”。
     截至 2021 年 11 月 12 日,智禹东微执行事务合伙人苏州丛蓉投资管理合伙企业
(有限合伙)的基本情况如下:
        项目                                  基本情况
公司名称             苏州丛蓉投资管理合伙企业(有限合伙)
成立时间             2015 年 6 月 11 日
执行事务合伙人          苏州丛蓉创业投资有限公司
住所               苏州工业园区若水路 388 号 B 栋 1 楼
                 投资管理、投资咨询。(依法须经批准的项目外,经相关部门批准后
主营业务和经营范围
                 开展经营活动)
     (4)丰辉投资
     截至 2021 年 11 月 12 日,丰辉投资的基本情况如下:
        项目                                  基本情况
公司名称             宁波丰辉投资管理合伙企业(有限合伙)
成立时间             2018 年 2 月 1 日
执行事务合伙人          上海丰实股权投资管理有限公司
住所               浙江省宁波市北仓区梅山七星路 88 号 1 幢 401 室 A 区 H1031
主要生产经营地          宁波市
                 投资管理、资产管理、投资咨询(未经金融等监管部门批准不得从事
主营业务和经营范围        吸收存款、融资担保、代客理财、向社会公众集(融)资等金融业
                 务)
主营业务与发行人主营业
                 无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,丰辉投资的出资人及出资比例如下:
序号           合伙人姓名/名称              合伙人类型     出资额(万元)   出资比例(%)
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
序号            合伙人姓名/名称              合伙人类型     出资额(万元)            出资比例(%)
                  合 计                                2,555.000      100.0000
金类型为创业投资基金,管理人为上海丰实股权投资管理有限公司,登记编号为
P1001078。
      截至 2021 年 11 月 12 日,丰辉投资执行事务合伙人上海丰实股权投资管理有限公
司的基本情况如下:
         项目                                  基本情况
公司名称              上海丰实股权投资管理有限公司
成立时间              2013 年 6 月 20 日
法定代表人             卢长祺
注册资本              10,000 万元
住所                上海市浦东新区樱花路 291 号 223 室
                  股权投资管理,投资管理,投资咨询,企业管理咨询。(依法须经批
主营业务和经营范围
                  准的项目外,经相关部门批准后开展经营活动)
      (5)上海烨旻
      截至 2021 年 11 月 12 日,上海烨旻的基本情况如下:
         项目                                  基本情况
公司名称              上海烨旻企业管理中心(有限合伙)
成立时间              2020 年 12 月 9 日
执行事务合伙人           刘同
住所                中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路 888 号 C 楼
主要生产经营地           上海市
                  一般项目:企业管理;企业管理咨询;市场营销策划;信息咨询服务
主营业务和经营范围
                  (不含许可类信息咨询服务);会议及展览服务;品牌管理。(除依
苏州东微半导体股份有限公司                                                         招股意向书
        项目                                       基本情况
                 法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
主营业务与发行人主营业
                 无关
务的关系
     截至 2021 年 11 月 12 日,上海烨旻的出资人及出资比例如下:
序号           合伙人姓名/名称              合伙人类型              出资额(万元)       出资比例(%)
                 合 计                                     500.0000      100.0000
     截至 2021 年 11 月 12 日,上述新增股东与发行人董事、监事及高级管理人员及本
次发行的中介机构及其负责人、高级管理人员、经办人员均不存在关联关系,新增股
东亦不存在股份代持情形。新增股东与本次发行前其他股东的关联关系详见本节“六、
发行人股本有关情况 / (六)本次发行前各股东间的关联关系及关联股东的各自持股
比例”。
(六)本次发行前各股东间的关联关系及关联股东的各自持股比例
     截至 2021 年 11 月 12 日,公司各股东之间的关联关系情况具体如下:
序号     股东名称    持股数量(万股)           持股比例(%)                各股东间的关联关系
       王鹏飞             812.9229             16.0872 王鹏飞与龚轶系公司共同实际控制
        龚轶             671.0248             13.2791 人,苏州高维系王鹏飞控制的企
                                                    业,得数聚才系龚轶控制的企业
       卢万松             238.6460              4.7226
       王绍泽             110.0000              2.1768 卢万松及王绍泽系共同实际控制人
                                                    王鹏飞与龚轶的一致行动人
       苏州高维            223.6960              4.4268
       得数聚才            142.3840              2.8177 王绍泽系王鹏飞的堂叔
       中新创投            360.0328              7.1248 中新创投及原点创投同为苏州工业
                                                    园区经济发展有限公司控制的企业
       原点创投            767.2500             15.1834
                                                      原点创投系中新创投的全资子公司
       智禹博信            151.1243              2.9906 智禹博信、智禹淼森、智禹东微及
       智禹淼森             81.4159              1.6112 智禹博弘的基金管理人均为苏州丛
苏州东微半导体股份有限公司                                               招股意向书
序号     股东名称   持股数量(万股)       持股比例(%)            各股东间的关联关系
       智禹东微       104.6808             2.0716 蓉投资管理合伙企业(有限合
                                              伙)。此外,智禹嘉通系得数聚才
       智禹博弘        33.6311             0.6655 的有限合伙人,持有得数聚才
       得数聚才       142.3840             2.8177 基金管理人为苏州丛蓉投资管理合
                                              伙企业(有限合伙)
       丰辉投资        47.5821             0.9416 丰辉投资与丰熠投资的实际控制人
       丰熠投资        28.3209             0.5605 均为卢长祺
       国策投资       114.1972             2.2599 上海烨旻的执行事务合伙人刘同系
       上海烨旻         9.5164             0.1883 投资管理有限公司之董事
(七)股东协议及股东特殊权利解除情况
才、苏州高维、原点创投、中新创投、聚源聚芯、丰熠投资、中小企业发展基金、智
禹博信、智禹博弘、天蝉投资、智禹淼森签署了《苏州东微半导体有限公司之股东协
议》(以下简称“《股东协议》”),其中《股东协议》第三条至第十一条、第十三
条至第十四条、第十八条约定了原股东及哈勃投资的特殊权利,主要包括股东会重大
事项否决权、董事会重大事项否决权、优先购买权、共同出售权、关于竞业限制的特
殊约定、反稀释权、优先清算权、最惠国待遇、信息权与检查权等。
烨旻签署了《苏州东微半导体有限公司股东协议之补充协议》(以下简称“《补充协
议一》”),其中《补充协议一》第二条约定了新增股东与前述各方享有股东协议中
一般股东权利,以及优先购买权、优先认购权、优先清算权、优先分红权及信息权与
检查权等股东权利,但不享有原投资人和哈勃投资于股东协议项下的特殊权利(包括
但不限于哈勃投资在公司股东会和董事会的一票否决权)。
     发行人及其股东于 2021 年 4 月 5 日签署了《关于苏州东微半导体有限公司股东协
议之补充协议二》(以下简称“《补充协议二》”),主要内容如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                                招股意向书
      协议                               主要约定
               第一条 为确保公司股权结构与控制权清晰、稳定,公司治理与信息披露合
               法、合规,并符合中国证券监督管理委员会、证券交易所及其他主管机
               关、监管机构与审核机构关于申请首次公开发行股票并上市的审核注册要
               求,各方同意并确认:《股东协议》第三条至第十一条、第十三条至第十
               四条、第十八条,《补充协议一》第二条,以及上述协议项下其他可能严
               重影响发行人持续经营能力或者其他严重影响投资者权益的条款自本补充
               协议生效之日起终止并丧失效力,与前述条款相关的一切权利义务一并消
 《补充协议二》
               灭。公司全体股东同股同权、同股同利,按照相关法律法规及公司章程规
               定以其所持公司股份平等地享有股东权利、履行股东义务。截止本协议签
               署日,公司及其他股东间不存在其他对赌协议(估值调整约定)或类似安
               排。
               第三条 截至本补充协议签署日,各方均无违反《股东协议》及《补充协议
               一》的情形,并对《股东协议》及《补充协议一》等相关协议的签署及履
               行无任何异议、争议或纠纷。
  综上所述,发行人及其股东签署的股东协议中涉及股东特殊权利的条款已彻底终
止,发行人不会作为相关权利的当事人或义务方,股东协议中不存在可能导致公司控
制权发生变化、与公司市值挂钩、影响发行人持续经营能力或者其他影响投资者权益
的条款,发行人股东之间的对赌条款及清理情况符合《上海证券交易所科创板股票发
行上市审核问答(二)》的相关规定。
七、董事、监事、高级管理人员与核心技术人员
(一)董事、监事、高级管理人员与核心技术人员简介
  公司董事会现由 9 名董事组成,其中独立董事 3 名,全体董事均由公司股东大会
选举产生。董事任期为三年,任期届满,可连选连任,独立董事连任时间不得超过 6
年。
  截至 2021 年 11 月 12 日,本公司董事会成员情况如下表所示:
 姓名          职位                       任期                    提名人
                                                          龚轶和王鹏飞共同
 龚轶        董事长兼总经理   2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
                                                             提名
                                                          龚轶和王鹏飞共同
王鹏飞     董事兼首席技术官     2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
                                                             提名
                                                          龚轶和王鹏飞共同
卢万松        董事兼副总经理   2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
                                                             提名
苏州东微半导体股份有限公司                                                  招股意向书
 姓名          职位                         任期                    提名人
                                                            原点创投及中新创
 金光杰         董事        2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
                                                              投共同提名
 吴昆红         董事        2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日     哈勃投资
                                                            龚轶和王鹏飞共同
 李麟     董事兼董事会秘书       2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
                                                               提名
                                                            龚轶和王鹏飞共同
 郭龙华       独立董事        2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
                                                               提名
                                                            龚轶和王鹏飞共同
 毕嘉露       独立董事        2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
                                                               提名
                                                            龚轶和王鹏飞共同
 卢红亮       独立董事        2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
                                                               提名
   龚轶先生,1976 年 6 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
硕士毕业于英国纽卡斯尔大学。1999 年 7 月至 2003 年 4 月,担任美国超微半导体公司
工程部工程师;2004 年 9 月至 2007 年 12 月,担任德国英飞凌科技汽车电子与芯片卡
部门技术专家;2008 年 9 月,与王鹏飞共同创办东微有限,历任东微有限董事长、总
经理等;2020 年 11 月至今,担任东微半导体董事长兼总经理。
   王鹏飞先生,1976 年 2 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士学历。博士
毕业于德国慕尼黑工业大学。2004 年 7 月至 2006 年 4 月,担任德国英飞凌科技存储器
研 发 中 心 研 发 工 程 师 ; 2006 年 5 月 至 2007 年 12 月 , 担 任 德 国 奇 梦 达 公 司
(QimondaAG)技术创新和集成部门研发工程师;2009 年 7 月至 2021 年 3 月,担任
复旦大学微电子学院教授;2008 年 9 月,与龚轶共同创办东微有限,历任东微有限董
事长、董事等;2020 年 11 月至今,担任东微半导体董事;2021 年 4 月至今,担任东
微半导体首席技术官。
   卢万松先生,1975 年 3 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
硕士毕业于上海交通大学安泰管理学院。2003 年 6 月至 2005 年 7 月,担任泰瑞达(上
海)有限公司采购部采购经理;2005 年 8 月至 2010 年 6 月,担任施耐德自动化控制系
统(上海)有限公司采购部采购经理;2010 年 7 月至 2015 年 9 月,担任霍尼韦尔(中
国)有限公司采购部全球采购经理;2016 年 4 月,受聘为东微有限的公司顾问;2017
年 3 月至 2020 年 11 月,担任东微有限董事;2020 年 11 月至今,担任东微半导体董事、
副总经理。
苏州东微半导体股份有限公司                                  招股意向书
  金光杰先生,1986 年 3 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
硕士毕业于东南大学信息科学与工程学院。2012 年 4 月至 2017 年 3 月,担任旺宏微电
子(苏州)有限公司研发一部主任工程师;2017 年 3 月至今,担任苏州元禾控股股份
有限公司直接投资部高级投资经理;现担任中科威发半导体(苏州)有限公司董事,
苏州慧闻纳米科技有限公司董事,苏州英磁新能源科技有限公司董事,苏州登堡电子
科技有限公司董事,苏州磁明科技有限公司董事,苏州博纳讯动软件有限公司董事,
苏州园芯微电子技术有限公司董事兼总经理,苏州睿芯集成电路科技有限公司董事;
体董事。
  吴昆红先生,1966 年 6 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
硕士毕业于华中理工大学(现华中科技大学)。1991 年 7 月至 1993 年 6 月,担任华中
理工大学助教;1993 年 7 月至今,在华为技术有限公司任职,现担任高级副总裁。现
担任山东天岳先进科技股份有限公司董事,杰华特微电子股份有限公司董事,庆虹电
子(苏州)有限公司董事,苏州裕太微电子有限公司董事及新港海岸(北京)科技有
限公司董事;2020 年 4 月至 2020 年 11 月,担任东微有限董事;2020 年 11 月至今,
担任东微半导体董事。
  李麟女士,1981 年 8 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,本科毕
业于苏州大学。2002 年 6 月至 2006 年 6 月,担任藏持电子(苏州)有限公司(现更名
为“雅玛札崎(苏州)精密冲压有限公司”)模具部翻译/检测组长;2006 年 6 月至
年 6 月加入东微有限并担任行政经理;2020 年 11 月至今,担任东微半导体董事、董事
会秘书。
  郭龙华先生,1976 年 12 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,本
科毕业于兰州大学。现担任苏州万隆永鼎会计师事务所所长,同程控股集团股份有限
公司独立董事,苏州琼派瑞特科技股份有限公司董事;2020 年 11 月至今,担任东微
半导体独立董事。
  毕嘉露女士,1982 年 12 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,硕
士学位,硕士毕业于华东政法大学。2006 年 1 月至 2018 年 2 月,担任江苏德富信律师
苏州东微半导体股份有限公司                                             招股意向书
事务所律师助理、律师;2018 年 2 月至今,担任上海市锦天城(苏州)律师事务所合
伙人律师;2020 年 11 月至今,担任东微半导体独立董事。
  卢红亮先生,1978 年 6 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生学历,
博士毕业于复旦大学。2006 年 10 月至 2007 年 10 月,担任意大利微电子材料与器件国
家实验室博士后;2007 年 11 月至 2009 年 11 月,担任东京大学电子工程系研究员;
担任复旦大学微电子学院教授;2020 年 11 月至今,担任东微半导体独立董事。
  公司监事会现由 3 名监事组成,其中 2 名股东代表监事和 1 名职工代表监事,其
中职工代表监事由职工代表大会选举产生,公司股东代表监事由股东大会选举产生。
监事任期三年。
  截至 2021 年 11 月 12 日,本公司监事会成员情况如下表所示:
 姓名      职位                    任期                       提名人
      监事会主席兼职
 刘伟             2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日   职工代表大会选举产生
       工代表监事
赵振强      监事     2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日   龚轶和王鹏飞共同提名
李程晟      监事     2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日   中小企业发展基金
  本公司各位监事的简历如下:
  刘伟先生,1986 年 4 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,本科毕
业于南京邮电大学微电子学专业。2007 年 9 月至 2008 年 7 月,担任东莞奇力新电子有
限公司研发部工程师;2008 年 9 月至 2009 年 7 月,担任苏州可胜科技有限公司研发部
助理工程师;2009 年 8 月加入东微有限,现任东微半导体研发部资深研发工程师;
  赵振强先生,1982 年 2 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,本科
毕业于南京大学。2006 年 7 月至 2010 年 3 月,担任中达电子(江苏)有限公司工程部
电子工程师;2010 年 3 月至 2011 年 7 月,担任南京博兰得电子科技有限公司研发部电
子工程师;2011 年 8 月至 2014 年 11 月,担任 MaxPower 半导体有限公司研发部高级
苏州东微半导体股份有限公司                                               招股意向书
应用工程师;2014 年 11 月加入东微有限,现任东微半导体研发部高级应用工程师;
  李程晟先生,1987 年 9 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
硕士毕业于纽约大学。2009 年 8 月至 2010 年 8 月,担任中国软件与技术服务股份有限
公司研发部技术人员;2013 年 3 月至 2016 年 6 月,担任深圳市创新投资集团有限公司
国际业务部投资经理;2016 年 6 月至今,担任深圳国中创业投资管理有限公司投资总
监;现担任广州柏视医疗科技有限公司董事,深圳神目信息技术有限公司董事,知行
汽车科技(苏州)有限公司董事,上海思岚科技有限公司监事,苏州天瞳威视电子科
技有限公司董事;2017 年 3 月至 2020 年 11 月,担任东微有限监事;2020 年 11 月至
今,担任东微半导体监事。
  公司现有高级管理人员 5 名,由公司董事会选举产生。高级管理人员任期为三年。
  截至 2021 年 11 月 12 日,本公司高级管理人员成员情况如下表所示:
  姓名         职位                             任期
  龚轶      董事长兼总经理           2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
 王鹏飞     董事兼首席技术官             2021 年 4 月 2 日至 2023 年 11 月 19 日
 卢万松      董事兼副总经理           2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
  李麟     董事兼董事会秘书           2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
 谢长勇       财务负责人            2020 年 11 月 20 日至 2023 年 11 月 19 日
  龚轶先生,现任公司董事长兼总经理,个人简历请参见本招股意向书“七、董事、
监事、高级管理人员与核心技术人员情况 / (一)董事、监事、高级管理人员与核心
技术人员简介 / 1、董事”。
  王鹏飞先生,现任公司董事、首席技术官兼核心技术人员,个人简历请参见本招
股意向书“七、董事、监事、高级管理人员与核心技术人员情况 / (一)董事、监事、
高级管理人员与核心技术人员简介 / 1、董事”。
苏州东微半导体股份有限公司                                  招股意向书
  卢万松先生,现任公司董事兼副总经理,个人简历请参见本招股意向书“七、董
事、监事、高级管理人员与核心技术人员情况 / (一)董事、监事、高级管理人员与
核心技术人员简介 / 1、董事”。
  李麟女士,现任公司董事兼董事会秘书,个人简历请参见本招股意向书“七、董
事、监事、高级管理人员与核心技术人员情况 / (一)董事、监事、高级管理人员与
核心技术人员简介 / 1、董事”。
  谢长勇先生,1981 年 3 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,本科
毕业于安徽工业大学。2005 年 5 月至 2007 年 5 月,担任昆山中扬包装材料有限公司财
务部税务/成本专员;2008 年 6 月至 2011 年 2 月,担任基伊埃冷冻技术(苏州)有限
公司财务部财务主管;2011 年 3 月至 2016 年 7 月,担任苏州星创弘辰电子科技有限公
司财务部财务经理;2016 年 7 月至 2017 年 5 月,担任苏州创易技研股份有限公司财务
部财务经理;2017 年 11 月至 2019 年 7 月,担任苏州慧工云信息科技有限公司财务部
财务总监;2020 年 8 月加入东微有限,担任财务经理;2020 年 11 月至今,担任东微
半导体财务负责人。
  截至 2021 年 11 月 12 日,公司共有 4 名核心技术人员,具体情况如下表所示:
 序号        姓名                       职务
  王鹏飞先生,现任公司董事兼首席技术官,个人简历请参见本招股意向书“七、
董事、监事、高级管理人员与核心技术人员情况 / (一)董事、监事、高级管理人员
与核心技术人员简介 / 1、董事”。
  刘磊先生,1984 年 6 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
硕士毕业于安徽大学电路与系统学院。2007 年 9 月至 2009 年 7 月,担任华润上华半导
体科技有限公司技术转移部工艺整合工程师;2009 年 7 月加入东微有限,现任东微半
导体研发部研发总监。
苏州东微半导体股份有限公司                                招股意向书
  刘伟先生,现任公司监事会主席兼资深研发工程师,个人简历请参见本招股意向
书“七、董事、监事、高级管理人员与核心技术人员情况 / (一)董事、监事、高级
管理人员与核心技术人员简介 / 2、监事”。
  毛振东先生,1983 年 9 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
硕士毕业于中国科学院大学集成电路设计学院。2005 年 7 月至 2006 年 5 月,担任华晶
电子集团有限公司扩散部工程师;2006 年 5 月至 2008 年 1 月,担任华润上华科技有限
公司技术开发部工程师;2008 年 1 月至 2015 年 3 月,担任苏州硅能半导体科技股份有
限公司研发部工程师;2015 年 3 月加入东微有限,现任东微半导体资深研发工程师。
(二)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的兼职情况
  截至 2021 年 11 月 12 日,除在本公司及控股子公司任职外,发行人董事、监事、
高级管理人员及核心技术人员在其他单位的主要兼职情况如下:
                                          兼职单位与发行人
 姓名   在发行人担任职务      兼职单位         兼职职务
                                           的其他关联关系
 龚轶   董事长、总经理        得数聚才       执行事务合伙人    本公司股东
      董事、首席技术
王鹏飞                  苏州高维       执行事务合伙人    本公司股东
      官、核心技术人员
卢万松   董事、副总经理         无            无         无
                  苏州磁明科技有限公司      董事         无
                 苏州博纳讯动软件有限公司     董事         无
                 苏州园芯微电子技术有限公
                                董事兼总经理       无
                      司
                 中科威发半导体(苏州)有
                                  董事         无
                     限公司
金光杰      董事
                 苏州慧闻纳米科技有限公司     董事         无
                 苏州英磁新能源科技有限公
                                  董事         无
                      司
                 苏州登堡电子科技有限公司     董事         无
                 苏州睿芯集成电路科技有限
                                  董事         无
                      公司
                                           间接持有发行人
                   华为技术有限公司      高级副总裁    股东华为投资控股
                                          有限公司的全资子
吴昆红      董事                                   公司
                 山东天岳先进科技股份有限
                                  董事         无
                      公司
                 杰华特微电子股份有限公司     董事         无
苏州东微半导体股份有限公司                              招股意向书
                                        兼职单位与发行人
 姓名    在发行人担任职务      兼职单位        兼职职务
                                         的其他关联关系
                  庆虹电子(苏州)有限公司    董事       无
                  苏州裕太微电子有限公司     董事       无
                  新港海岸(北京)科技有限
                                  董事       无
                       公司
 李麟    董事兼董事会秘书        无          无        无
                  同程控股集团股份有限公司   独立董事      无
郭龙华      独立董事     苏州琼派瑞特科技股份有限
                                  董事       无
                       公司
毕嘉露      独立董事          无          无        无
卢红亮      独立董事          无          无        无
       监事会主席、核心
 刘伟                    无          无        无
         技术人员
赵振强       监事           无          无        无
                   上海思岚科技有限公司     监事       无
                  广州柏视医疗科技有限公司    董事       无
                  深圳神目信息技术有限公司    董事       无
李程晟       监事
                  知行汽车科技(苏州)有限
                                  董事       无
                       公司
                  苏州天瞳威视电子科技有限
                                  董事       无
                       公司
谢长勇     财务负责人          无          无        无
毛振东     核心技术人员         无          无        无
 刘磊     核心技术人员         无          无        无
(三)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员相互之间的近亲属关系
  截至 2021 年 11 月 12 日,本公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员相互
之间不存在亲属关系。
(四)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员所签订的协议、所作承诺及其履行
情况
  截至 2021 年 11 月 12 日,发行人的内部董事、内部监事、高级管理人员与核心技
术人员均与公司已签订了《全日制劳动合同书》《保密及知识产权归属协议》及《竞
业限制协议书》。
苏州东微半导体股份有限公司                                   招股意向书
    截至 2021 年 11 月 12 日,公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员均严格
履行协议约定的义务和职责,遵守相关承诺。除上述协议外,发行人未与董事、监事、
高级管理人员或核心技术人员签订其他对投资者作出价值判断和投资决策有重大影响
的协议。
    具体内容请参见本招股意向书“第十节 投资者保护 / 七、发行人、实际控制人、
董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及本次发行的保荐人及证券服务机构作出
的重要承诺”。
(五)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近两年内的变动情况
            时间                         董事
                          龚轶、王鹏飞、卢万松、金光杰、吴昆红、李麟、郭龙华、毕
                          嘉露、卢红亮
    截至 2019 年 1 月 1 日,龚轶、王鹏飞、卢万松、金光杰及邱忠乐为东微有限董事。
金光杰、吴昆红为公司董事。因公司股东变化导致的董事会席位调整,邱忠乐不再担
任公司董事职务。
龚轶、王鹏飞、卢万松、金光杰、吴昆红、李麟、郭龙华、毕嘉露、卢红亮为公司董
事。
    发行人董事的上述选任均履行了必要的法律程序,符合法律、法规、规范性文件
及发行人《公司章程》的有关规定。最近两年,发行人董事变动的主要原因系由于发
行人引入投资人调整董事会席位以及改制后建立了独立董事制度而增补了相关董事,
对发行人的持续经营管理和本次发行上市不存在重大不利影响。
苏州东微半导体股份有限公司                                     招股意向书
            时间                             监事
    截至 2019 年 1 月 1 日,公司未设监事会,李程晟为东微有限监事。
职工代表监事。同日,公司召开创立大会暨第一次临时股东大会,选举赵振强、李程
晟为公司监事。
    发行人监事的上述选任均履行了必要的法律程序,符合法律、法规、规范性文件
及发行人《公司章程》的有关规定。最近两年,发行人监事变动的主要原因系东微有
限整体变更为股份有限公司,进一步完善了公司治理结构,新增监事会。
            时间                           高级管理人员
    截至 2019 年 1 月 1 日,龚轶为东微有限总经理。
卢万松为公司副总经理、谢长勇为公司财务负责人、李麟为公司董事会秘书。
术官。
    发行人高级管理人员的上述选任均履行了必要的法律程序,符合法律、法规、规
范性文件及发行人《公司章程》的有关规定。最近两年,发行人高级管理人员变动的
主要原因系东微有限整体变更为股份有限公司,进一步完善了公司治理结构,新增高
级管理人员。
            时间                           核心技术人员
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
      截至 2019 年 1 月 1 日,刘磊、刘伟、毛振东为东微有限核心技术人员。
毛振东为公司核心技术人员。
      最近两年,发行人核心技术人员变动的主要原因系根据业务发展需要适时补充核
心技术团队成员,有益于公司的业务发展。
      最近两年,公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员变动系正常经营管理、
完善管理组织架构及支持业务发展需要。对公司生产经营不构成重大不利影响。
(六)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员及其近亲属持有发行人股份情况
      (1)董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及其近亲属直接持有公司股份的
情况
      截至 2021 年 11 月 12 日,公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及其近
亲属直接持有公司股份的情况如下表所示:
 序号        姓名             职务/关系        持股数量(万股)        持股比例(%)
                    董事、首席技术官、
                      核心技术人员
      (2)董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及其近亲属间接持有公司股份的
情况
      截至 2021 年 11 月 12 日,公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及其近
亲属间接持有公司股份的情况如下表所示:
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
                                        持股企业持发 持股企业持发
                                对持股企业的权
序号    姓名    职务/关系    直接持股企业             行人股份数量 行人股份比例
                                 益比例(%)
                                         (万股)    (%)
            董事长兼总经    苏州高维            12.5000   223.6960     4.4268
               理      得数聚才            21.8520   142.3840     2.8177
          董事、首席技
            术人员
          董事兼董事会
            秘书
          监事会主席、
          核心技术人员
     除上述所列情况外,公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及其近亲属
未间接持有公司股份。
     截至 2021 年 11 月 12 日,前述董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及其近
亲属直接或间接持有的发行人股份无质押、冻结等股权限制的情形。
(七)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员对外投资情况
     截至 2021 年 11 月 12 日,公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员不存在
与公司及其业务相关的对外投资。
(八)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬情况
     在公司任职的董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬主要由基本工资
和绩效工资等组成,其中绩效工资结合工作业绩、劳动成果和实际贡献等因素确定;
独立董事在公司领取独立董事津贴,不享受其他福利待遇。
     根据《薪酬与考核委员会工作细则》,公司董事及高级管理人员薪酬政策与方案由
董事会薪酬与考核委员会制定。薪酬与考核委员会提出的公司董事的薪酬计划,须报
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
经董事会同意后,提交股东大会审议通过后方可实施;公司高级管理人员的薪酬分配
方案须报董事会批准后方可实施。
独立董事津贴标准的议案》,同意按照每人每年 3 万元(税前)的标准向独立董事发放
津贴。
津贴的情况如下:
                                               是否在实际控制人控制的其
  姓名            职位        领取的薪酬/津贴(万元)
                                                  他企业领薪
  龚轶         董事长兼总经理                 48.0000              否
           董事、首席技术官、核心技
 王鹏飞                                 17.0744              否
                术人员
 卢万松         董事兼副总经理                 54.6403              否
 金光杰 1          董事                         -                  -
 吴昆红 1          董事                         -                  -
  李麟         董事兼董事会秘书                26.5836              否
 郭龙华 2         独立董事                        -                  -
 毕嘉露           独立董事                        -                  -
 卢红亮           独立董事                        -                  -
  刘伟       监事会主席、核心技术人员              21.9179              否
 赵振强            监事                   26.7124              否
 李程晟 1          监事                         -                  -
 谢长勇 3        财务负责人                  13.6353              否
  刘磊          核心技术人员                 40.9228              否
 毛振东          核心技术人员                 35.5195              否
注 1:为股东委派董事/监事,未在发行人处领薪。
注 2:郭龙华、毕嘉露及卢红亮于 2020 年 11 月担任公司独立董事,2020 年尚未领取津贴。
注 3:谢长勇于 2020 年 8 月起任职于发行人,其薪酬统计期间为 2020 年 8 月至 12 月。
   截至 2021 年 11 月 12 日,公司未向董事、监事、高级管理人员及核心技术人员提
供其他待遇和退休金计划。
苏州东微半导体股份有限公司                                                               招股意向书
利润总额的比例
         年份               薪酬总额(万元)                   利润总额(万元)              比例(%)
八、发行人已经制定或实施的股权激励及相关安排
(一)股权激励的基本情况
     公司于 2018 年、2019 年对部分核心员工实施了三次股权激励,公司部分核心员
工通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司权益,截至 2021 年 11 月 12 日,苏
州高维和得数聚才分别持有公司 4.4268%及 2.8177%股份,具体情况如下:
     (1)苏州高维
         项目                                         基本情况
       企业名称          苏州工业园区高维企业管理合伙企业(有限合伙)
       成立时间          2016 年 9 月 27 日
        出资额          223.6960 万元
     执行事务合伙人         王鹏飞
         住所          苏州工业园区金鸡湖大道 99 号苏州纳米城中北区 23 幢 214 室
                     企业管理服务、企业管理咨询。(依法须经批准的项目,经相关部门
       经营范围
                     批准后方可开展经营活动)
     截至 2021 年 11 月 12 日,苏州高维的合伙人职务及出资情况如下:
序号       合伙人名称/姓名              职务                   出资额(万元)          出资比例(%)
苏州东微半导体股份有限公司                                                         招股意向书
序号          合伙人名称/姓名             职务               出资额(万元)          出资比例(%)
         苏州高维不存在以非公开方式向合格投资者募集资金设立的情形,亦未聘请基金
管理人进行投资管理,不属于《证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》
和《私募投资基金管理人登记和基金备案办法(试行)》规定的私募投资基金及私募
投资基金管理人,因此不适用私募投资基金管理人登记或私募基金备案。
     (2)得数聚才
            项目                                    基本情况
          企业名称         苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业(有限合伙)
          成立时间         2016 年 9 月 27 日
           出资额         142.3840 万元
         执行事务合伙人       龚轶
            住所         苏州工业园区金鸡湖大道 99 号苏州纳米城中北区 23 幢 214 室
                       企业管理服务、企业管理咨询。(依法须经批准的项目,经相关部门
          经营范围
                       批准后方可开展经营活动)
         截至 2021 年 11 月 12 日,得数聚才的合伙人职务及出资情况如下:
序号         合伙人名称/姓名              职务               出资额(万元)          出资比例(%)
         苏州智禹嘉通创业投资
         合伙企业(有限合伙)
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
序号      合伙人名称/姓名      职务            出资额(万元)        出资比例(%)
      得数聚才不存在以非公开方式向合格投资者募集资金设立的情形,亦未聘请基金
管理人进行投资管理,不属于《证券投资基金法》《私募投资基金监督管理暂行办法》
和《私募投资基金管理人登记和基金备案办法(试行)》规定的私募投资基金及私募
投资基金管理人,因此不适用私募投资基金管理人登记或私募基金备案。
      报告期内,除上述通过苏州高维和得数聚才对部分核心员工实施股权激励外,公
司向卢万松亦实施了股权激励。2016 年 12 月 4 日,公司召开董事会决议,向卢万松附
条件授予不超过相当于公司彼时总股本 1.5%的股票。2018 年 12 月 21 日,根据所附条
件的实现情况及考核结果,卢万松符合附条件授予股票的情形,王鹏飞与龚轶分别与
卢万松签订《股权转让协议》和《股权转让协议补充协议》,约定将王鹏飞与龚轶分
别持有的东微有限 0.482%股权(对应 21.3292 万股)和 0.478%股权(对应 21.1522 万
股)分别以 0 元的价格转让给卢万松。同日,公司召开股东会,同意龚轶、王鹏飞与
卢万松上述股权转让事宜。
苏州东微半导体股份有限公司                             招股意向书
(二)遵循“闭环原则”的情况
  截至 2021 年 11 月 12 日,苏州高维《合伙协议》、得数聚才《合伙协议》以及苏
州高维合伙人、得数聚才合伙人未就“发行人上市前及上市后的锁定期内,员工所持
相关权益拟转让退出的,只能向员工持股计划内员工或其他符合条件的员工转让”进
行约定,因此苏州高维及得数聚才不符合“闭环原则”。
(三)减持承诺
  具体内容请参见本招股意向书“第十节 投资者保护 / 七、发行人、实际控制人、
董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及本次发行的保荐人及证券服务机构作出
的重要承诺 / (二)持股意向和减持意向的承诺”。
(四)股权激励对公司经营状况、财务状况、控制权变化等方面的影响及上市后的行
权安排
  发行人实施股权激励,有利于建立优秀的价值分配体系,激励与约束公司的员工,
使公司员工能够分享公司成长带来的收益,增强队伍凝聚力,促进公司持续、稳定发
展。
  为公允地反映股权激励对公司财务状况的影响,公司就历次股权激励分别确认了
股份支付。于报告期内,公司分别于 2018 年及 2019 年确认的股份支付金额为
向书“第八节 财务会计信息与管理层分析 / 十、经营成果分析 / 六、股份支付”。
  公司上市前已实施的股权激励计划,除卢万松外,其他单个激励对象通过股权激
励计划持有的发行前后公司股权比例不超过 1%。截至 2021 年 11 月 12 日,卢万松持
有公司 4.7226%股权,为实际控制人王鹏飞及龚轶的一致行动人。公司上市前已实施
的股权激励对公司的股权结构不存在重大影响,股权激励不影响公司控制权。
苏州东微半导体股份有限公司                                                          招股意向书
九、发行人员工及其社保情况
(一)公司员工结构
  截至 2021 年 6 月 30 日,发行人员工人数和变化情况如下:
    项目
员工总人数(人)                   68                 53                37               18
  截至 2021 年 6 月 30 日,员工按专业结构划分情况如下:
     岗位类别                   员工人数(人)                             所占比例
     研发人员                                          31                     45.59%
     销售人员                                          16                     23.53%
     管理人员                                          21                     30.88%
         合计                                        68                    100.00%
     岗位类别                   员工人数(人)                             所占比例
     研发人员                                          24                     45.28%
     销售人员                                          14                     26.42%
     管理人员                                          15                     28.30%
         合计                                        53                    100.00%
     岗位类别                   员工人数(人)                             所占比例
     研发人员                                          18                     48.65%
     销售人员                                           9                     24.32%
     管理人员                                          10                     27.03%
         合计                                        37                    100.00%
     岗位类别                   员工人数(人)                             所占比例
     研发人员                                          10                     55.56%
     销售人员                                           2                     11.11%
     管理人员                                           6                     33.33%
苏州东微半导体股份有限公司                                                              招股意向书
         合计                                          18                      100.00%
  报告期内,为提高管理效率,满足发行人生产经营需求,发行人曾通过劳务派遣
单位聘请相关人员,满足部分非核心经营环节的用工需求,主要从事支持辅助性工作。
公司在报告期内存在使用劳务派遣员工的情形,具体情况如下:
                                                                             单位:人
    项目          2021年6月30日       2020年12月31日        2019年12月31日        2018年12月31日
劳务派遣员工人数                     0                  0              0                     8
 正式员工人数                     68                 53             37                  18
   用工总数                     68                 53             37                  26
 劳务派遣比例                    0%                 0%             0%               30.77%
  公司已对劳务派遣用工方式进行了规范。截至 2019 年末,公司劳务派遣用工比例
已符合《劳务派遣暂行规定》的规定。
证明,确认报告期内不存在因违反劳动法律法规的原因而受到行政处罚的情形。
  就报告期内公司劳务派遣用工比例曾超过 10%的情形,公司共同实际控制人王鹏
飞与龚轶出具《承诺函》,若发行人及其下属企业因劳务派遣用工超过法定比例被主
管部门处以罚款的,其将全额承担发行人及其下属企业有关罚款、滞纳金以及其他相
关费用。
(二)发行人执行社会保险制度、住房公积金制度情况
  报告期内,发行人为员工缴纳社会保险的情况如下:
   项目         2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
员工总人数(人)                   68                  53                 37                 18
已缴纳人数(人)                   68                  53                 37                 18
已缴纳人数占比                 100%                 100%            100%               100%
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
  报告期内,发行人为员工缴纳住房公积金的情况如下:
   项目      2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
员工总人数(人)                68                  53            37               18
已缴纳人数(人)                68                  52            36               17
已缴纳人数占比              100%            98.11%           97.30%           94.44%
未缴纳人数(人)                 0                   1             1                1
未缴纳人数占比                0%                1.89%         2.70%            5.56%
  报告期内,1 名员工因其个人原因自愿放弃缴纳住房公积金,该员工已出具相关
声明,确认其基于个人原因自愿要求公司不为其缴纳住房公积金,并自愿承担所有由
此产生的法律责任与后果。发行人已于 2021 年 4 月起为该员工缴纳住房公积金。截至
  就上述报告期内未缴纳员工住房公积金事宜,发行人实际控制人王鹏飞及龚轶已
出具《承诺函》,承诺若发行人若因报告期内住房公积金缴纳不合规而被主管部门处
以罚款的,其将足额补偿或赔偿发行人因此产生的支出或损失。
苏州东微半导体股份有限公司                            招股意向书
                第六节 业务与技术
一、公司主营业务及主要产品和服务情况
(一)主营业务情况
  公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专
注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能
力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验
的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率
器件产品领域实现了国产化替代。
  报告期内,公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS
系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直
流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工
业级应用领域,以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费
电子应用领域。同时,公司不断进行技术创新,进一步开发了超级硅 MOSFET、
TGBT 等新产品。未来,公司将持续开发更多新型高性能功率半导体产品,致力于成
为国际领先的功率半导体厂商。
  基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力,公司已成
为国内领先的高性能功率器件设计厂商。根据 Omdia 数据,以 2019 年销售额计,公
司在全球 MOSFET 功率器件市场中位列中国本土厂商前十位。同时,公司产品的销售
单价亦显著高于行业平均水平。在产品性能方面,公司的主要产品 GreenMOS 系列产
品通过自主器件设计和工艺优化,成功解决了常规超级结 MOSFET 所存在的成品良率
低、开关波形震荡等技术问题,同时其性能也达到了国际先进水平。公司也是国内最
早进入工业和汽车相关应用领域的功率器件厂商之一,根据《人民日报》报道,2016
年 4 月,公司成为率先量产充电桩用高压超级结 MOSFET 器件的本土企业,打破了国
外企业对这一产品的垄断,降低了充电桩的整体成本,也为近几年国内充电桩的快速
推广提供了大量的国产化芯片。此外,公司充分利用国际一流的晶圆代工资源,将自
苏州东微半导体股份有限公司                                             招股意向书
身的创新能力与代工合作伙伴的制造能力深度结合,开发出性能优异的产品。公司是
国内在 12 英寸晶圆产线上较早实现功率器件量产的功率器件设计公司之一。
  公司产品的终端应用聚焦在工业级领域,同时也广泛应用在消费级领域。公司已
在前述领域积累了全球知名的品牌客户群,并已成为部分行业领先客户认证的国产供
应商之一。在工业及汽车相关应用领域中, 公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的
终端用户如英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等,5G 基站电源及通信电源领域的终
端用户如华为、维谛技术、麦格米特等,以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金
升阳、雷能、通用电气等。在消费电子领域中,公司积累了大功率显示电源领域的终
端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。
(二)主要产品情况
  报告期内,公司实现大规模销售的主要产品为 MOSFET 功率器件,包括高压超级
结 MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 等。同时,公司已开发了超级硅 MOSFET 及
TGBT 等先进功率器件产品,也已处于量产阶段。公司产品的具体情况如下:
                    产品规
产品类别     产品品类       格数量     规格       技术特点          应用领域
                    (个)
                                            工业级:
                                            新能源汽车直流充电桩、新能源汽
                                  低导通电阻、    车车载充电器、5G 基站电源及通信
         高压超级结                    低栅极电荷、    电源、数据中心服务器电源、工业
          MOSFET                  静态与动态损    照明电源、光伏逆变器等
                                  耗低        消费级:
                                            PC 电源、适配器、TV 电源板、手机
                                            快速充电器等
                                            工业级:
                                            电动工具、智能机器人、无人机、
                                            新能源汽车电机控制、逆变器、UPS
MOSFET
                                  特征导通电阻    电源、动力电池保护板、高密度电
         中低压屏蔽                    低,开关速度    源等
         栅 MOSFET                 快,动态损耗    消费级:
                                  低         移动电源、适配器、数码类锂电池
                                            保护板、多口 USB 充电器、手机快
                                            速充电器、电子雾化器、PC 电源、
                                            TV 电源板等
                                            工业级:
          超级硅                               新能源汽车充电桩、通信电源、工
         MOSFET                             业照明电源等
                                            消费级:
苏州东微半导体股份有限公司                                           招股意向书
                   产品规
产品类别    产品品类       格数量    规格      技术特点           应用领域
                   (个)
                                           快速充电器、模块转换器、快充超
                                           薄类 PC 适配器、TV 电源板等
                                           工业级:
                                  大电流密度,   新能源汽车充电桩、变频器、逆变
        Tri-gate                  开关损耗低,   器、电机驱动、电焊机、太阳能、
 IGBT               38   1350V;
         IGBT                     可靠性高,具   UPS 电源等
                                  有自保护特点   消费级:
                                           电磁加热等
  公司产品的终端应用范围包括以新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、
数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域,以及以 PC 电源、适
配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。公司产品的主要应用
场景如下图所示:
  公司上述产品的具体介绍如下:
  MOSFET 全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛应用于模拟与数字电
路的基础微电子元器件,具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点;其中,高压
苏州东微半导体股份有限公司                                           招股意向书
MOSFET 功率器件通常指工作电压为 400V 以上的 MOSFET 功率器件。高压 MOSFET
功率器件结构通常包括平面型及超级结型。超级结 MOSFET 功率器件通常需要更高的
技术设计能力及工艺制造水平,其能够突破平面型器件的性能局限性,具备更好的静
态和动态特性,可以工作于更大功率的系统之中。
   公司的高压超级结 MOSFET 产品主要为 GreenMOS 产品系列,覆盖 500V-950V
工作电压,最大可提供 116A 静态电流的规格,并拥有逾 900 种的产品型号规格,是
该领域规格较完整的国内厂商之一。公司的高压 MOSFET 产品全部采用超级结的技术
原理,具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
   在节能减碳的大趋势下,电源系统正追求小型化,高效化。作为电源系统的核心
器件,功率器件需要提供更快的开关速度与更低的损耗,特别对于大功率工业级的应
用,功率器件的工作效率直接决定了整体系统性能。公司 GreenMOS 系列高压超级结
产品基于其高效率低阻抗的特点,特别适用于直流大功率新能源汽车充电桩、新能源
汽车车载充电器、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源板、
手机快速充电器等应用领域。
   公司 GreenMOS 高压超级结功率器件的各系列特点以及介绍如下表所示:
   系列       特点        电压电流                     基本介绍
                                     标准通用Generic系列产品包含500V-950V
标准通用系列 高性能通用型
                                     各种开关电源系统的高性能功率转换领域
                                     S系列产品在Generic系列产品的基础上进一
                                     步优化了开关速度,以较低的开关速度达
S 系列    EMI优化                        到更好的EMI兼容性,特别适用于对EMI要
                                     求较高的电源系统如LED照明、充电器、
                                     适配器以及大电流的电源系统中
                                     E系列产品综合了标准通用系列产品和S系
                                     列产品的特性,实现了开关速度和EMI之间
E 系列    EMI性能平衡                      较好的平衡,适用于TV电源、工业电源等
                                     领域,开关速度介于标准通用系列和S系列
                                     之间
                                     Z系列产品中集成了快速反向恢复二极管
                                     FRD,具有快速的反向恢复速度以及极低
        集成快恢复体二极   550V-800V
Z 系列                                 的开关损耗,特别适用于各种半桥拓扑电
        管(FRD)     2A-116A
                                     路、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等
                                     领域
苏州东微半导体股份有限公司                                     招股意向书
   中低压 MOSFET 功率器件通常指工作电压为 10V-300V 之间的 MOSFET 功率器件,
该类器件更加适用于低电压的应用场景,应用于如电动工具、智能机器人、无人机、
新能源汽车电机控制、移动电源、适配器、数码类锂电池保护板等产品中。中低压
MOSFET 功率器件结构通常包括沟槽栅 VDMOS 及屏蔽栅 MOSFET。相比于普通沟槽
栅 VDMOS,屏蔽栅 MOSFET 功率器件结构更复杂,需要更高的技术能力及制造工艺
水平,其能够突破普通沟槽栅 VDMOS 器件的性能瓶颈,具备更好的导通特性,开关
损耗更小且功率密度更高。
   公司的中低压 MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构,主要包括 SFGMOS 产品系列以
及 FSMOS 产品系列,工作电压覆盖 25V-150V,合计超过 500 种型号。其中,公司的
SFGMOS 产品系列采用自对准屏蔽栅结构,兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点,
并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效
率等优点。公司 SFGMOS 系列中低压功率器件产品涵盖 25V-150V 工作电压,可广泛
应用于电机驱动、同步整流等领域。
   公司的 FSMOS 产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构,
兼备普通 VDMOS 与分裂栅器件的优点,具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导
通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。
   公司中低压 MOSFET 功率器件各系列的具体介绍如下表所示:
    系列           特点        电压              介绍
              Vth 较低,可以用5V          主要应用于驱动电压较低的同步整流类电
        低Vth系 栅极驱动。高开关速             源系统,如5V-20V输出快速充电器、大功
        列     度、低开关损耗、高             率LED显示屏电源、服务器电源DC-DC模
              可靠性和一致性               块等领域
SFGMOS系
              Vth 较高,抗干扰能

              力强。低导通电阻、             主要应用于驱动电压在10V以上的电源系
        高Vth系
              高开关速度、低开关 60V-150V 统,如电源同步整流、电机驱动、锂电保
        列
              损耗、高可靠性和一             护、逆变器等领域
              致性
                                    主要应用于对功率密度有更高要求的快速
              高电流密度、低功
FSMOS系列                    25V-150V 充电器、电机驱动、DC-DC模块、开关电
              耗、高可靠性
                                    源等领域
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
  公司的超级硅 MOSFET 产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高
性能硅基 MOSFET 产品,目前已有 18 种型号进入量产。公司的超级硅 MOSFET 产品
通过调整器件结构、优化制造工艺,突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈,在电源应
用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。相较于氮化镓功率器件产品,公司
的超级硅 MOSFET 产品采用硅基材料,具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等
技术特点及竞争优势,特别适用于高密度电源系统,如新能源汽车充电桩、通信电源、
工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器等领域。
  截至报告期末,公司的超级硅 MOSFET 产品已经实现批量出货,并逐渐获得市场
的认可。公司已在推进超级硅系列产品在 12 英寸晶圆制造产线的量产,以满足日益增
多的订单和需求。
  IGBT 全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管 BJT 和 MOSFET 组成的复合全
控型电压驱动式功率器件。IGBT 利用电导调制效应,相对于 MOSFET 能够承载更高
的电流密度。IGBT 在电路中可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率,
被广泛应用于逆变和变频等应用领域中。
  公司的 IGBT 产品采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构,是一种区别于国际
主流 IGBT 的创新型器件结构,实现了关键技术参数的大幅优化,目前达到可量产水
平的产品规格共有 18 种,工作电压范围覆盖 600V-1350V,工作电流覆盖 15A-120A。
公司的 TGBT 系列 IGBT 功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极
管、逆导、高速和超高速等系列。其中,高速系列的开关频率可达 100kHz;低导通压
降系列的导通压降可降低至 1.5V 及以下;超低导通压降系列的导通压降可达 1.2V 以
下;软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路;650V 及 1350V 的逆导系列在芯
片内部集成了续流二极管,同时实现了低导通压降与快速开关的特点,适合在高压谐
振电路中使用。
  公司的 IGBT 产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度,优化了内部载流
子分布,调整了电场与电荷的分布,同时优化了导通损耗与开关损耗,具有高功率密
苏州东微半导体股份有限公司                                                                   招股意向书
度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点,特别适用于新能源汽车充电桩、变频器、
逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等领域。
(三)主营业务收入的主要构成
   报告期内,公司主营业务收入的构成情况如下表所示:
                                                                                单位:万元
 产品               2021 年 1-6 月        2020 年度            2019 年度           2018 年度
         产品品类
 类别               金额       占比       金额          占比       金额       占比       金额       占比
        高压
        超级结 23,917.46      74.55% 24,907.95 80.66% 15,738.18 80.28% 12,453.37 81.48%
       MOSFET
       中低压屏
MOSFET
        蔽栅    8,006.71     24.96% 5,930.43 19.21% 3,858.16 19.68% 2,830.16 18.52%
       MOSFET
        超级硅
       MOSFET
 IGBT    TGBT      22.95    0.07%         -          -        -        -        -        -
        合计      32,082.43 100.00% 30,878.74 100.00% 19,604.66 100.00% 15,283.52 100.00%
(四)主要经营模式
   目前半导体企业采用的经营模式可以分为 IDM 模式和 Fabless 模式。IDM 模式为
垂直整合元件制造模式,系早期半导体企业广泛采用的模式,采用该模式的企业可以
独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节。Fabless 模式指无晶
圆厂模式,采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售,将晶圆制造、封装、测
试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。随着芯片终端产品和应用
的日益繁杂,芯片设计难度快速提升,研发所需的资源和成本持续增加,促使全球半
导体产业分工细化,Fabless 模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一,如高通、
博通、超微半导体等世界集成电路龙头公司均采用 Fabless 模式。公司作为专业的半导
体功率器件设计及研发企业,自成立以来始终采用 Fabless 的经营模式。
   报告期内,公司专注于半导体功率器件的研发与销售,将晶圆制造、芯片封装和
测试通过委外方式实现。公司主要产品的业务流程图如下所示:
苏州东微半导体股份有限公司                              招股意向书
  公司自主设计开发特定的功率器件产品,并与晶圆代工厂商签订客制化代工协议,
与晶圆代工厂沟通工艺技术,并对该工艺技术的可靠性、稳定性负责。基于这样的合
作模式,公司自主进行芯片性能定义、仿真与理论分析、工艺平台选择以及工艺生产
流程的定制化。
  公司与晶圆代工厂进行深度合作,根据代工厂的基础工艺能力,精确调整芯片设
计和工艺参数,并与晶圆代工厂进行多轮的工艺调试以确保工艺流程的可制造性、稳
定性与可靠性。通过工艺特性测试分析后,产品将进入样品晶圆试产阶段,并通过晶
圆性能测试分析确认是否进入小批量的晶圆制造阶段。
  在样品晶圆试产阶段,公司向晶圆厂下达试量产阶段的样品生产指令以进行产品
试制,并由公司研发部设计样品试制的各种实验(Design of Experiment,“DOE”)
条件。通过样品流片阶段确认工艺稳定性达标后,产品进入小批量晶圆制造与封装测
苏州东微半导体股份有限公司                                                                招股意向书
试环节。公司向封测厂下达工程样品封装和测试指令,包括成品级测试和封装技术评
估。之后,公司对产品进行基于不同应用场景下的功能、静动态电学测试验证和可靠
性验证,通过后将进入试生产与客户送样阶段,确保产品在上机应用阶段达到客户要
求后,产品正式进入大规模量产阶段。
  在量产阶段,客户对于产品形态存在不同的需求。报告期内,公司的产品按照销
售形态可以分为功率器件成品及晶圆两类,以功率器件成品为主。功率器件成品即将
晶圆进行封装后的 MOSFET 成品形态产品;晶圆即公司完成技术研发和产品设计流程
后,与晶圆制造商进一步进行工艺开发、验证与质量测试流程后的晶圆形态产品。
  报告期内,按照产品销售形态分,公司主营业务收入的构成情况如下表所示:
                                                                             单位:万元
产品形态
        金额         占比         金额         占比        金额         占比        金额       占比
功率器件
 成品
  晶圆    5,475.21    17.07%    4,339.50   14.05%    3,176.73   16.20%    2,919.65 19.10%
  合计   32,082.43   100.00%   30,878.74 100.00%    19,604.66 100.00%    15,283.52 100.00%
  公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评估、
项目设计开发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由研发部、运营
部等合作完成,同时,研发部质量团队会全程参与产品研发的所有环节,监督各环节
的执行过程,以在全环节实现对产品质量的管控。公司已制定《产品开发管理程序》,
产品研发流程严格遵守该制度约定流程,并通过产品生命周期管理系统进行产品开发
管控。
  公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图,并结合晶圆代
工和封装厂商的实际制造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发和设计工作。
在产品研发设计过程中,公司同时关注并协助开发适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。
  同时,公司具有深度定制开发的能力。在产品研发阶段,公司与晶圆代工厂深度
合作、共同研发,通过多次反复实验调整,使代工厂的工艺能更好地实现公司所设计
苏州东微半导体股份有限公司                      招股意向书
芯片的性能,最终推出极具性价比的产品,更好地贴合终端客户的需求。通过对代工
厂传统工艺的优化,公司有能力根据终端市场需求精确调整产品的设计。
  公司的产品研发流程具体如下图所示:
  (1)产品开发需求信息汇总
  产品开发需求分为客户定制开发产品需求与公司通用新品及下一代技术平台开发
需求两类。对于客户定制开发产品需求,公司研发部的应用技术团队会首先对市场上
同规格或同类产品的行业应用范围、市场价格、市场需求量、供求关系进行调研,以
明确待开发产品的参数目标。之后,公司将评估客户对产品具体性能参数要求、成本
要求、开发周期要求以及量产数量的需求。对于通用新品及下一代技术平台开发需求,
公司结合技术调研与市场调研提出相应的开发需求。
  (2)立项评估与可行性评估
苏州东微半导体股份有限公司                                                   招股意向书
   公司研发部根据新产品的开发需求与技术指标参数,确定产品的器件结构和工艺
平台,并评估设计方案可否满足既定产品需求。
   在设计方案确定之后,研发部协调运营部、质量部和财务部一同对该开发需求进
行技术分析、市场分析、财务成本分析以及预算分析等评估工作,形成《项目计划
书》,并提交项目评审会评审。新产品研发项目通过立项评审,则标志着立项阶段完
成。
   (3)项目设计开发与评审
   研发项目的立项阶段完成后,研发部根据《项目计划书》中规定的指标和要求,
结合《产品开发管理程序》进行具体开发工作,整个过程可以分解为产品结构与工艺
流程设计、工艺与器件性能仿真及产品版图设计三个环节。在这个过程中,公司研发
部与代工厂进行深度合作交流,根据代工厂的工艺能力,精确调整芯片设计和工艺参
数。设计工作完成后,研发部组织召开评审会议,通过后可进行样品的流片试制。
   (4)产品试制以及测试验证
   设计阶段结束后,运营部将向晶圆厂下达工程开发阶段的样品生产指令以进行产
品试制,并由研发部设计样品试制的各种实验 DOE 条件。工程样品流片完成后,公司
运营部向封测厂下达工程样品封装和测试指令,包括成品级测试和封装技术评估。验
证阶段主要是对样品的功能、性能、稳定性等方面进行测试,以判断产品是否达到设
计标准和预期要求。
   工程样品生产完成后,研发部下属的工程团队将对该产品进行基于不同应用场景
下的功能、静动态电测试验证和可靠性验证。样品通过测试和验证阶段后,运营部会
将产品发给客户进行试用评估,研发部下属的应用技术团队会协助客户进行该产品的
功能调试与验证,解决并收集产品评估过程中可能出现的问题。最后研发部对器件性
能进行系统级评审,所有验证结果会提交评审委员会进行评审,通过后进入风险试产
阶段。研发部在风险试产阶段完成产品的定型工作,调试完成并固化各项工艺条件和
电性能指标。风险试产完成之后进行量产评审,审核通过后进入量产状态。
   公司会与晶圆厂进行季度技术回顾(Quarterly Technology Review,“QTR”)与
季度业务回顾(Quarterly Business Review,“QBR”),并陪同客户定期到晶圆厂进行
审 核 。 同 时 , 晶 圆 厂 也 会 定 期 向 公 司 提 供 制 程 能 力 ( Complex Process Capability,
苏州东微半导体股份有限公司                         招股意向书
“CPK”) 管控数据及外观检测报告。同时,公司也会对封测厂进行定期稽核,召开
QBR 并要求提供 CPK 数据、封装良率及测试良率的报告。公司也会定期对厂家的管
控计划提出意见,以保证产品质量。
  报告期内,公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务,以及实验
室设备的采购。在 Fabless 模式中,公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质量管
控,产品的生产采用委外加工的模式完成,即公司将自主研发设计的集成电路版图交
由晶圆厂进行晶圆制造,随后将制造完成的晶圆交由封测厂进行封装和测试。公司的
晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业知名企业。
  针对上述采购及生产模式,公司制定了《外包商质量手册》《外包商管理办法》
《晶圆采购管理程序》和《采购管理程序》等相关的管理规定。公司运营部在供应商
的选择、考核、质量管控等流程中严格执行上述规定,以提高生产效率、减少库存囤
积、加强成本控制。
  (1)供应商的选择
  公司的运营部、质量部及工程部从工艺能力、质量管控、生产能力和商务条件等
方面对供应商进行综合评估。工艺能力上,供应商需要具备成熟稳定的工艺水平,并
拥有足够齐全的技术平台满足公司大部分产品路线需求;质量管控上,供应商需要具
备完善的质量管理体系,以满足公司提出的质量规范;生产能力上,供应商需有足够
的产能,并可以根据公司需求快速调整响应;商务条件上,供应商需能够提供有竞争
力的商务条款。公司将满足上述综合评估条件的供应商加入《外包商合格名单》后,
方可向其进行批量采购和委外加工。生产过程中,质量部和运营部会对供应商进行定
期的考核和评估,并根据评估结果动态调整《外包商合格名单》。报告期内,公司供
应商的选择较为稳定。
  (2)采购模式与生产流程
  报告期内,公司采购的内容主要为定制化晶圆和其相关的制造、封装及测试的服
务。公司采购业务主要涉及运营部门、生产计划部门、研发部门等。采购模式为准时
化采购,即以满足自身需求为前提,对供应商下达订单,要求供应商在指定的时间将
指定的产品送到指定的地点。公司每次采购会单独执行采购流程,具体而言,运营部
苏州东微半导体股份有限公司                    招股意向书
根据业务支持部提供的销售预测报告,计算相匹配的采购需求和加工需求,并向晶圆
厂下达采购订单,安排晶圆生产。生产完毕的晶圆将被送达公司指定的封装测试厂。
公司根据加工需求向封测厂下达委外加工订单,封装测试后的成品将被发送至公司指
定的仓库或地点。对于境外供应商的采购,出于提高经营效率、节省管理成本的考虑,
公司会通过外贸综合服务企业深圳中电投资股份有限公司进行。根据公司与中电投资
签订的协议约定,中电投资仅负责为公司提供代理报关及境外运输服务等,不承担相
关交易风险。报告期内,公司的采购以境内为主。
  (3)质量管理体系
  公司建立了以质量部为核心的质量管理体系,有效提高了公司产品和服务的整体
质量。公司拥有研发部、运营部、销售部等多个业务部门,且各部门职能相对独立;
同时,公司的质量部协助其他部门制定其操作规范、记录和整理日常的工作文档、监
督和指导各部门的工作和质量控制流程,其贯穿产品开发、生产、运营和销售的整个
过程。
  结合行业惯例和客户需求情况,公司目前采用“经销加直销”的销售模式,即公
司通过经销商销售产品,也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式下,公司与经
销商的关系主要为买断式销售关系,公司将产品送至经销商或者经销商指定地点;在
直销模式下,公司直接将产品销售给终端客户,公司将产品送至客户指定地点。
  公司仓管人员负责产品发运,市场销售部负责公司产品的销售和售后服务。收到
经销商或者公司直接客户对产品的咨询和问价后,市场销售部人员根据产品信息向客
户进行报价。客户确认报价单内容后向公司下订单,市场销售部在收到客户订单后确
认订单的产品名称、规格型号、数量和交期后,根据对客户承诺的出货计划安排发货,
客户收货验收后按照合同约定账期付款。
  公司建立了完善的客户管理制度,对于长期合作客户,公司与其签订框架合作协
议,并安排专员提供全方位服务;对于其他客户,公司根据订单向其供货。半导体行
业上下游之间粘性较强,公司产品需要通过较为严格的质量认证测试,一旦受到客户
的认可和规模化使用后,双方将形成长期稳定的合作关系。
  报告期内,公司经销模式和直销模式实现的主营业务收入和占比情况如下表所示:
苏州东微半导体股份有限公司                                                             招股意向书
                                                                          单位:万元
 销售    2021 年 1-6 月           2020 年度            2019 年度              2018 年度
 模式    金额         占比       金额        占比        金额          占比       金额         占比
 经销   20,587.49   64.17% 19,756.70    63.98%   13,407.20   68.39% 11,396.88    74.57%
 直销   11,494.94   35.83% 11,122.04    36.02%    6,197.46   31.61%   3,886.64   25.43%
 合计   32,082.43 100.00% 30,878.74    100.00%   19,604.66 100.00% 15,283.52 100.00%
  (1)经销模式
  经销模式是公司主要的销售模式之一。在经销模式下,经销商可以帮助芯片设计
企业快速地建立销售渠道、扩大市场份额,实现产品和资金的较快周转,节省了公司
的资金及资源投入,有利于芯片设计企业将主要精力投入到产品研发及供应链管控环
节,协助公司进行终端客户的日常关系维护和售后服务,有效的分担了业务规模快速
扩大给公司销售、售后服务和客户管理等方面带来的成本压力,提升了公司的运作效
率和响应速度。
  经销商管理方面,公司设立了《代理商管理制度》,建立了成熟完善的经销商管
理制度,包括完整的经销商引入准则及管理准则。经销商引入方面,公司综合评估经
销商的信誉、资金实力、公司规模、行业地位、人力资源和服务水平等方面择优选
择;经销商管理方面,公司对经销商的考核方式、淘汰机制进行了规定,并约定了销
售折扣、退换货政策,内控规范等并有效执行。
  在经销模式下,经销商需先行报备主要终端客户情况,报备成功后终端客户将采
购需求告知经销商,随后经销商进行询价,公司向经销商报出合理价格,并由经销商
将订单下达至公司,后续的出货、开票、付款和对账均由公司与经销商双方完成。
  (2)直销模式
  随着公司的业务持续发展、产品质量的提高和技术的创新,公司获得了良好的品
牌认知度及商业信誉,部分终端客户逐渐选择直接向公司采购产品。
  直销模式的业务流程与上述经销模式基本相同,主要区别在于,终端客户与公司
直接进行货物和货款的往来。与经销模式相比,直销模式有利于为终端客户缩短销售
环节、节约采购成本、优化服务内容以及提高需求的响应速度。同时,公司可以更好
地把握客户的需求,提供定制化产品与服务。
苏州东微半导体股份有限公司                    招股意向书
  考虑到功率器件品类多、应用广的特点和公司当前销售人员有限的情况,公司目
前主要与采购量大、知名度高、长期合作的行业龙头终端客户进行直销模式的合作。
公司与此类客户签署框架合作协议,并安排市场部客服人员提供全方位服务。
  报告期内,公司直销模式占比增长,主要系公司逐步建立品牌影响力,提升市场
占有率,逐步获得行业龙头企业的认可并与其进行直接合作。
  (3)境外销售模式
  公司境外销售模式与境内销售模式基本相同,但是出于提高经营效率、节省管理
成本的考虑,公司的境外销售通过外贸综合服务企业深圳中电投资股份有限公司
(“中电投资”)报关出口给境外客户。
  公司境外模式的主要流程如下:公司开发境外客户,与境外客户达成买卖意向
后,约定采购品种、规格型号、数量、价格、交货期、结算方式等,其后公司与中电
投资签订内贸合同,公司将货物运至中电投资,由其办理出口报关并发货给境外客
户。境外客户签收后向中电投资支付货款,中电投资再根据内贸合同向公司支付采购
货款。
  根据公司与中电投资签订的协议约定,中电投资仅负责为公司提供代理报关及境
外运输服务等,不承担相关交易风险。报告期内,公司不存在依赖中电投资销售渠道
进行境外销售拓展的情形。
  自创立以来,公司汇聚了国内外优秀的技术和管理专家,积累了丰富的产品开发
和营销的经验,经过多年的摸索和融合,逐渐建立了符合自身发展的管理理念和管理
体系。公司在日常管理中采用了关键绩效指标管理和综合评分制,会与每个员工明确
各自的主要责任,并以此为基础设立相应的业绩衡量指标。
  从管理架构上,公司采取矩阵式管理。具体而言,公司根据专业分工设置了研
发、运营、销售等多个业务部门,研发部又下设不同分支分部。在进行具体产品项目
开发、客户服务等过程中,公司按需调集不同部门的人员组成项目组,此时专业部门
和项目之间形成了矩阵。矩阵式管理既保持了产品开发及售后维护的专业性,不断提
苏州东微半导体股份有限公司                         招股意向书
高和积累技术能力,又能明确项目的责任人和各成员的分工和目标,以确保相应任务
高质量完成。
(五)公司设立以来主营业务、主要产品或服务、主要经营模式的演变情况
  自设立以来,公司专注于半导体器件的研发与销售,始终保持 Fabless 的经营模式。
  公司各系列产品的重大发展时间如下图所示:
(六)生产经营中涉及的主要环境污染物、主要处理设施及处理能力
  公司经营模式为 Fabless 模式,专注于芯片的研发设计与销售,不涉及晶圆制造、
封装、测试等生产环节。公司生产经营中不涉及产生环境污染物或有害物体。
苏州东微半导体股份有限公司                         招股意向书
二、发行人所处行业基本情况
(一)公司所属行业及确定所属行业的依据
  公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,所处行
业属于半导体行业中的功率半导体领域。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》
(2012 年修订),公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”,
行业代码“C39”。 根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类
(GB/T 4754-2017)》,公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”
(C39)。
(二)行业主管部门及管理体制、主要法律法规及政策
  中国半导体行业行政主管部门主要为中华人民共和国工业和信息化部。工信部主
要负责制定行业发展战略、发展规划及产业政策;拟定技术标准,指导行业技术创新
和技术进步;组织实施与行业相关的国家科技重大专项研究,推进相关科研成果产业
化。
  中国半导体行业自律组织是中国半导体行业协会,主要负责贯彻落实政府产业政
策、开展产业及市场研究及向会员单位和政府主管部门提供咨询服务、行业自律管理
以及代表会员单位向政府部门提出产业发展建议和意见等。
  半导体行业内企业在主管部门的产业宏观调控和行业协会自律规范的约束下,面
向市场自主经营,自主承担市场风险。《集成电路产业 “十二五”发展规划》《国家
集成电路产业发展推进纲要》等一系列政策法规的提出对大力发展半导体行业产生了
积极而又深远的影响。
  半导体行业是国民经济支柱性行业之一,其发展程度是衡量一个国家科技发展水
平的核心指标。功率半导体是半导体行业的重要组成部分,关系到我国智能电网、高
铁动力系统、汽车动力系统等关键零部件的自主可控战略,属于国家高度重视和鼓励
发展的行业。近年来,为进一步鼓励国内半导体的整体发展,打破外国垄断,增强科
苏州东微半导体股份有限公司                                             招股意向书
技竞争力,国家相关部委出台了一系列支持和引导功率半导体行业发展的政策法规,
主要如下:
序号 发布时间 发布单位            政策名称                 与行业相关内容
                                   将集成电路及专用装备作为“新一代信息技术产
                                   业”纳入大力推动突破发展的重点领域,着力提
                                   升集成电路设计水平,要求着力提升集成电路设
                                   具,掌握高密度封装及三维组装技术,提升封装
                                   产业和测试的自主发展能力,形成关键制造装备
                                   供货能力
                                   鼓励新一代信息技术产业,其中包含电子核心产
                                   业下新型元器件:电力电子功率器件,包括金属
                     《战略性新兴产业      氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双
                     重点产品和服务指      极晶体管芯片(IGBT)及模块、快恢复二极管
                     版)            (VDMOS)可控硅(SCR)、5 英寸以上大功率
                                   晶闸管(GTO)、集成门极换流晶闸管
                                   (IGCT)、中小功率智能模块。
                                   大力支持集成电路、航空发动机及燃气轮机、网
                     《国务院办公厅关      络安全、人工智能等事关国家战略、国家安全等
                     若干意见》         及新经济发展,促进学科专业交叉融合,加快推
                                   进新工科建设。
              财政部、                 对满足要求的集成电路生产企业实行税收优惠减
                     《关于集成电路生
               税务总                 免政策,符合条件的集成电路生产企业可享受前
                     产企业有关企业所
                     得税政策问题的通
              委、工信                 的法定税率减半征收企业所得税,并享受至期满
                     知》
                部                  为止的优惠政策
                                   依法成立且符合条件的集成电路设计企业和软件
                   《关于集成电路设
                                   企业,在 2018 年 12 月 31 日前自获利年度起计算
              财政部、 计和软件产业企业
              税务总局 所得税政策的公
                                   年至第五年按照 25%的法定税率减半征收企业所
                   告》
                                   得税,并享受至期满为止
                                   鼓励类中包括“城市轨道交通装备:轨道车辆交
                                   流牵引传动系统、制动系统及核心元器件(含
                                   IGCT、IGBT 元器件、SiC 元器件)等;铁路:干
                                   线轨道车辆交流牵引传动系统、制动系统及核心
                     《产业结构调整指      元器件(含 IGCT、IGBT 元器件);新能源汽车关
                     本)》           ≥750V,电流≥300A);信息产业:新型电子元器
                                   件(片式元器件、电力电子器件、光电子器件、
                                   敏感元器件及传感器、新型机电元件、高频微波
                                   印制电路板、高速通信电路板、柔性电路板、高
                                   性能覆铜板等)等电子产品用材料。
                                   制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要,
              中共中央
                   《国家信息化发展        以体系化思维弥补单点弱势,打造国际先进、安
                   战略纲要》           全可控的核心技术体系,带动集成电路、基础软
               国务院
                                   件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破
苏州东微半导体股份有限公司                                          招股意向书
序号 发布时间 发布单位             政策名称               与行业相关内容
                               聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成
                      《新时期促进集成
                               电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、
                      电路产业和软件产
                      业高质量发展的若
                               探索构建社会主义市场经济条件下关键核心技术
                      干政策》
                               攻关新型举国体制。
               财政部、
                      《关于促进集成电
                税务总            国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业,
                      路产业和软件产业
                      高质量发展企业所
               委、工信            税,接续年度减按 10%的税率征收企业所得税
                      得税政策的公告》
                 部
                                     纲要指出,需要集中优势资源攻关多领域关键核
                      《中华人民共和国
                                     心技术,其中集成电路领域包括集成电路设计工
                      国民经济和社会发
                                     具开发、重点装备和高纯靶材开发,集成电路先
                                     进工艺和绝缘栅双极晶体管(IGBT)、微机电系
                      划和 2035 年远景目
                                     统(MEMS)等特色工艺突破,先进存储技术升
                      标纲要》
                                     级,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。
     上述政策法规的发布和落实,为半导体产业的发展提供了良好的政策环境,推动
了半导体产业在近年来迅速发展。
(三)功率半导体行业概况
     (1)全球半导体行业发展概况
     半导体是电子产品的核心,信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生
产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点,全球半导
体行业具有一定的周期性,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等
因素密切相关。
     根据全球半导体贸易组织统计,全球半导体行业 2019 年市场规模达到 4,123 亿美
元,较 2018 年下降约 12.1%。过去五年,随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费
电子市场的快速发展,以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起,带动了
整个半导体行业规模增长。
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
资料来源:全球半导体贸易统计组织
  (2)中国半导体行业发展概况
  我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力
下,中国半导体行业不断发展。步入 21 世纪以来,我国半导体产业市场规模得到快速
增长。2020 年,中国半导体产业市场规模达 8,848 亿元,比上年增长 17.01%。2013-
增速。
数据来源:中国半导体行业协会
苏州东微半导体股份有限公司                      招股意向书
  随着近年《国家集成电路产业发展推进纲要》《中国制造 2025》《国家信息化发
展战略纲要》等重要文件的出台,以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的
日益重视,我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着 5G、AI、物联网、自动驾
驶、VR/AR 等新一轮科技逐渐走向产业化,未来十年中国半导体行业有望迎来进口替
代与成长的黄金时期,逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。
在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下,加速进口替代、实现半导体产业自主
可控已上升到国家战略高度,中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。
  (1)功率半导体介绍
  功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中
电压和频率、直流交流转换等。近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体的应
用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸
多市场,市场规模呈现稳健增长态势。
                功率半导体产品范围示意图
注:绿色部分为公司业务范围
苏州东微半导体股份有限公司                                        招股意向书
  功率半导体可以分为功率 IC 和功率分立器件两大类,其中功率分立器件主要包括
功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT 等产品。在功率半导体发展过程
中,20 世纪 50 年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世
纪 60 至 70 年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20 世纪 70 年代末,平面型功率
MOSFET 发展起来。20 世纪 80 年代后期,沟槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世,
半导体功率器件正式进入电子应用时代。20 世纪 90 年代,超级结 MOSFET 逐步出现,
打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。 对国内市场而言,
功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而 功率
MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复
杂度,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间巨大。
  (2)功率 MOSFET 的技术发展情况
  随着社会电气化程度的不断提高,功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的
要求。对于功率 MOSFET 而言,技术驱动的性能提升主要包括三个方面:更高的开关
频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标,功率器件主要经
历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上,
线宽制程从 10 微米缩减至 0.15-0.35 微米,提升了功率器件的密度、品质因数(FOM)
以及开关效率。在器件结构改进方面,功率器件经历了平面(Planar)、沟槽
(Trench)、超级结(Super Junction)等器件结构的变化,进一步提高了器件的功率
密度和工作频率。在材料方面,新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅(SiC)、
氮化镓(GaN)材料,进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗,也改善了其高温特性。
  MOSFET 功率器件的技术的整体演进情况如下表所示:
 方式名称           演进特点                 代表案例           影响
                                                 提升了功率器件的密
         线宽的缩小,但不追求 90nm     线宽制程从 10 微米缩减至        度、品质因数
 工艺进步
            以下的先进工艺             0.15-0.35 微米     (FOM)以及开关
                                                     效率
                            经历平面(Planar)、沟槽
       采用新型器件结构设计改善                              进一步提高了器件的
器件结构改进                      (Trench)到超级结(Super
           器件特性                                  功率密度和工作频率
                             Junction)等结构的演进
                                                 进一步提升了器件的
 使用宽禁带
           半导体材料的改变              SiC/GaN 功率器件    开关特性、降低了功
  材料
                                                 耗,改进了高温特性
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
  (3)功率 MOSFET 的行业发展趋势
  采用新型器件结构的高性能 MOSFET 功率器件可以实现更好的性能,从而导致采
用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功
率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能 MOSFET 功率器件生产
工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率 MOSFET 进行替代。同时,随着各
个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产
品升级。因此,高性能 MOSFET 功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。
未来的 5 年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽 MOSFET
将替代部分平面 MOSFET;屏蔽栅 MOSFET 将进一步替代沟槽 MOSFET;超级结
MOSFET 将在高压领域替代更多传统的 VDMOS。
  第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度大、电子迁移率高、热
导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,
由于新能源汽车、5G 等新技术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产业化变得更
加迫切。得益于 SiC MOSFET 在高温下更好的表现, SiC MOSFET 在汽车电控中将逐
步对硅基 IGBT 模块进行替代。根据 Yole 的数据,2019 年应用在新能源汽车的 SiC 器
件市场规模为 2.25 亿美元,预计到 2025 年将增长至 15.53 亿美元,复合增长率为 38%。
第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布多个政策积极推进第三代半
导体行业的发展,例如 2019 年国务院发布《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》,
提出要加快培育一批第三代半导体企业。
  除了 MOSFET 功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求
也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大
功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,
其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块
中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用
领域。随着新能源汽车、5G 技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据
苏州东微半导体股份有限公司                                                    招股意向书
Omdia 预测,2020-2024 年分立器件市场增速为 2.8%,而功率模块市场增速为 9.2%,
高于分立器件市场增速。
      (4)功率半导体市场规模与竞争格局
      根据 Omdia 预测,2019 年全球功率半导体市场规模约为 464 亿美元,预计至 2024
年市场规模将增长至 522 亿美元,2019-2024 的年化复合增长率为 2.4%。
数据来源:Omdia
      在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂
商 , 包 括 英 飞 凌 ( Infineon ) 、 德 州 仪 器 ( Texas Instruments ) 、 安 森 美 ( ON
Semiconductor)、意法半导体(ST Microelectronics)等。行业整体集中度较低,2019
年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为 13.49%,前十大企业市场
份额合计为 51.93%。全球功率半导体行业竞争格局如下表所示:
                                                               单位:百万美元
 排名                     公司                     2019 年销售额       市场份额
苏州东微半导体股份有限公司                                            招股意向书
 排名                     公司             2019 年销售额        市场份额
                   合计                       24,069.39     51.93%
数据来源:Omdia
      目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也
是全球最大的功率半导体消费国,2019 年市场规模达到 177 亿美元,增速为-3.3%,占
全球市场比例高达 38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024 年市场
规模有望达到 206 亿美元,2019-2024 年的年化复合增长率达 3.1%。
数据来源:Omdia
      从中国市场看,我国功率半导体产业仍处于起步阶段。2019 年中国市场销售额前
十的厂商中,仅有吉林华微电子一家中国本土公司。不过,在国内市场需求增长及半
导体产业链整体向国内转移的推动下,我国涌现了部分优秀半导体功率器件企业,如
苏州东微半导体股份有限公司                                                   招股意向书
华润微电子、扬杰科技、士兰微、新洁能等。中国功率半导体行业竞争格局如下表所
示:
                                                              单位:百万美元
 排名                     公司                    2019 年销售额       市场份额
                   合计                              9,129.48      51.54%
数据来源:Omdia
      (5)功率分立器件市场规模
数据来源:Omdia
苏州东微半导体股份有限公司                                     招股意向书
  根据 Omdia 数据,2019 年全球功率分立器件市场规模约为 160 亿美元。MOSFET
器件是功率分立器件领域中占比最大的产品,全球市场份额达到 52.51%;IGBT 为第
三大产品,2019 年全球市场份额达到 9.99%。中国市场中,MOSFET、IGBT 占 2019
年中国功率分立器件市场份额分别为 53.98%与 9.77%,总体比例与全球市场的情况基
本一致。MOSFET 主要应用于中小功率场合如电脑电源、家用电器、工业电源、充电
桩等,具有门极输入阻抗高、驱动功率小、电流关断能力强、开关速度快、开关损耗
小等优点。
数据来源:Omdia
  (1)MOSFET 器件
  MOSFET 全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电
路的场效应晶体管。MOSFET 器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范
围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个
领域。
计市场规模下降至 73.88 亿美元,但预计未来全球 MOSFET 器件市场将继续保持平稳
回增,2024 年市场规模有望恢复至 77.02 亿美元。
苏州东微半导体股份有限公司                                                    招股意向书
数据来源:Omdia
前十大公司市场占有率达到 74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国
本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比 3.93%、3.09%和 1.80%。
                                                               单位:百万美元
 排名                        公司                  2019 年销售额       市场份额
                      合计                            6,266.11      74.42%
数据来源:Omdia
苏州东微半导体股份有限公司                                                   招股意向书
      根据 Omdia 的统计,2019 年我国 MOSFET 器件市场规模为 33.42 亿美元,2017
年-2019 年复合年均增长率为 7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用
领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电
子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C 接
口的持续渗透持续带动 MOSFET 器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET 器件在
电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等
功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。
数据来源:Omdia
十大公司市占率达到 74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的
安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比 4.79%、3.34%、3.28%和 2.93%。
                                                              单位:百万美元
 排名                     公司                     2019 年销售额      市场份额
苏州东微半导体股份有限公司                                               招股意向书
 排名                     公司                 2019 年销售额       市场份额
                   合计                           2,490.96     74.54%
数据来源:Omdia
      (2)超级结 MOSFET
      继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器
件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率
MOSFET 开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够
降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于 MOSFET 的导通电
阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通 MOSFET 导通阻抗大,难
以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结 MOSFET 结构由此被提出。
               高压 VDMOS                      超级结 MOSFET
      超级结 MOSFET 全称超级结型 MOSFET,是 MOSFET 结构设计的先进技术。该
结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压 VDMOS
采用平面栅结构。由于击穿电压与 N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压
需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增
加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结 MOSFET 的漂移区具有多个 P 柱,可以补
苏州东微半导体股份有限公司                                  招股意向书
偿 N 区中的电荷。在器件关断时,N 型外延层和 P 柱相互耗尽,可以在 N 型外延层掺
杂浓度比高压 VDMOS 对应的 N 外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件
导通时, N 掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电
阻特性。由于超级结 MOSFET 的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同
的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压 VDMOS,因此常用于高能效和
高功率密度的快速开关应用中。
  相较于普通硅基 MOSFET 功率器件,高压超级结 MOSFET 功率器件系更先进、
更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着 5G 通讯、汽车电动化、高性能充电
器等应用领域的发展,高压超级结 MOSFET 将拥有更快的市场增速。根据 Omdia 和
Yole 的统计及预测, 2020 年与 2025 年硅基 MOSFET 的晶圆月出货量(折合 8 英寸)
分别为 59.7 万片与 73.9 万片,年均复合增长为 4.3%。其中,超级结 MOSFET 由 23.8
万片增长至 35.1 万片,年均复合增长率为 8.1%,增长速度约为普通硅基 MOSFET 功
率器件的两倍左右。
  IGBT 全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管 BJT 和 MOSFET 组成的复合全
控型电压驱动式功率器件。IGBT 具有电导调制能力,相对于 MOSFET 和双极晶体管
具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT 被广泛应用于逆变器、变频器、开
关电源、照明电路、牵引传动等领域。
  随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等
应用需求增长,全球 IGBT 分立器件市场将持续扩大。根据 Omdia 的统计,2019 年市
场规模为 16.03 亿美元,2017-2019 年复合年均增长率为 11.73%,2024 年市场规模有
望达到 16.82 亿美元。
苏州东微半导体股份有限公司                                                     招股意向书
数据来源:Omdia
前十大公司合计占比达到 75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为
                                                                单位:百万美元
 排名                         公司                  2019 年销售额       市场份额
                       合计                            1,208.96      75.42%
数据来源:Omdia
苏州东微半导体股份有限公司                                                   招股意向书
      根据 Omdia 的统计,2017 年我国 IGBT 分立器件市场规模为 4.26 亿美元,2019 年
为 6.05 亿美元,对应复合年均增长率为 19.17%。IGBT 是国家 16 个重大技术突破专项
中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT 广泛
应用于新能源汽车和白色家电中;在 1700V 以上的高电压领域,IGBT 广泛应用于轨
道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。
数据来源:Omdia
公司合计占比达到 69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分
别为 4.71%、3.65%。
                                                              单位:百万美元
 排名                      公司                    2019 年销售额      市场份额
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
 排名                      公司                2019 年销售额      市场份额
                    合计                           420.92     69.57%
数据来源:Omdia
      除了 IGBT 分立器件外,IGBT 模块为另一重要产品类型。2019 年,全球整体
IGBT 的市场规模为 60.66 亿美元,中国 IGBT 市场规模为 23.98 亿美元。具体如下图
所示:
注:包括 IGBT 分立器件与模块
数据来源:Omdia
      我国 IGBT 产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了
技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT 是电控系统和直流充电桩的核心
器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT 产业将迎来黄金发展期。
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
(四)功率器件应用发展机遇
  受益于新能源汽车和 5G 产业的高速发展,充电桩、5G 通讯基站及车规级等市场
对于高性能功率器件的需求将不断增加,高压超级结 MOSFET 为代表的高性能产品在
功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。
  (1)发展机遇
《政府工作报告》中强调“建设充电桩,推广新能源汽车,激发新消费需求、助力产
业升级”。公安部交通管理局公布数据显示,截至 2020 年 6 月新能源汽车保有量有
量的高速增长,新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长,截止 2019 年 12
月,全国充电基础设施累计数量为 121.9 万个,其中公共桩 51.6 万个,私人桩 70.3 万
个,充电场站建设数量达到 3.6 万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的
机构置办,服务对象面向所有电动汽车车主。2015 年至 2019 年,全国公共充电桩的
数量由 5.8 万个增长至 51.6 万个,复合年增长率达到了 72.9%。
  近几年来,我国充电站同样有快速发展,充电站保有量已由 2015 年 1,069 座增加
到 2019 年的 35,849 座,复合年增长率为 140.64%。充电站密度越来越高,电动汽车车
主充电便利性也得到了大幅改善。
苏州东微半导体股份有限公司                                       招股意向书
                                                    单位:桩
数据来源:《2019-2020 年度中国充电基础设施发展报告》
     “新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面:① 驱动公共桩建设提质且区
域均衡发展,直流桩占比将持续提升,省份间差异有望缩小。② 推动优质场站建设,
完善配套设施申报流程办理。③ 推动小区、商场等停车位充电桩建设。④ 促进对运营
商的建设与充电运营流程支持。
     (2)超级结 MOSFET 功率器件迎来快速发展机遇
     充电桩按充电能力分类,以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流
桩,交流充电桩需要借助车载充电机,充电速度较慢,一辆纯电动汽车(普通电池容
量)完全放电后通过交流充电桩充满通常需要 8 个小时。直流充电桩俗称“快充”,
固定安装在电动汽车外,与交流电网连接,通常仅需要不到 2-3 小时即可将一辆纯电
动汽车电池充满。
                         每充电 1 小时增加的
     充电类别      充电能力                       充电地点    示意图
                             里程
            或 20A                         所
苏州东微半导体股份有限公司                                                   招股意向书
                            每充电 1 小时增加的
   充电类别         充电能力                          充电地点           示意图
                                里程
直流快速充电       440 或 480VAC   ~80% <30min.      公共充电桩
   目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广
泛,对应的充电功率分为 3.5kW 和 7kW,其中,公共交流桩充电功率以 7kW 为主。
三相交流桩的主要功率为 21kW、40kW 和 80kW,但整体数量较少。从 2016-2019 年
新增公共交流桩平均功率来看,平均功率基本保持在 8.7kW 上下。高端三相交流桩主
要使用三相维也纳输入整流器(Power Factor Correction ,“PFC”),其中部分功率
器件的领先解决方案使用了超级结 MOSFET。
   公共直流充电桩一般输入电压为 380V。根据 2016-2019 年新增公共直流桩平均功
率数据,公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中 2017 年上涨幅度最大,从 69.23kW 提
高到 91.65kW,而到了 2019 年虽然维持上涨趋势,但由于目前市场的公共直流桩充电
功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求,故 2019 年新增公共直流桩平均充电功
率小幅提高,达到 115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在 120kW 左
右。
   在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下,其采用的功率器件以高压
MOSFET 为主。超级结 MOSFET 因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率
密度成为主流的充电桩功率器件应用产品,具体应用于充电桩的功率因数校正(Power
Factor Correction , “ PFC ” ) 、 直 流 - 直 流 变 换 器 以 及 辅 助 电 源 模 块 等 。 超 级 结
MOSFET 将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计,100kW 的充电桩需要功率
器件价值量在 200-300 美元,预计随着充电桩的不断建设,功率器件尤其是超级结
MOSFET 将迎来高速发展机遇。
苏州东微半导体股份有限公司                                 招股意向书
  (1)5G 建设规模
发言人指出,中国已累计建成 5G 基站 71.8 万个,推动共建共享 5G 基站 33 万个。
数据来源: 前瞻产业研究院
  (2)5G 基站拉动功率半导体需求
为密集,带来更大的电源供应需求;2)射频端功率半导体用量提升;3)雾计算为功
率半导体带来增量市场;以及 4)云计算拉动计算用功率半导体用量。
  ① 5G 基站带来更多的电源供应需求。
  根据华为官网公布的数据显示,4G 基站所需功率为 6.877kW,而 5G 基站所需功
率为 11.577kW,提升幅度达到 68%。对于多通道基站,功率要求甚至可能达到 20kW。
更高的覆盖密度、更大的功率需求对 MOSFET 等功率器件产生了更大的需求。
苏州东微半导体股份有限公司                                   招股意向书
  基站数量方面,5G 通信频谱分布在高频段,信号衰减更快,覆盖能力大幅减弱,
相比于 4G,通信信号覆盖相同的区域,5G 基站的数量将大幅增加。根据新 PCB 产业
研究所调查,目前 4G 基站的分布密度为密集城市中心区域 500 米/个,郊区 1,500 米/
个,农村 5,000 米/个。5G 覆盖城市中心区域大约需要 250 米/个,郊区 750 米/个,农
村 2,000 米/个,总体基站数量需求是 4G 的 2-3 倍。
  ② Massive MIMO 技术的采用使得基站射频端需要 4 倍于原来的功率半导体。
  MIMO 即多进多出,指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个
信道的天线系统,可以极大地提高信道容量。Massive MIMO 即大规模天线,可以在
不增加频谱资源和天线发送功率的情况下,提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量
上,传统网络天线的通道数为 2/4/8 个,而 Massive MIMO 通道数可以达到 64/128/256
个。信号覆盖维度上,传统 MIMO 为 2D 覆盖,信号只能在水平方向移动,不能在垂
直方向移动,类似与平面发射。而 Massive MIMO 的信号辐射状是电磁波束,可以利
用垂直维度空域。
平方成正比,毫米波的信号衰减严重,而发射功率又受到限制,所以 5G 网络部署需
要增加发射天线和接收天线的数量,使用 Massive MIMO 技术。根据英飞凌的统计,
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
传统 MIMO 天线需要的功率半导体价值大约为 25 美元,而过渡为 Massvie MIMO 天线
阵列后,所需的 MOSFET 等功率半导体价值增加至 100 美元,达到原来的 4 倍。
  ③ 雾计算中心的出现带来全新增量市场。
  与云计算相比,雾计算所采用的架构呈分布式,更接近网络边缘。雾计算将数据、
数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中,数据的存储及处理更依赖本地设备,
本地运算设备的增加带动 MOSFET 用量提升。
  ④ 5G 时代数据量大幅增加,云计算中心扩容带动功率半导体用量提升。
  一方面,5G 具备更高的速率,其理论上能提供最高 10Gbps 的峰值传输速率,相
比于 4G 100Mbps 的峰值速率提升了 100 倍,使得蜂窝网络传输承载的数据量变大。
另一方面,5G 大连接的特性推动了物联网行业的发展,众多物联网终端均是数据的提
供者。数据量的快速提升创造了巨大的数据运算需求,推动了云计算中心的扩容,整
体运算功率提升,增加了 MOSFET 等功率半导体的应用需求。
  综上所述,5G 通信基站建设将带来巨大的功率半导体需求,主要驱动力来自于基
站密集度和功率要求、Massive MIMO 射频天线、雾运算和云计算的需求提升。
  (3)超级结 MOSFET 可更好地满足 5G 基站需求
出更大功率,决定因素在于能否降低功率变换产生的损耗。依据拓扑的不同,功率器
件的损耗约占总损耗的 30%~80%,因此降低功率器件的损耗对于提高输出功率、提高
效率具有决定性意义。对于开关电源中常用的功率器件 MOSFET,其损耗包括开关损
耗和导通损耗,只有将开关损耗和导通损耗两者都降低才可以降低器件的整体损耗。
  与传统 MOSFET 技术相比,采用电荷平衡理论的超级结 MOSFET 功率器件能够
显著降低高电压下 MOSFET 单位面积的导通电阻。由于导通损耗与导通电阻成正比,
超级结器件在导通损耗方面具有很大的优势;同时,开关时间越短,开关过程的能量
损耗就越低。超级结 MOSFET 拥有极低的 FOM 值,从而拥有极低的开关能量损耗和
驱动能量损耗。因此,超级结 MOSFET 可以更好地满足 5G 基站建设需求。
  (1)新能源汽车市场规模
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
  新能源汽车具有成本、效率和环保等优势。随着产业链逐步成熟、消费者认知度
提高、产品多元化以及使用环境的优化和改进,新能源汽车越来越受到消费者的认可,
预计未来新能源汽车的渗透率将不断提高。
数据来源:英飞凌
  与传统内燃机汽车相比,包括了轻度混合动力汽车、插电式混合动力汽车和纯电
动汽车的新能源车型的渗透率增长迅速。2023 年新能源车产量将超过新车总产量的
万辆,同比增长 10.9%,其中纯电动汽车销量达到 111.5 万辆,同比增长 11.6%;插电
式混合动力汽车销量为 25.1 万辆,同比增长 8.4%。
年均增长率为 34%左右。
  (2)车规级功率半导体
  随着汽车电动化、智能化、网联化的变动趋势,新能源汽车对能量转换的需求不
断增强,汽车电子将迎来结构性变革,推动车规级功率器件发展。
苏州东微半导体股份有限公司                                  招股意向书
  在传统燃料汽车中,汽车电子主要分布于动力传动系统、车身、安全、娱乐等子
系统中。对于新能源汽车而言,汽车不再使用汽油发动机、油箱或变速器,而由“三
电系统”即电池、电机、电控系统取而代之。为实现能量转换及传输,新能源汽车中
新增了电机控制系统、DC/DC 模块、高压辅助驱动、车载充电系统 OBC、电源管理
IC 等部件,其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看,汽车半导体可大致
分为功率半导体(IGBT 和 MOSFET 等)、MCU、传感器及其他等元器件。根据
Strategy Analytics 分析,传统燃料汽车中功率半导体芯片的占比仅为 21.0%,而纯电动
汽车中功率半导体芯片的占比高达 55%。
  相较于燃料汽车,电动车功率器件对工作电流和电压有更高要求。新增需求主要
来自以下几个方面:逆变器中的 IGBT 模块、DC/DC 中的高压 MOSFET、辅助电器中
的 IGBT 分立器件、OBC 中的超级结 MOSFET。功率半导体是新能源汽车价值量提升
最多的部分,需求端主要为 IGBT、MOSFET 及多个 IGBT 集成的 IPM 模块等产品。
(五)发行人的技术水平及特点、取得的科技成果与产业深度融合的具体情况
  公司致力于具有高技术含量的功率器件的研发和销售,是国内率先量产高性能工
业超级结 MOSFET 的企业之一。目前的主要产品为 GreenMOS 系列高压超级结器件、
SFGMOS 系列中压屏蔽栅器件,并在逐步拓展具有超低优值的 Super-Si 超级硅、新型
Tri-gate 结构的 IGBT 及 Hybrid-FET 等产品。产品技术特点描述请见 “第六节 业务与
技术”之“一、公司主营业务及主要产品和服务情况”之“(二) 主要产品情况”及
“第六节 业务与技术”之“九、公司核心技术及研发情况”之“(一)核心技术及其
技术来源”。
  秉持先进的半导体功率器件设计技术和制造工艺研发能力,公司在上述领域均拥
有核心技术,并对部分核心技术申请了专利保护。公司拥有完整的研发体系,核心技
术来源于公司及其创始团队自主研发。报告期内,公司累计研发投入 6,055.89 万元,
占营业收入的比例为 6.19%。截至 2021 年 6 月 30 日,公司已获授权的专利 53 项,包
括境内专利 38 项,其中发明专利 37 项、实用新型专利 1 项,以及境外专利 15 项。
  公司持续对功率半导体产业中具有前瞻性和市场前景的方向开展技术研究,结合
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
客户对产品的前沿需求和供应商的工艺能力,不断将取得的科技成果转化为具有高性
能、高可靠性的半导体功率器件产品。
     公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,其产品
已被广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器
电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域,以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、
手机快速充电器为代表的消费电子应用领域,并在多个细分领域成为国内领先。
三、发行人的行业地位及竞争情况
(一)发行人产品或服务的市场地位
     基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力,
公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一,是少数能在超级结 MOSFET 领域突
破海外技术垄断的本土公司之一。
     在市场份额方面,公司在全球 MOSFET 功率器件市场份额中位列中国本土企业前
十。根据 Omdia 统计报告,2019 年全球 MOSFET 销售额为 84.20 亿美元,销售额排名
前列的均为海外 MOSFET 厂商;在中国本土厂商中,2019 年公司的 MOSFET 销售收
入位列第七位。2019 年中国本土领先功率半导体厂商 MOSFET 全球销售收入如下图所
示:
                                                     单位:百万美元
                                                       市场份额增
排名            公司       销售额           较上年增长率      市场份额
                                                        长率
            合计           1,074.91       5.48%     12.77%     6.11%
苏州东微半导体股份有限公司                                招股意向书
数据来源:除东微半导体以外,销售额来源为 Omdia;东微半导体销售额为公司经审计的销售收入
按照中国人民银行公布的 2019 年汇率平均值折算为美元后数据
  在技术水平方面,公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优
化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术,产品的关键技术指标达
到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压领域,公司亦积累了包括优化电荷平衡、
自对准加工等核心技术,产品的关键技术指标达到了国内领先水平。
  在产品结构方面,公司的功率器件产品以具有更高技术含量的高压超级结
MOSFET 产品为主。报告期内,公司的高压超级结 MOSFET 产品销售收入占比分别为
市场份额,公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间,发展空间巨大。
  在产品应用领域方面,公司以工业级应用为主,包括新能源汽车直流充电桩、5G
基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等。由于工业级应用对功
率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用,其产品平均单价也较消费级
应用的产品平均单价更高。根据 Omdia 数据,2019 年中国市场 MOSFET 功率器件平
均销售价格为 1.04 元/颗,全球市场为 1.25 元/颗。同行业可比上市公司新洁能 2019 年
度功率器件成品的平均销售单价为 0.44 元/颗,其中超级结 MOSFET 平均销售单价为
平均以及可比公司水平。
  (1)高压超级结 MOSFET 市场
  根据 Omdia,2020 年度全球高压超级结 MOSFET 产品的市场规模为 9.4 亿美元,
并将于 2024 年达到 10.0 亿美元。采用超级结结构的高压 MOSFET 相对于普通高压
MOSFET 具有更高的成长性,预计在高压 MOSFET 市场的占比将持续提升,主要系下
游应用领域推动技术发展以及行业生态不断向更高性能的产品演进所致。
  根据 Omdia,2020 年度中国高压 MOSFET 的市场规模占全球高压 MOSFET 市场
的比例为 44.4%。采用该比例进行估算,2020 年度中国高压超级结 MOSFET 的市场规
模约为 4.2 亿美元,2024 年度中国高压超级结 MOSFET 的市场规模约为 4.4 亿美元。
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
   与 MOSFET 器件的整体竞争格局相似,高压超级结细分市场主要被海外厂商占据,
包 括 英 飞 凌 ( Infineon ) 、 德 州 仪 器 ( Texas Instruments ) 、 安 森 美 ( ON
Semiconductor)、意法半导体(ST Microelectronics)等国际功率半导体厂商占据了主
要的市场份额。因此,在高压超级结细分市场中,中国厂商仍处于追赶阶段,市场份
额占比较小。
   根据 Omdia,发行人 2020 年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约为
算约为 8.6%。
   同时根据公开数据查询,同样实现高压超级结产品销售并披露销售数据的公司包
括新洁能以及龙腾半导体。新洁能 2019 年度实现 1.2 亿元的高压超级结产品的销售,
在 2019 年全球高压超级结 MOSFET 的市场占有率为 1.7%,在 2019 年中国高压超级
结 MOSFET 的市场占有率经估算约为 3.8%。龙腾半导体 2020 年度实现 0.5 亿元的高
压超级结产品销售,在 2020 年全球高压超级结 MOSFET 的市场占有率为 0.7%,在
相比,发行人更加专注于高压超级结 MOSFET 产品,在此细分市场占有率方面具有一
定的优势。
市场占有率预计能够取得进一步提高。
   (2)中低压 MOSFET 市场
   根据 Omdia,2020 年度,全球中低压 MOSFET 产品的市场规模为 52.4 亿美元,
亿美元, 2024 年的市场规模预计为 21.2 亿美元。
   发行人 2020 年度中低压屏蔽栅产品的销售收入 0.6 亿元,约占 2020 年全球中低压
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
MOSFET 产品市场规模的 0.2%,占 2020 年中国中低压 MOSFET 产品市场规模的
   同时根据公开数据查询,2019 年,新洁能实现 1.8 亿元的中低压屏蔽栅产品销售,
约占 2019 年全球中低压 MOSFET 产品市场的 0.5%,占 2019 年中国中低压 MOSFET
产品市场的 1.1%。发行人在中低压 MOSFET 市场的占有率较小,主要系发行人前期
专注于高压 MOSFET 领域,来自中低压 MOSFET 的销售收入较少所致。
增长 292.2%,实现了销售收入的大幅增长,预计市场份额能够有进一步的提升。
(二)行业内主要企业
   公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,采用
Fabless 的经营模式。在此模式下,芯片主要由公司设计方案和工艺流程后交由芯片代
工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而
制成。公司自成立以来凭借持续的研发投入和质量管理,在市场取得较好经济效益。
   报告期内,公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结功率器件、SFGMOS
系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅功率器件。在高压超级结 MOSFET 领域,公司主要
竞争对手包括英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、意法半导体(ST
Microelectronics)、瑞萨电子(Renesas Electronics)、日本东芝(Toshiba)等国际一
流半导体企业,以及华润微(688396)、扬杰科技(300373)、华微电子(600360)、
新洁能(605111)、士兰微(600460)等国内优秀的半导体功率器件企业。
   (1)英飞凌(Infineon)
   英飞凌成立于 1999 年,是全球领先的半导体公司之一,已在德国法兰克福交易所
上市,股票代号:IFX。其前身是西门子集团的半导体部门,于 1999 年独立,2000 年
上市。英飞凌公司专注于为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系
统解决方案,业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地
拥有分支机构。英飞凌公司采用 IDM 模式,2018 财年营业收入为 75.99 亿欧元;2019
苏州东微半导体股份有限公司                                      招股意向书
财年营业收入为 80.29 亿欧元;2020 财年营业收入为 85.67 亿欧元。2018 至 2020 财年
营业收入复合增长率为 6.18%。
   (2)安森美(ON Semiconductor)
   安森美于 1999 年从摩托罗拉分拆出来,已在美国纳斯达克上市,股票代号:
ONNN。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,主要应用于
汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空及电源应用等领
域。安森美采用 IDM 模式,2018 年度营业收入为 58.78 亿美元;2019 年度营业收入为
长率为-5.45%。
   (3)意法半导体(ST Microelectronics)
   意法半导体成立于 1987 年,是全球最大的半导体公司之一,是纽约证券交易所
(股票代号:STM)、泛欧巴黎证券交易所(股票代号:STM)和意大利米兰证券交
易所上市公司(股票代号:STM),在分立器件、手机相机模块和车用集成电路领域
居世界前列。意法半导体是业内半导体产品线最广的厂商之一,产品包括二极管、晶
体管以及复杂的 SoC 器件等,是各工业领域的主要供应商。意法半导体采用 IDM 模式,
业收入为 102.19 亿美元。2018 至 2020 年度营业收入复合增长率为 2.83%。
   (4)瑞萨电子(Renesas Electronics)
   瑞萨电子成立于 2003 年,是由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并
成立,已在东京证券交易所上市,股票代号:RNECF。瑞萨电子结合了日立与三菱在
半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制
造嵌入式半导体的全球领先供应商。产品包括集成电路和功率半导体,其功率半导体
产品主要包括 MOSFET、IGBT、功率集成电路、二极管、三极管及晶闸管等。瑞萨电
子采用 IDM 模式,2018 年度营业收入为 7,565.03 亿日元; 2019 年度营业收入为
合增长率为-2.74%。
   (5)日本东芝(Toshiba)
苏州东微半导体股份有限公司                                      招股意向书
   日本东芝成立于 1939 年,是由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并成立,
已在伦敦证券交易所上市,股票代号:TOSBF。日本东芝是一家多元化的电气、电子
制造商,是日本最大的半导体制造商和第二大综合电机制造商。公司具有丰富的
MOSFET 研发及生产的经验,主要产品包括 500V-800V 的中高压 DTMOS 系列和
   (1)华润微电子(688396.SH)
   华润微电子成立于 2003 年,为中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等
全产业链一体化经营能力的半导体企业,产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能
控制领域。华润微电子主要采用 IDM 模式,2018 年度营业收入为 62.71 亿元;2019 年
度营业收入为 57.43 亿元;2020 年度营业收入为 69.77 亿元。2018 至 2020 年度营业收
入复合增长率为 5.48%。
   (2)扬杰科技(300373.SZ)
   扬杰科技成立于 2006 年,专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装,主
要产品包括各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN 产
品、MOSFET、IGBT 等,广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等
领域。扬杰科技采用 IDM 和 Fabless 并行的经营模式,2018 年度营业收入为 18.52 亿
元;2019 年营业收入为 20.07 亿元;2020 年度营业收入为 26.17 亿元。2018 至 2020 年
度营业收入复合增长率为 18.87%。
   (3)华微电子(600360.SH)
   华微电子成立于 1999 年,为集半导体分立器件设计研发、芯片加工、封装测试及
产品营销为一体的高新技术企业,拥有多条半导体分立器件及 IC 芯片生产线,主要生
产半导体分立器件及 IC,应用于消费电子、节能照明、计算机、PC、汽车电子、通讯
保护与工业控制等领域。华微电子采用 IDM 模式,2018 年度营业收入为 17.09 亿元;
收入复合增长率为 0.29%。
苏州东微半导体股份有限公司                                                         招股意向书
   (4)新洁能(605111.SH)
   新洁能成立于 2013 年,为国内半导体功率器件设计龙头企业之一。主要产品包括
沟槽型功率 MOSFET、超级结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和 IGBT 等。新洁
能主要采用 Fabless 的经营模式,2018 年度营业收入为 7.16 亿元;2019 年营业收入为
   (5)士兰微(600460.SH)
   士兰微成立于 1997 年,为专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品
生产的高新技术企业。主要产品包括 MOSFET、IGBT 等半导体分立器件、功率模块
IPM/PIM、MEMS 传感器和 LED 芯片等。士兰微建立了较为完善的 IDM 模式,2018
年度营业收入为 30.26 亿元;2019 年营业收入为 31.11 亿元;2020 年度营业收入为
(三)发行人与同行业可比公司的比较情况
 公司名称     经营模式      财报年度          营业收入          净利润       总资产         净资产
英飞凌                   2019              80.29      8.70     135.81       86.33
(单位:亿     IDM 模式
欧元)                   2020              85.67      3.68     219.99      102.19
安森美                   2019              55.18      2.12      84.26       33.02
(单位:亿     IDM 模式
美元)                   2020              52.55      2.34      86.68       35.39
意法半导体                 2019              95.56     10.33     118.68       71.11
(单位:亿     IDM 模式
美元)                   2020             102.19     11.08     144.54       84.48
瑞萨电子
(单位:亿     IDM 模式      2019           7,182.43    -63.17   16,681.48    6,214.55
日元)
苏州东微半导体股份有限公司                                                                  招股意向书
 公司名称     经营模式          财报年度          营业收入             净利润         总资产         净资产
日本东芝                      2019         33,898.71       -1,146.33   33,834.33     9,398.06
(单位:亿     IDM 模式
日元)                       2020         30,543.75        1,139.81   35,006.36    11,645.34
华润微电子                     2019              57.43           5.12     100.95        54.23
        以 IDM 模式为
(单位:亿
            主             2020              69.77         10.60      165.32       105.83
元)
扬杰科技                      2019              20.07           2.25      35.29        25.43
        IDM、Fabless
(单位:亿
           并行             2020              26.17           3.78      40.87        29.04
元)
华微电子                      2019              16.56           0.65      57.52        31.08
(单位:亿     IDM 模式
元)                        2020              17.19           0.34      61.10        31.20
新洁能                       2019                  7.73        0.98        8.08         5.72
        以 Fabless 模式
(单位:亿
            为主            2020                  9.55        1.39      13.98        11.60
元)
士兰微                       2019              31.11           0.15      89.13        33.79
(单位:亿     IDM 模式
元)                        2020              42.81           0.68      98.40        34.48
发行人                       2019                  1.96        0.09        1.74         1.61
(单位:亿    Fabless 模式
元)                        2020                  3.09        0.28        4.38         4.19
注:由于海外上市公司财报基准日不同,此处 2021 年 1-6 月代指第一个半财年财务数据,其中日
本东芝截至本招股意向书出具日尚未更新半年度财务数据。
苏州东微半导体股份有限公司                                               招股意向书
 公司名称                技术特点                          产品布局
        英飞凌是全球功率半导体龙头企业,掌握功率
                                            -250V-950V 的平面栅 MOS、沟槽
        半导体高端技术,其产品主要包括
  英飞凌                                       栅 MOS、超结 MOS、屏蔽栅
        MOSFET、IGBT、智能功率器件及功率集成
                                            MOS、P 沟道 MOS、耗尽型 MOS
        电路等产品。
        安森美产品包括集成电路和功率半导体,在并
        购 Fairchild 后,一跃成为全球第二大功率半导
                                            -500V-1700V 的平面栅 MOS、沟槽
        体企业,掌握半功率半导体高
  安森美                                       栅 MOS、超结 MOS、屏蔽栅
        端技术,其产品主要包括 MOSFET、IGBT、
                                            MOS、P 沟道 MOS
        新材料器件、智能功率器件及功率集成电路等
        产品。
        其产品包括集成电路和功率半导体,其功率半 -500V-1700V 的平面栅 MOS、沟槽
意法半导体   导 体 产 品 主 要 包 括 MOSFET 、 IGBT 、 二 极 栅 MOS、超结 MOS、屏蔽栅
        管、功率集成电路等。                          MOS、P 沟道 MOS、耗尽型 MOS
                                            集成电路和功率半导体,其功率半
                                            导体产品主要包括 MOSFET
        其产品包括集成电路和功率半导体,其功率半 (MOSFET 产品主要包括超结功率
 瑞萨电子   导体产品主要包括 MOSFET、IGBT、功率集 MOSFET、沟槽型功率 MOSFET 和
        成电路、二极管、三极管及晶闸管等。                   屏蔽栅功率 MOSFET)、IGBT、功
                                            率集成电路、二极管、三极管及晶
                                            闸管等
        其产品包括集成电路和功率半导体,其功率半
 日本东芝   导 体 产 品 主 要 包 括 MOSFET 、 IGBT 、 二 极
                                            和 12V-250V 的低压 U-MOS 系列等
        管、功率集成电路等。
                                            -100V-1500V 的平面栅 MOS、沟槽
        其产品包括-100V 至 1500V 范围内低、中、高
                                            栅 MOS、超结 MOS、屏蔽栅
华润微电子   压全系列 MOSFET,生产的器件包括沟槽栅
                                            MOS、P 沟道 MOS、耗尽型
        MOS、平面栅 VDMOS 及超结 MOS 等
                                            MOS;
        专业从事二极管系列产品,包括快恢复二极
                                            -60V-150V 的平面栅 MOS、沟槽栅
 扬杰科技   管、齐纳二极管、整流桥等,目前正逐步开发
                                            MOS、屏蔽栅 MOS、P 沟道 MOS
        自己的 MOSFET 产品。
        其产品主要为功率半导体,主要包括二极管、
 华微电子   三 极 管 、 双 极 型 功 率 晶 体 管 、 MOSFET 和
                                            MOS 等
        IGBT。
        主要产品包括沟槽型功率 MOSFET、超结功
  新洁能   率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和 IGBT
        等。
                                            IGBT 等
        产品主要包括集成电路和功率半导体,功率半 30V-900V 的平面栅 MOS、沟槽栅
  士兰微   导体产品主要为功率集成电路、二极管、三极 MOS、超结 MOS、屏蔽栅 MOS、
        管、MOSFET、IGBT 等。                    耗尽型 MOS
                                            GreenMOS 系列高压超级结
        高 压 超 级 结 MOSFET 、 屏 蔽 栅 MOSFET 、
  发行人                                       MOSFET、SFGMOS 系列及 FSMOS
        IGBT 等高性能功率半导体器件
                                            系列中低压屏蔽栅 MOSFET
苏州东微半导体股份有限公司                                招股意向书
  参见本节之“三、发行人的行业地位及竞争情况/(一)发行人产品或服务的市场
地位”。
  参见本节之“九、公司核心技术及研发情况/(一)核心技术及其技术来源” 及
本节之“三、发行人的行业地位及竞争情况/(一)发行人产品或服务的市场地位”。
(四)竞争优势与劣势
  (1)作为国内领先的高性能功率器件设计厂商,受益于行业发展与国产替代机遇
  公司是国内领先的高性能功率器件厂商,在全球 MOSFET 功率器件市场份额中位
列中国本土企业前十。公司目前已积累了知名的国内外客户群,产品及方案被各终端
应用领域广泛应用,市场认可度逐渐提高。
  一直以来,公司深耕新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心
服务器电源和工业照明电源等工业级领域,通过强大的研发实力和优越的产品性能,
成为了国内少数专注工业级高压超级结 MOSFET 领域的高性能功率半导体厂商。2019
年度,公司 MOSFET 器件的平均销售单价为 2.19 元/颗,高于同行业的平均单价 1.19
元/颗。在技术实力方面,公司高压超级结 MOSFET 产品在 TO247 封装体内同时实现
了 650V 耐压平台以及最低 14mohm 导通电阻的规格,在性能方面已接近国际先进水
平。2016 年 4 月,公司推出的 GreenMOS 系列超级结 MOSFET 产品打破了国外厂商在
充电桩功率器件领域的垄断地位。同时,公司将持续集中优势资源聚焦创新型半导体
器件的开发,进一步巩固其在国内高性能功率器件领域的领先地位。
  公司未来将持续受益于 5G 通讯、汽车电动化等工业级及车规级应用领域迅速扩
张带来的高性能功率器件市场快速发展。同时,公司在高端工业级功率器件领域的技
术实力与产品性能已可与国际一流厂商比肩,在抓住行业本身快速发展机遇的同时拥
有广阔的进口替代空间。
  (2)强大的研发能力,保证公司产品性能国内领先
苏州东微半导体股份有限公司                                       招股意向书
   公司一直以来高度重视技术团队的建设,已建立起了完善的研发团队及体系。截
至 2021 年 6 月 30 日,公司研发部共拥有 31 名研发人员,合计占员工总数比例为 46%。
公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年,具有丰富的研发经验,并对
行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证
了公司的技术敏锐度和研发水平,确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势,亦
满足客户终端产品的创新需求。在研发投入方面, 报告期内,公司的研发费用分别为
与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。
   凭借优秀的研发实力,公司在主要产品方面均已具备了国内领先的核心技术,并
在核心技术的基础上实现了高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 产品的量产
与销售。公司的高压超级结 MOSFET 产品运用了包括电容缓变技术、超低栅极电荷等
行业领先的核心技术,使关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压
领域,公司的产品技术水平亦达到了国内领先水平。公司的超级硅系列 MOSFET 产品
已经研发成功并实现量产出货,实现了比传统超级结更高的效率,获得了众多客户的
认可。公司提出的新型结构 TGBT 的多款产品也已经定型,并进入了小批量生产状态。
   在大力投入研发的同时,公司也持续完善专利布局以充分保护核心技术,为业务
开展及未来新业务的拓展打下了坚实的基础。截至 2021 年 6 月 30 日,公司已获授权
的专利 53 项,包括境内专利 38 项,其中发明专利 37 项、实用新型专利 1 项,以及境
外专利 15 项。
   (3)丰富的产品规格,满足不同应用场景的需求
   功率器件的产品规格丰富,不同规格的产品被应用于不同的应用场景。公司已自
主研发了逾 900 种高压 MOSFET 产品型号并覆盖 500V-950V 区间的工作电压;以及逾
研发了多个系列的 TGBT 产品系列。
   得益于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力,公司的功率器件产品已被
广泛应用于各类工业级及消费级领域,包括新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通
信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源、PC 电源、适配器、TV 电源板、手机
快速充电器等。
苏州东微半导体股份有限公司                       招股意向书
  (4)作为国内高性能功率器件的优质供货商之一,拥有强大的全球终端客户基础
  凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力,公司已经与国
内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是工业
级应用领域中,公司的产品获得了众多知名企业的认可,成为了该等客户的少数国内
供应商之一。同时,公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户,在工业及汽
车相关应用领域中,公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、英
可瑞、特锐德、永联科技等,5G 基站电源及通信电源领域的终端用户如华为、维谛技
术、麦格米特等,以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气
等;在消费电子领域中,公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美
的、创维、康佳等。
  上述龙头客户的供应链进入壁垒高,公司进入该等客户的供应链体系后能够持续
为公司带来高粘性,同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的
头部客户需求,为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。
  (5)稳定的供应商关系提供产能保障,在特殊工艺方面持续技术合作
  公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务
合作关系与高效的联动机制。在产品开发阶段,公司不仅会根据不同类型产品的市场
需求与技术发展方向制定功率器件和芯片的技术路线图,也会结合晶圆制造和封装供
应商的实际制造能力进行产品开发和设计工作,并在产品研发设计过程中的同时关注
并协助开发新的适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。
  在根据终端市场的需求,精确调整产品的设计的同时,公司具有与上游供应商合
作并实现深度定制化开发的能力,主要是基于与供应商长期稳定的战略合作关系与高
效的联动机制。
  由于功率器件的制造工艺较为特殊,特别是高性能产品的开发需要器件设计与工
艺平台的深度结合,研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。
在产品研发阶段,公司会与晶圆厂进行深度的共同讨论,通过多次反复工艺调试,使
得晶圆厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能,最终推出经优化的产品,更好
地贴合终端客户的需求。在这个过程中,晶圆代工厂的工艺能力亦在双方互相协作中
获得优化和提升,实现了双方技术能力的相互促进和提升。
苏州东微半导体股份有限公司                         招股意向书
  (6)经验丰富的管理团队
  公司联合创始人龚轶先生硕士毕业于英国纽卡斯尔大学,拥有超过 20 年半导体研
发管理经验,曾担任全球领先的中央处理器(CPU)厂商超微半导体公司的研发工程
师、全球最大的功率器件厂商英飞凌科技的德国研发中心专家;同时,也是国家创新
人才推进计划科技创新创业人才、江苏省科技企业家、姑苏创新创业领军人才。公司
联合创始人王鹏飞博士毕业于德国慕尼黑工业大学,从事半导体技术研发工作超过 20
年,曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师。王博士于 2009 年 7 月起担任
复旦大学微电子学院教授,是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。公司联
合创始人拥有多年的半导体行业经验,尤其是在功率半导体领域拥有着国际一流的视
野与技术创新能力。
  除联合创始人及研发团队以外,公司的市场、运营、销售等部门的核心团队均拥
有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半导体公司多年的工作经历,积累了丰富
的产业经验和专业的管理能力。公司的核心技术人员均为半导体相关专业毕业,从事
半导体技术开发和项目管理工作超过 10 年,有着丰富的产品开发经验和项目管理经验。
公司的核心技术人员均在公司任职超过 5 年,工作稳定,熟悉公司业务流程并作为开
发项目负责人主导和参与了公司各重大科研项目的开展。
  (1)发行人成立时间较短,技术储备及品牌知名度相较国际厂商有所不足
  国际领先的半导体企业均经历了较长时期的发展,积累了丰富的技术及经营经验。
与英飞凌、安森美等国际厂商相比,发行人成立时间、产品进入市场的时间较短。在
发展过程中,发行人集中优势研发资源,首先推出了具有技术先进性以及市场竞争力
的高压超级结 MOSFET 产品,在报告期内积累了大量的优质客户,并实现了销售收入、
市场份额的快速提升。但是,功率器件种类丰富,包括 MOSFET、IGBT、功率器件模
块等,由于发行人成立时间较短,在 IGBT、功率器件模块等方面的技术储备相较于国
际厂商均有所不足。此外,由于发行人的产品进入市场的时间较短,品牌知名度与影
响力与国际厂商相比较相对较弱,因此在拓展新客户时可能会存在一定竞争劣势。
  (2)融资渠道相对有限
苏州东微半导体股份有限公司                             招股意向书
  公司正面临着新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等下游应
用市场的大力推广带来的市场机遇,亟需投入大量资金进行下一代功率器件产品的研
发、人才的引进以及产能的提升。公司的资金主要依赖于股东投入和自有资金积累,
融资手段有限,公司的经营规模、渠道拓展和品牌建设等受到一定的限制。公司亟需
拓展融资渠道,增强资金实力,进一步提高公司盈利能力。
  (3)高端人才储备相对不足
  高端人才储备是公司持续发展和保持核心竞争力的重要基础。随着公司业务规模
不断扩大,研发投入不断增加以及产品结构持续更新升级,在可预见的将来,公司在
项目管理、技术研发等方面的高端人才储备相对不足。公司需要不断完善内部人才培
养机制,加大外部人才的引进力度,以快速充实高端人才储备。
  (4)产品类别较为集中
  报告期内,公司实现大规模销售的主要产品为硅基 MOSFET 产品,包括高压超级
结 MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 等。报告期内,MOSFET 产品的销售收入占主
营业务收入的比例均超过 99%,其中高压超级结 MOSFET 产品占比分别为 81.48%、
国际厂商竞争时,发行人由于主力产品单一可能会存在一定竞争劣势。
  同时,考虑到功率器件的迭代正在不断朝第三代半导体材料以及集成化、模块化
发展,发行人目前也在积极布局第三代半导体材料,并实现了碳化硅功率器件的样品。
但是,总体而言发行人在第三代半导体材料的研发进展相对落后于国际领先厂商。随
着功率器件行业的技术发展,发行人若不能及时开发出具有市场竞争力的第三代半导
体材料功率器件,则在与国际厂商竞争时可能处于劣势地位。
  (5)经营规模相对较小
  发行人与可比公司的具体财务指标对比参见本招股意向书“第六节 业务与技术”
之“三、发行人的行业地位及竞争情况”之“(三)发行人与同行业可比公司的比较
情况”。从营业收入、净利润、总资产以及净资产等财务指标来看,发行人的整体经
营规模与同行业可比公司相比较小,在产业链环节中与上游供应商、下游客户的议价
能力可能较弱。
苏州东微半导体股份有限公司                                                        招股意向书
四、公司销售情况和主要客户
(一)公司主要产品的产销情况
  报告期内,公司以功率器件成品销售为主,高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅
MOSFET、超级硅 MOSFET 及 TGBT 成品的产量、销量和产销率情况如下表所示:
                                                                    单位:万颗
 产品品类      项目     2021 年 1-6 月         2020 年度        2019 年度       2018 年度
           产量           7,393.20          11,123.31     6,473.54       5,033.71
高压超级结
           销量           7,417.12          10,508.78     6,250.04       4,856.30
 MOSFET
          产销率           100.32%             94.48%       96.55%        96.48%
           产量           3,462.68           2,658.74     1,289.10
中低压屏蔽栅
 MOSFET    销量           3,258.58           2,435.02     1,261.86        999.84
          产销率            94.11%             91.59%       97.89%        90.58%
           产量              44.30             23.96        10.46            1.16
  超级硅
           销量              48.08             14.17         3.10               -
 MOSFET
          产销率           108.51%             59.13%       29.63%           N.A.
           产量              18.98                  -             -             -
  TGBT     销量               2.52                  -             -             -
          产销率            13.29%                   -             -             -
  报告期内,公司逐步扩大生产规模,产量呈不断提高的趋势;同时,随着公司与
既有客户的合作关系日趋稳固,以及公司不断打开新的市场,产品销量同步呈不断提
高的趋势。整体而言,报告期内,公司主要产品高压超级结 MOSFET 及中低压屏蔽栅
MOSFET 的产销率较高,均超过 90%。
   报告期内,公司根据需求也向客户销售晶圆形态的产品。2018 年度、2019 年度、
的情况。报告期内公司整体晶圆形态的产品销售占比较小。
苏州东微半导体股份有限公司                                                                   招股意向书
为 2.52 万颗,产销率为 13.28%,产销率较低主要系产品初步实现量产,公司仍在不断
拓展销售渠道所致。
   报告期内,公司各产品类别的销售量变动分析参见本招股意向书“第八节 财务会
计信息与管理层分析 / 十一、经营成果分析 / (一)营业收入分析 / 2、主营业务
收入分产品分析”。
   报告期内,公司主要产品实现的主营业务收入情况如下表所示:
                                                                                单位:万元
 产品               2021 年 1-6 月        2020 年度            2019 年度           2018 年度
         产品品类
 类别               金额       占比       金额          占比       金额       占比       金额       占比
      高压超级结
       MOSFET
        中低压
MOSFET 屏蔽栅     8,006.71    24.96% 5,930.43 19.21% 3,858.16 19.68% 2,830.16 18.52%
       MOSFET
        超级硅
       MOSFET
 IGBT    TGBT      22.95    0.07%         -          -        -        -        -        -
        合计      32,083.43 100.00% 30,878.74 100.00% 19,604.66 100.00% 15,283.52 100.00%
   报告期内,公司的主要产品为 MOSFET 功率器件,其中高压超级结 MOSFET 产
品贡献了大部分的营业收入,2018 年度、2019 年度、2020 年度及 2021 年 1-6 月的营
业收入占比分别为 81.48%、80.28%、80.66%和 74.55%。
   报告期内,公司各产品类别的销售收入变动分析参见本招股意向书“第八节 财务
会计信息与管理层分析 / 十一、经营成果分析 / (一)营业收入分析 / 2、主营业
务收入分产品分析”。
   报告期内,公司各产品类别按照产品形态的销售单价情况如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                                                                    招股意向书
                                                                                     单位:元/颗、元/片
    产品品类
                     平均单价 变动比例 平均单价 变动比例 平均单价 变动比例 平均单价
        功率器
高压超级结 件成品                   3.06    35.40%         2.26       -4.12%         2.36      5.62%          2.24
 MOSFET
        晶圆               4,163.10   -1.30%    4,217.83        -6.58%     4,514.91     12.95%      3,997.15
         功率器
中低压屏蔽 件成品                   1.16    4.50%          1.11      -15.59%         1.31    -12.71%          1.50
栅 MOSFET
         晶圆              3,324.14   32.35%    2,511.56           1.77%   2,467.83      -8.26%     2,690.17
 超级硅         功率器
MOSFET       件成品
             功率器
  TGBT                      9.10          -             -            -          -            -           -
             件成品
   报告期内,公司各产品类别的销售价格变动分析参见本招股意向书“第八节 财务
会计信息与管理层分析 / 十一、经营成果分析 / (一)营业收入分析 / 2、主营业务收
入分产品分析”。
   报告期内,公司经销和直销两种销售模式下的主营业务收入和占比如下表所示:
                                                                                             单位:万元
销售模式
              金额            占比       金额         占比            金额          占比          金额          占比
  经销         20,587.49     64.17% 19,756.70     63.98% 13,407.20          68.39% 11,396.88         74.57%
  直销         11,494.94     35.83% 11,122.04     36.02%       6,197.46     31.61%      3,886.64     25.43%
  合计         32,082.43 100.00% 30,878.74 100.00% 19,604.66 100.00% 15,283.52 100.00%
(二)前五名客户销售情况
         报告期内,公司向前五大客户的销售情况如下表所示:
                                                                                             单位:万元
 年份      序号                 客户名称                     销售模式                  营业收入                  占比
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
 年份      序号       客户名称              销售模式     营业收入          占比
                      合计                       11,057.16    34.46%
                      合计                       11,116.61    36.00%
                      合计                        9,063.71    46.23%
                      合计                        4,992.49    32.65%
注1:同一控制下公司已合并计算
注2:凯新达电子包括深圳市凯新达电子有限公司和Pioneer Electronics Company Limited;睿创电子
包括睿创电子科技(香港)有限公司和睿昇电子科技(深圳)有限公司;视源股份包括广州视琨
电子科技有限公司和广州视源电子科技股份有限公司;丰艺电子包括嘉合丰电子(深圳)有限公
司、丰艺电子股份有限公司和丰艺电子(上海)有限公司
   报告期内,公司向前五名客户合计销售金额占当期销售总额的比例分别为 32.65%、
少数客户的情形。报告期内,公司前五名客户以经销商为主,经销商向公司采购后再
将产品销售给国内外知名的终端客户。公司前五名客户中经销商的主要终端客户包括
客户 A、高斯宝电气、永联科技、柏怡电子、明纬电子等。
苏州东微半导体股份有限公司                                                                    招股意向书
五、公司主要采购和主要供应商情况
(一)主要采购情况
   公司为采用 Fabless 模式的半导体功率器件设计公司,不直接从事芯片的生产和加
工环节,主要采购内容为晶圆及封测服务,报告期内具体金额及占总采购金额比例情
况如下:
                                                                                 单位:万元
   项目
            金额            占比        金额         占比       金额         占比       金额          占比
   晶圆      20,057.66      82.94% 22,193.78    82.15% 15,715.00     85.36% 11,717.31    83.98%
 封测服务       4,125.15      17.06%   4,822.13   17.85% 2,694.36      14.64% 2,235.64     16.02%
   合计      24,182.81   100.00% 27,015.91 100.00% 18,409.35 100.00% 13,952.95 100.00%
额占比较高,报告期内占比分别为 83.98%、85.36%、82.15%及 82.94%。
   公司为采用 Fabless 模式的半导体功率器件设计公司,不直接从事芯片的生产和加
工环节。报告期内,公司经营活动耗用的能源主要为办公用水、用电,均由市政供应,
价格稳定,且消耗量较小,占公司成本和费用的比例较低,未对公司的经营业绩造成
重大影响。
    项目
              平均单价          变动比例       平均单价 变动比例 平均单价 变动比例 平均单价
 晶圆(元/片)       3,023.65        5.66%     2,861.79    -14.37%     3,342.12   27.22%     2,627.14
封测服务(元/颗)          0.38        8.20%          0.35    0.79%         0.35    -4.88%        0.36
   报告期内,公司主要原材料、服务的价格变动趋势分析参见本招股意向书“第八
苏州东微半导体股份有限公司                                                     招股意向书
节 财务会计信息与管理层分析 / 十一、经营成果分析 / (二)营业成本分析”和(三)
毛利及毛利率构成分析”。
(二)前五名供应商采购情况
    报告期内,公司向前五名供应商的采购情况如下表所示:
                                           采购金额
 年份      序号              供应商名称                          占比       主要采购内容
                                           (万元)
                         合计                 23,634.38   97.73%
                         合计                 26,749.53   99.01%
                         合计                 18,278.29   99.29%
                         合计                 13,892.23   99.56%
注1:同一控制下公司已合并计算
注2:华虹半导体包括上海华虹宏力半导体制造有限公司和华虹半导体(无锡)有限公司;天水华
天包括天水华天电子集团股份有限公司和华羿微电子股份有限公司
苏州东微半导体股份有限公司                                       招股意向书
     报告期内,公司向前五名供应商采购内容主要为晶圆及封测服务,合计采购金额
占当期采购总额的比例分别为 99.56%、99.29%、99.01%及 97.73%,其中向华虹半导
体采购金额占当期采购总额比例分别为 83.59%、81.70%、80.19%及 72.85%。
     公司为采用 Fabless 模式的半导体功率器件设计公司,该种模式系芯片设计企业的
主流经营模式之一。采用 Fabless 模式的芯片设计公司通常需要选择晶圆代工厂及封装
测试厂进行深度合作。报告期内,公司综合考虑产品产量、工艺稳定性和批量采购成
本优势等因素,主要选择少数晶圆代工厂及封装测试厂进行合作,因此公司向前五大
供应商采购金额较大且采购集中度较高,符合行业特性。
六、与公司业务相关的主要资产情况
(一)主要固定资产情况
     发行人固定资产主要包括专用设备、通用设备及运输设备,报告期内使用状况良
好,不存在因固定资产减值等原因导致生产经营不能正常进行的情况。截至 2021 年 6
月 30 日,发行人固定资产情况如下:
                                                    单位:万元
       项目         固定资产原值             折旧年限        固定资产净值
专用设备                    549.48          3-10 年        405.46
通用设备                    138.71              3年         49.61
运输工具                    216.65              5年        139.14
合计                      904.85               -        594.21
     截至 2021 年 6 月 30 日,发行人及其子公司无自有房产。
     截至 2021 年 6 月 30 日,发行人及其子公司在境内承租用于办公及生产的房产共
计 4 处,总面积约为 2,599.25 平方米,具体情况如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                                               招股意向书
                                              租赁面积
序号 承租方       出租方             房屋位置                        租赁期限         用途 不动产证号
                                              (m2)
                                                                         苏(2017)
        苏州工业园区 苏州工业园区东长路
    东微半                                                  2020.3.1-       苏州工业园
    导体                                                   2025.2.28       区不动产权
        发有限公司      和 5 层 501 室
                                                                         第 000143 号
                                                                         苏(2017)
        苏州工业园区
    东微半         苏州工业园区东长路                                2020.10.1-      苏州工业园
    导体         88 号 N2 幢 1 层 102 室                       2025.2.28       区不动产权
        发有限公司
                                                                         第 000143 号
               深圳市南山区科技园
        深圳市天明医                                                           深房地字第
    东微半        北区乌石头路 8 号天                               2020.3.1-
    导体          明科技大厦(工业                                 2022.2.28
         限公司                                                                 号
               区)12 层 1201B 号
                                                                        苏(2017)
               苏州工业园区金鸡湖
    东微半 苏州纳米科技                                           2020.12.01-    苏州工业园
    导体 发展有限公司                                            2023.11.30     区不动产权
                西北区 20 幢 515 室
                                                                        第 000216 号
    截至 2021 年 6 月 30 日,发行人及其子公司在境外无承租用于办公及生产的房产。
(二)主要无形资产
    截至 2021 年 11 月 12 日,发行人未拥有任何土地使用权。
    (1) 境内专利
    截至 2021 年 6 月 30 日,公司及其下属子公司在中国境内共拥有 38 项已获授权专
利,包括发明专利 37 项,实用新型专利 1 项,具体情况如下:
序                                                 专利                               取得
     权利人         专利号            专利名称                      申请日          授权日
号                                                 类别                               方式
                                                                                   原始
                                                                                   取得
                                                                                   原始
                                                                                   取得
                                                                                   原始
                                                                                   取得
                           一种分栅结构的超结                                               原始
                             功率器件                                                  取得
                           一种沟槽型功率晶体                                               原始
                               管                                                   取得
苏州东微半导体股份有限公司                                                      招股意向书
序                                          专利                             取得
     权利人         专利号            专利名称             申请日          授权日
号                                          类别                             方式
                                                                          取得
                          一种分栅 IGBT 功率                                    原始
                             器件                                           取得
                          一种沟槽型 IGBT 功                                    原始
                             率器件                                          取得
                          一种分栅结构的功率                                       原始
                             晶体管                                          取得
                          一种功率 MOSFET                                     原始
                             器件                                           取得
                                                                          原始
                                                                          取得
                             一种半导体超级结功                                    原始
                             率器件及其制造方法                                    取得
                             超级结功率器件及其                                    原始
                                制造方法                                      取得
                             一种集成栅极驱动功                                    原始
                             率器件及其制备方法                                    取得
                             一种分栅功率器件的                                    原始
                                制造方法                                      取得
                             一种沟槽式分栅功率                                    原始
                               器件的制造方法                                    取得
                             一种功率 MOSFET
                                                                          原始
                                                                          取得
                               结构的控制电路
                             一种基于半浮栅存储                                    原始
                              器的读写控制电路                                    取得
                             一种半导体感光单元
                                                                          原始
                                                                          取得
                                  阵列
                             一种半导体存储器的
                                                                          原始
                                                                          取得
                                  存储器
                             一种 U 形沟道的半浮   实用                             原始
                                栅存储器       新型                             取得
                             半浮栅存储器单元及                                    原始
                              半浮栅存储器阵列                                    取得
                             一种高效率的 LED                                   原始
                               驱动控制电路                                     取得
                             一种半浮栅器件的制                                    原始
                               造方法及器件                                     取得
                             一种平面沟道的半浮                                    原始
                              栅器件的制造方法                                    取得
                             一种 U 形沟道的半导                                  原始
                             体器件及其制造方法                                    取得
                             半导体感光器件及其                                    原始
                                制造方法                                      取得
苏州东微半导体股份有限公司                                                          招股意向书
序                                         专利                                取得
    权利人         专利号           专利名称              申请日              授权日
号                                         类别                                方式
                            造方法和半浮栅存储                                       取得
                                 器阵列
                            一种应用于半浮栅存
                                                                            原始
                                                                            取得
                               放大器电路
                            U 形沟道半导体感光                                      原始
                             器件及其制造方法                                       取得
                            半导体存储器器件及                                       原始
                               其制造方法                                        取得
                            半导体存储器器件及                                       原始
                               其制造方法                                        取得
                              一种沟槽型功率
                                                                            原始
                                                                            取得
                                 方法
                            应用于半导体存储器
                                                                            原始
                                                                            取得
                               其工作方法
                            半导体存储器器件及                                       原始
                               其制造方法                                        取得
                            半导体感光器件及其                                       原始
                              制造方法和应用                                       取得
                            半导体感光器件的控                                       原始
                                 制方法                                        取得
                            半导体存储器器件、
                                                                            原始
                                                                            取得
                                写入方法
    (2)境外专利
    截至 2021 年 6 月 30 日,公司及其控股子公司在境外共拥有 15 项获授权专利,具
体情况如下:

    权利人       专利号              专利名称            注册地         授权日期        取得方式

                          一种半导体存储装置及其形成
                                方法
                          超级结功率晶体管及其制造方
                                法
                          一种半导体超结功率器件及其
                               制造方法
                          一种半导体感光单元及其半导
                             体感光单元阵列
苏州东微半导体股份有限公司                                                             招股意向书

      权利人       专利号               专利名称                 注册地    授权日期        取得方式

         特許第 6310577
            号
         特許第 6423110 半导体超级结功率器件及其制
            号             造方法
         特許第 6732359
            号
                제 10-
                제 10-       半导体超级结功率器件及其制
                제 10-
注:上表中的境外专利名称为译文。
      截至 2021 年 6 月 30 日,发行人及其子公司拥有的境内注册商标共计 14 项。该等
商标的具体情况如下:
序号     商标权人名称               商标              注册号         分类号         注册有效期
苏州东微半导体股份有限公司                                                   招股意向书
序号     商标权人名称        商标                注册号        分类号      注册有效期
      发行人所持有的专利等知识产权与主营业务的关系请参见本节之“九、公司核心
技术及研发情况 / (一)核心技术及其技术来源 / 1、核心技术”。
七、发行人的特许经营情况
      截至 2021 年 11 月 12 日,发行人业务不涉及特许经营内容,无特许经营权。
八、发行人取得的资质认证和许可情况
      截至 2021 年 11 月 12 日,发行人及其子公司已取得的进出口业务相关资质证书或
备案如下所示:
序号      资质主体      资质名称                编号         授予单位/登记机关        有效期
                报关单位注册登记证                        中华人民共和国苏州
                    书                             工业园区海关
                对外贸易经营者备案                        对外贸易经营者备案
                   登记表                             登记机关
九、公司核心技术及研发情况
(一)核心技术及其技术来源
      报告期内,公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS
系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET。同时,公司已开发了超级硅 MOSFET 及
TGBT 等先进功率器件产品。基于多年的研发投入和技术积累,公司在上述功率器件
领域已形成一系列具有自主知识产权的核心技术。公司主要核心技术情况如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                                     首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书(注册稿)
                                         专利或其他技 专利在产品中的         对业务的作用及    技术先
 序号   产品类别       核心技术       技术/产品特点                                            技术所处阶段 技术来源
                                          术保护措施  运用情况             贡献       进程度
                          衡技术、优化栅极设                             系公司高压超级结
                                                 相关专利在公司
                          计及独创的缓变电容                             MOSFET 产品应用      批量生产;下
               深槽超级结      核心原胞结构,形成                             的核心技术,并作 国内领 一代超级结处
                                         专利已经授   MOSFET 中应
               MOSFET 设计及 了低导通电阻、低栅                             为 MOSFET 基础设 先,国 于研发阶段;8 自主研发
                                         权,另有 10 用,可覆盖优化
               其工艺技术      极电荷、低静态与动                             计及制造技术为后 际先进 英寸和 12 英寸
                                         项正在申请   平衡技术方法等
                          态损耗等优势                                续产品研发提供支         产线同时量产
                                                 关键技术节点
                                                 相关专利在公司        系公司高压屏蔽栅
                          专利技术,实现稳定
                                                 屏蔽栅结构中低        结构中低压
                          的性能和优秀的良率                                            批量生产;下
               屏蔽栅结构中低 2、采用优化电荷平                                               一代屏蔽栅处
               压 MOSFET 设 衡技术,对栅极电荷                                            于研发阶段;8 自主研发
                                         权,另有 15 加工专利技术,        为 MOSFET 基础设 先
               计及其工艺技术 进行优化及分配,形                                               寸和 12 寸产线
                                         项正在申请   帮助实现稳定的        计及制造技术为后
                          成了较优的特征导通                                            同时量产
                                                 性能和优秀的良        续产品研发提供支
                          电阻、高可靠性、低
                                                 率              撑
                          动态损耗等优势
                                                   相关专利在公司
                                                                系公司高压超级硅
                                                                MOSFET 产品应用
               Super-Silicon 超 成多种结构,进一步           中应用,可覆盖                       一代超级硅处
                                                                的核心技术,并作
               级硅 MOSFET 加速器件开关速度          3 项境内发明 在同一功率器件                   国际先 于研发阶段;8
                                                                为 MOSFET 基础设              自主研发
               设计及其工艺技 2、采用优化栅极设 专利正在申请 中集成多种器件                              进   寸线已经出
                                                                计及制造技术为后
               术               计结构,形成了超低           的关键技术节                        货,12 寸产线
                                                                续产品研发提供支
                               的动态损耗等优势            点,帮助加速器                       在推进
                                                                撑
                                                   件的开关速度
               Tri-gate 结构                                                    8 寸线小批量
                               结构实现载流子浓度 专利专利已经 IGBT 产品中应       应用的核心技术, 国际领
                               大幅增强的技术   授权,另有 11 用,可覆盖公司       并作为 IGBT 基础 先
               及其工艺技术                                                         处于研发阶段
苏州东微半导体股份有限公司                                                        首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书(注册稿)
                                            专利或其他技 专利在产品中的 对业务的作用及               技术先
 序号      产品类别          核心技术      技术/产品特点                                             技术所处阶段 技术来源
                                              术保护措施     运用情况          贡献         进程度
                                  结构实现电场调制提          关键技术节点     后续产品研发提供
                                  高耐压的技术                        支撑;系公司业务
                                  开关损耗、高可靠                      一
                                  性、自保护等特点
                                                     相关 在公司
                                  构,实现高速关断和                     Hybrid-FET 产品应
                                                     OSTC 系列产品中
                                  大电流处理能力                       用的核心技术,并
                     Hybrid-FET 器           专利已经授    公司的特殊器件                     国内领
                     件及其工艺技术                权,另有 7 项 结构等关键技术                     先
                                  在不同的应用工作状                     为后续产品研发提
                                            正在申请     节点,有助于,
                                  态下有着不同的电学                     供支撑;该项技术
                                                     实现高速关断和
                                  表现,具有更加宽广                     系公司业务的重点
                                                     大电流处理能力
                                  的工作区域                         发展方向之一
注:截至 2021 年 6 月 30 日
苏州东微半导体股份有限公司                              招股意向书
  (1)MOSFET
  公司深槽超级结 MOSFET 的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设
计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性,技
术方面大幅提高衬底掺杂浓度,有效降低了导通电阻;稳定性方面使产品内部电场更
加均衡,性能更加稳定。栅极结构优化以及缓变电容核心原胞结构技术解决了超级结
器件由于开关速度快导致的开关震荡的问题。由于导通损耗与导通电阻成正比,超级
结器件在导通损耗方面具有很大的优势;同时,开关时间越短,开关过程的能量损耗
就越低。超级结 MOSFET 拥有极低的 FOM 值,从而拥有极低的开关能量损耗和驱动
能量损耗。
  因此,深槽超级结 MOSFET 相比于平面 MOSFET 具有开关速度快、动态损耗低、
可靠性高的特点及优势,在获得极低动态损耗的同时最大程度限制了开关震荡,进一
步提高系统效率、降低发热量,更优的产品性能使其适用于高性能大功率的工业级应
用。
  基于上述核心技术,公司的 GreenMOS 系列高压深槽超级结 MOSFET 产品具有比
肩国际一流公司产品的性能,在优化器件性能的同时提高了产品的生产良率与工作可
靠性,控制了生产成本,整体具有较高的市场竞争力。
  公司 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET 产品与可比公司可比产品的性能比较如
下:
  ① 优值指标比较
  高压 MOSFET 产品性能的关键指标是导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积优值
FOM。相同导通电阻下,栅极电荷越小则优值越低,器件的动态损耗越小,整体性能
越强。
  电源模块的小型化趋势要求 MOSFET 的开关频率进一步提升,而导通电阻 Ron 与
栅极电荷 Qg 的乘积优值 FOM 越小,MOSFET 的动态损耗越小,更加适合高频开关。
公司与可比公司在典型的 600V 电压平台、导通电阻为 0.16 Ω(160 mohm)左右的高
压 MOSFET 产品领域中的技术指标与国内外领先功率器件厂商对比情况如下表所示:
苏州东微半导体股份有限公司                                                       招股意向书
                               Ron 导通电阻典                          Ron·Qg
                                                   Qg 栅电荷 2
可比公司产品系列          规格型号             型值 1                         (优值,FOM)3
                                                  (单位:nC)
                                (单位:Ω)                          (单位:Ω·nC)
英飞凌 C7        IPA60R180C7                 0.155           24           3.72
英飞凌 G7        IPDD60R190G7                0.164           18           2.95
安森美           FCPF190N60E-D                0.16           63          10.08
意法            STF24N60M6                  0.162           23           3.73
东芝            TK16E60W                     0.16           38           6.08
华润微           HPA600R160PF-G               0.13           45           5.85
新洁能           NCE60R180F                   0.15           45           6.75
士兰微           SVS20N60FJFD2                0.16           39           6.24
吉林华微          JS60R190U                    0.14           41           5.74
东微 GreenMOS   OSG60R180FF                  0.15          23.3          3.50
东微超级硅         OSS60R190FF                  0.16          15.8          2.53
数据来源:公开信息,截至 2020 年 12 月 31 日的各公司官网
注 1:该指标数值越小,器件的导通损耗越小,性能越强
注 2:该指标数值越小,器件开关速度越快,动态功耗更小,性能越强
注 3:该指标为以上两个参数的乘积,可以反映器件的综合性能,乘积越小则器件性能越优
     上表选取的各公司 600V 高压 MOSFET 产品的导通电阻基本一致,但是栅极电荷
Qg 及 Ron·Qg 的乘积优值 FOM 性能上存在差异,可体现不同功率器件厂商之间的技
术水平差异。
     国际品牌中英飞凌 G7 产品 IPDD60R190G7 的优值最小,达到 2.95 Ω·nC,性能最
优。公司的 GreenMOS 系列产品 OSG60R180FF 的 Ron·Qg 优值为 3.50Ω·nC,略高于
英 飞 凌 IPDD60R190G7 的 优 值 。 但 公 司 的 新 型 超 级 硅 系 列 产 品 提 升 了 优 值 ,
OSS60R190FF 型号的优值为 2.53Ω·nC,优于全部国际品牌在相同平台下临近规格的优
值,包括英飞凌最新一代产品 IPDD60R190G7。与国产品牌相比,公司的 GreenMOS
系列产品的优值处于明显优势地位,而超级硅系列产品的 Ron·Qg 优值则更为领先。
     因此,公司 GreenMOS 系列高压深槽超级结产品的优值与国际领先厂商的高压超
级结 MOSFET 器件水平可比,新型超级硅系列产品的优值性能达到了国际先进水平,
适合应用于频率更高的高密度电源领域。
   ② 导通电阻指标比较
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
   高压 MOSFET 产品性能的两个关键指标是导通电阻 Ron 以及耐压 BV。相同耐压
下,导通电阻越小,器件的导通损耗越小,器件性能越强。
   TO247 封装是充电桩模块中的大功率芯片应用最为广泛的一种封装形式,以此为
控制变量的条件下,公司在典型的 600V 与 650V 电压平台(高压 MOSFET 器件应用
最广的电压平台)与国内外领先功率器件厂商导通电阻性能对比情况如下表所示:
                                Ron 导通电阻典型值      BV 耐压   额定电流
可比公司产品系列           规格型号
                                 (单位:mohm)1     (单位:V)2 (单位:A)3
英飞凌           IPW60R017C7                 15         600      109
安森美           NTHL019N65S3H-D             15         650      75
意法            STW88N65M5                  24         650      84
东芝            TK040N65Z                   33         650      57
华润微           CRJQ33N65G2F                31         650      83
新洁能           NCE65TF041T                 36         650      75
士兰微           SVS47NF60P7                 65         600      47
吉林华微          JS60R190WU                  140        600      20
东微 GreenMOS   OSG65R017HT3F               14         650      116
东微 GreenMOS   OSG60R022HT3ZF              17         600      110
东微 GreenMOS   OSG60R030HZF                28         600      80
数据来源:公开信息,截至 2020 年 12 月 31 日的各公司官网
注 1:该指标数值越小,器件的导通损耗越小,性能越强
注 2:该指标数值越大,器件耐压越高,安全工作区更大,性能越强
注 3:该指标为可以反映器件的电流处理能力,电流越大则器件性能越强
     东微的 OSG60R030HZF 芯片基于公司的第二代超级结技术制造,耐压为 600V,
导通电阻典型值为 28 mohm,与国产品牌相比处于领先地位,与国外最先进的芯片相
比仍有一定差距。随后,东微推出了基于公司的第三代超级结技术制造的
OSG60R022HT3ZF 和 OSG65R017HT3F 芯片,针对在新一代大功率充电桩模块应用而
设计,大幅降低了导通电阻以便提高充电模块的功率密度和效率。OSG60R022HT3ZF
的最低耐压为 600V,导通电阻典型值为 17 mohm,与 OSG60R030HZF 芯片相比,大
幅降低了导通电阻,导通电阻的性能接近了 英飞凌的 IPW60R017C7 和安森美的
NTHL019N65S3H-D。公司最先进产品 OSG65R017HT3F 的导通电阻为 14 mohm,与
国际品牌英飞凌最小的导通电阻 15 mohm 处于相似水平,而公司产品的 650V 耐压要
苏州东微半导体股份有限公司                                                 招股意向书
高于英飞凌的 600V 耐压。与国产品牌相比,公司的导通电阻指标处于明显的领先地
位。
     综上,公司的深槽超级结 MOSFET 设计及其工艺技术处于国内领先、国际先进的
水平。
     公司中低压屏蔽栅 MOSFET 设计及其工艺技术包括自对准的制造技术、电荷平衡
原理以及全新的器件结构与生产工艺,实现了载流子浓度的大幅增强以及电场调制耐
压的提高,形成了高功率密度、低开关损耗、高可靠性以及自保护等特点。
     基于上述核心技术,公司的中低压屏蔽栅 MOSFET 功率器件采用全新器件结构,
使用可靠性极高的制造工艺,兼备普通平面 MOSFET 与传统屏蔽栅器件的优点,在具
有优秀的工艺稳定性与可靠性的同时拥有更优的应用效率与系统兼容性。
     公司的中低压 SFGMOS 产品广泛应用于电动工具、智能机器人、无人机、新能源
汽车电机控制、移动电源、适配器、数码类锂电池保护板等领域。公司对其中低压
SFGMOS 产品持续进行研发与技术升级,逐渐将器件性能提升到了国内领先水平。
     中低压屏蔽栅 MOSFET 产品的导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积优值 FOM 是
衡量产品性能的核心指标。在相同电压平台下,导通电阻越小,器件的导通损耗越小,
器件性能越强。相同导通电阻下,栅极电荷越小,器件的动态损耗越小,器件性能越
强。
     DFN56 封装是中低压 MOSFET 产品的主流封装之一,具有高密度、扁平化的优
点。以 DFN56 封装为控制变量的条件下,公司第三代 60V 屏蔽栅 MOSFET 产品与国
内外竞争对手产品的各项性能对比如下表所示:
                       Ron 导通电阻典型值         Qg 栅电荷      FOM(Ron·Qg 优值)
公司名称         料号
                        (单位:mΩ)1          (单位:nC)2      (单位:mΩ·nC)3
英飞凌     BSC014N06NST               1.20          89               107
安森美     NTMFS5C604NL               0.93         120               112
意法      STL220N6F7                 1.20          98               118
东芝      TPH1R306P1                 0.96          91                87
华润微     CRSM024N06L2               2.40        74.37              178
新洁能     NCEP60T15AG                2.70          88               238
士兰微     SVG069R5NSA                8.00          17               136
苏州东微半导体股份有限公司                                                                招股意向书
                           Ron 导通电阻典型值              Qg 栅电荷            FOM(Ron·Qg 优值)
公司名称           料号
                            (单位:mΩ)1               (单位:nC)2            (单位:mΩ·nC)3
扬杰       YJG95G06A                     2.10                   93                 195
吉林华微     MC85N06A                      5.40                  34.7                187
东微       SFS06R013UGF                  1.35                  83.6                113
东微       SFS06R03GF                    2.30                  66.1                152
数据来源:公开信息,截至 2020 年 12 月 31 日各公司官网
注 1:该指标数值越小,器件的导通损耗越小,性能越强
注 2:该指标数值越小,器件开关速度越快,动态功耗更小,性能越强
注 3:该指标为以上两个参数的乘积,可以反映器件的综合性能,乘积越小则器件性能越优
     由 上 表 可 见 , 公 司 在 60V 电 压 平 台 、DFN56 封 装 形 式 下 的 中 低 压 屏 蔽 栅
MOSFET 器件 SFS06R013UGF 的 Ron 导通电阻最小达到 1.35 mohm。国际品牌
DFN56 封装形式产品的导通电阻最低达到 0.93 mohm,为安森美的 NTMFS5C604NL
型号产品,较公司的产品处于领先水平。英飞凌和意法的同类型产品的导通电阻最小
达到 1.2 mohm,较公司的产品稍低 11%。与国内厂商比较,公司的 SFS06R013UGF
型号产品的导通电阻处于明显领先地位。
     公司的 SFS06R013UGF 型号产品的 FOM 优值为 113 mΩ·nC,与英飞凌、安森美
的产品接近,与国际领先水平的差距较小,但与国内几家同类型产品相比处于明显领
先地位。
     公司在 60V 产品中出货量较大的产品规格为 SFS06R03GF,导通电阻典型值为 2.3
mohm。在此规格附近全球功率器件厂商产品的关键性能指标如下表所示:
                           Ron 导通电阻典型值              Qg 栅电荷             FOM(优值)
 公司名称           料号                         1                  2
                            (单位:mΩ)                (单位:nC)            (单位:mΩ·nC)3
 英飞凌        BSC027N06LS5               2.30                  43                  99
 安森美       NTMFS5H630NL                2.50                  35                  88
  意法         STL140N6F7                2.40                  55                  132
  东芝        TPH2R506PL                 1.90                  60                  114
 华润微       CRSM024N06L2                2.40              74.37                   178
 新洁能        NCEP60T15AG                2.70                  88                  238
 士兰微             /                             /                  /                 /
  扬杰         YJG95G06A                 2.10                  93                  195
 吉林华微            /                             /                  /                 /
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
                     Ron 导通电阻典型值         Qg 栅电荷       FOM(优值)
 公司名称      料号
                      (单位:mΩ)1          (单位:nC)2     (单位:mΩ·nC)3
  东微    SFS06R03GF               2.30         66.1              152
数据来源:公开信息,截至 2020 年 12 月 31 日各公司官网
注 1:该指标数值越小,器件的导通损耗越小,性能越强
注 2:该指标数值越小,器件开关速度越快,动态功耗更小,性能越强
注 3:该指标为以上两个参数的乘积,可以反映器件的综合性能,乘积越小则器件性能越优
  公司 SFS06R03GF 产品在 DFN56 封装形式下的导通电阻 Ron 为 2.3 mohm,优值
FOM 为 152 mΩ·nC ,与国内厂商相比优值 FOM 指标具有一定优势。
  综上,公司的屏蔽栅结构中低压 MOSFET 设计及其工艺技术处于国内领先水平。
  公司的超级硅 MOSFET 设计及其工艺技术主要包括独创的器件结构与优化的制造
工艺,拥有高速开关以及低动态损耗的特性,在硅基制造工艺上进一步提升了器件的
开关速度,在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓(GaN)功率模块的效率和功
率密度,与传统的功率器件相比具有明显优势。
  公司的超级硅系列 MOSFET 产品具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成熟
度高的特点及优势。由于超级硅系列产品采用的硅基制造工艺更加成熟,一方面相较
氮化镓器件可靠性更高,另一方面生产成本更低,产品更具市场竞争力。
  超级硅系列产品与可比公司可比产品的性能参数比较请参见本节“ 九、公司核心
技术及研发情况 /(一)核心技术及其技术来源 / 1、核心技术 / (1)MOSFET / 1) 深
槽超级结 MOSFET 设计及其工艺技术”。总体而言,公司的超级硅 MOSFET 设计及
其工艺技术处于国际先进水平。
  Tri-gate 结构 IGBT 器件设计及其工艺技术主要为使用具有独立知识产权的创新性
结构以实现 IGBT 性能的提升,具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独
创的器件结构等。载流子控制技术优化了 IGBT 器件在导通时的内部载流子分布;原
胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中的功率分布更加均匀,避免了局部电压电
流过大而导致的器件失效,使得器件具有更高的工作稳定性;独创的器件结构提升了
产品的电场调制能力,提高了耐压性以及载流子浓度,因此提升了产品整体的可靠性。
苏州东微半导体股份有限公司                                                            招股意向书
     基于上述核心技术,公司 IGBT 产品的导通压降与开关速度同时得到优化,在关
键技术参数上有着大幅的提高,在应用过程中拥有发热低、效率高的优势,可使整体
应用系统的功耗更低,并拥有高功率密度、低开关损耗、高可靠性以及自保护等优势。
  IGBT 产品的重要指标是饱和压降 Vce,sat 和关闭损耗 Eoff。公司的 IGBT 产品通过
优化器件内部的载流子分布,提高了电流密度,在不提高饱和压降 Vce,sat 的情况下实
现了较低的关闭损耗 Eoff。公司的 IGBT 产品系列为 Tri-gate IGBT,工作电压范围覆
盖 550V-1350V,工作电流覆盖 15A-120A。2021 年上半年,公司的 IGBT 产品已开始
实现销售。
  IGBT 产品应用较多的为 600-650V 耐压平台产品和 1200V-1350V 耐压平台产品。
公司 650V 75A IGBT 产品与其他公司的 75A 接近规格的饱和压降 Vce,sat 和关闭损耗
Eoff 的对比如下表所示:
                                                              二极管正向
                          额定电 Vce,sat 饱和                              栅电荷,
                                                   Eoff(单      压降典型
 公司名称         料号          流(单 压降典型值                                    Qg(单
                                                   位:mJ)      值,Vf (单
                          位:A) (单位:V)                                 位:nC)
                                                               位:V)
英飞凌      IKW75N65EH5         75             1.65        0.9       1.35      160
安森美      AFGHL75T65SQ        75              1.6       1.13          /      139
意法       STGWA75H65DFB2      75             1.55       1.05        1.8      207
华润微      BT75T60AKFK         75             1.75        2.1        1.4      433
新洁能      NCE75TD60T          75             1.65        1.9        1.6      360
士兰微      SGT75T65SDM1P4      75             1.65        3.1       1.82      186
吉林华微  JT075N065WED           75             1.75       0.97        2.2      160
东微高速系
      OST75N65HZF            75             1.65       0.85       1.45      175

东微低饱和
      OST75N65HSZF           75              1.5        0.9       1.45      187
压降系列
数据来源:公开信息,截至 2020 年 12 月 31 日各公司官网
     公司推出了高速系列和低饱和压降的两款 650V 75A IGBT 产品,应用于不同频率
段的场合,可以分别对标国际上多款相近规格的产品。从上表可 得,国产竞品在
Vce,sat 典型值为 1.65V 时,最低的 Eoff 为 1.9mJ,高于国际各品牌的 Eoff。公司的
OST75N65HZF 在 Vce,sat 典型值为 1.65V 时,Eoff 为 0.85 mJ,相较国际竞品的 Eoff
苏州东微半导体股份有限公司                                                     招股意向书
值更低,性能更优。公司的低饱和压降系列 650V 75A 芯片 OST75N65HSZF,可以在
Eoff 相对于 OST75N65HZF 基本不变的情况下(0.9 mJ),将饱和压降 Vce,sat 典型值降
低到了 1.50V,性能处于国际领先水平。
     在谐振拓扑应用中,饱和压降典型值 Vce,sat 值、二极管正向压降 Vf、以及栅极
电荷这三个指标属于关键性能指标。饱和压降典型值 Vce,sat 值越低时,IGBT 的导通
损耗越低;二极管正向压降 Vf 越低,反并联二极管上的导通损耗越低;栅电荷 Qg 越
小,栅极驱动损耗以及 IGBT 的开通损耗 Eon 就越低。公司推出了基于新型 Tri-gate 结
构的 1350V 20A IGBT,对上述三个方面的特性进行了优化。此款产品耐压 1350V,与
国内外公司接近规格的各项参数对比如下表所示:
                                                     二极管正向
                           额定电流        饱和压降典                     栅电荷,Qg
                                                      压降典型
公司名称             料号        (单位:        型值 Vce,sat                 (单位:
                                                     值,Vf (单
                            A)         (单位:V)                      nC)
                                                      位:V)
英飞凌       IHW20N135R5             20          1.65        1.65       170
安森美       NGTB20N135IHR           20           2.2         1.8       234
意法        STGW20IH125DF           20            2          1.1        69
东芝        GT20N135SRA             20           1.6        1.75       185
华润微       BT25T135CKR             25          1.95         2.6       142
新洁能       NCE25TD135LT            25           1.6         2.5       146
士兰微       SGT20T135QR1PS          20           1.8        1.95       125
扬杰        JX20N135HWR             20           2.1     Max 3.0        115
吉林华微      JT020N135WDD            20           1.8         1.7        119
东微        OST20N135HRF            20           1.6         1.5       71.5
数据来源:公开信息,截至 2020 年 12 月 31 日各公司官网
     从上表可见,公司的 1350V IGBT OST20N135HRF 的 Vce,sat 达到 1.6V,与东芝
的同规格产品处于相似水平,优于其他公司的同规格产品。Vce,sat 越低,意味着
IGBT 芯片导通损耗越低。公司 IGBT 产品的二极管正向压降 Vf 为 1.5V,仅略高于意
法的产品,与其他公司相比都处于领先地位。Vf 越低,意味着反并联的二极管导通损
耗越低。在 Qg 栅电荷方面,公司的 IGBT 产品与意法相接近,优于其他公司竞品。
Qg 栅电荷越小,栅极驱动损耗以及开通损耗越低。
     综上,公司的 Tri-gate 结构 IGBT 器件设计及其工艺技术处于国际领先水平。
苏州东微半导体股份有限公司                                                          招股意向书
  Hybrid-FET 器件及其工艺技术包括全新的器件结构以及电流动态调整技术。这种
特殊的器件结构结合了导通电流密度高与开关速度快的特点,可实现高速关断和大电
流的处理能力;采用电流动态调整技术则使器件在不同的应用工作状态下拥有不同的
电学表现,具有更加宽广的安全工作区域,可提高产品的整体稳定性。
  公司的 Hybrid-FET 器件及其工艺技术处于国内领先水平。基于此核心技术,公司
的 Hybrid-FET 器件兼具 IGBT、超级结 MOSFET 等功率器件的优点,目前已将该技术
申请专利并开始产业化。
  报告期内,公司应用核心技术的产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、
SFGMOS 系列及 FSMOS 系列中低压 MOSFET 等功率器件产品,前述产品形成的收入
占公司营业收入的比例情况如下表所示:
                                                                     单位:万元
        项目      2021 年 1-6 月         2020 年度           2019 年度       2018 年度
核心技术产品和服务收入          32,082.43             30,878.74     19,604.66      15,283.52
营业收入                 32,082.43             30,878.74     19,604.66      15,289.99
占营业收入的比例             100.00%               100.00%        100.00%        99.96%
  公司的研发部门设置主要包括产品研发工程部以及应用技术部,其中,产品研发
工程部门负责各项新型产品的研发、实验测试等工作,应用技术部负责产品研发过程
中的各项执行与支持工作以及专利的申请及维护工作。
  公司产品研发工程部门的主要研究方向及内容如下:
       研发方向                                     具体内容
高压器件            高压高速器件的研发,主要包括高压超级结器件的研发与优化
中低压器件           中低压高速器件的研发,主要包括中低压屏蔽栅器件
新型大功率器件         大功率器件的研发,主要包括 IGBT 器件与 Hybrid-FET
苏州东微半导体股份有限公司                                                招股意向书
(二)核心技术的科研实力和成果情况
      截至 2021 年 6 月 30 日,公司获得的主要奖项具体如下:
 序号       获奖年度          奖项名称                          颁奖单位
      报告期内,公司参与执行 7 项省市级科研项目,具体情况如下表所示:
                                                       与公司主营业务的关
 序号      项目(课题)名称       项目来源          项目执行期
                                                           系
        苏州工业园区高价值专   苏州工业园区科技和
         利培育计划示范工程      信息化局
        基于新型半浮栅结构的
          发及产业化”
        具有快速反向恢复功能
           的功率器件
        苏州工业园区知识产权   苏州工业园区科技和
         战略推进计划项目       信息化局
        新能源汽车充电桩核心
         心技术产品认定)
        高性能功率半导体领域
                     苏州市市场监督管理
                         局
           计划项目
                      苏州市工业和信息化
        高速低功耗 IGBT 功率
        芯片的研发与产业化
                        术攻关项目
(三)正在从事的研发项目及进展情况
      公司目前在多个方向开展研发工作,以进一步巩固优势产品的技术能力,并根据
行业发展趋势不断拓展前瞻性技术。截至 2021 年 6 月 30 日,公司正在从事的主要研
发项目及进展情况具体如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                               招股意向书
                                                           与行业技术水
 序号     项目名称              研发目标        研发人员   技术来源   研发进度
                                                            平的比较
                       进一步降低高压超
                       级结 MOSFET 产品
      第三代超级结器          的原胞尺寸,进一
        件研发            步降低高压超级结
                       MOSFET 特征导通
                            电阻
                       优化中低压屏蔽栅
                       MOSFET 的沟槽形
                       貌,保证多晶硅和
                       氧化层的填充,通
                       过优化中低压屏蔽
      超低 FOM 及高
                       栅 MOSFET 的外延
       性能的 150V
      SGT 功率器件
                       电容参数,提升优
          研发
                       值,优化中低压屏
                       蔽栅 MOSFET 的特
                       征导通电阻,降低
                       开关过程中的过冲
                          电压和电流
                       实现在 12 英寸大晶
                       圆平台上量产更优
                         性能的屏蔽栅
                       MOSFET 产品,优
                        化中低压屏蔽栅
          研发                                         试产
                       MOSFET 的器件设
                       计,提升可靠性,
                           提高良率
                       优化 MOSFET 的工
                       速度降低开关损耗
          及以上           器件的额定耐压
      GreenMOS 高压      值,将耐压规格扩
       的超级结芯片           展到超高压领域
                                                    部分电压
       艺 GreenMOS       上生产超级结工
          超级结          艺,同时提升产品
                                                     试产
         MOSFET            一致性。
                       优化 900V 以下新
                       型 IGBT 器件的关
                       断损耗与导通压降
          IGBT)
                            特性
                       优化 900V 以上新
                       型 IGBT 器件的关
                       断损耗与导通压降
       gate IGBT)
                            特性
注:
苏州东微半导体股份有限公司                                                     招股意向书
  除上述在研项目以外,公司于 2021 年 7 月立项了第三代半导体 SiC 功率器件自主
研发项目,主要针对以碳化硅的为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发,目前
该项目处于立项阶段。
(四)研发投入情况
  公司始终鼓励创新,重视研发工作,已形成的核心技术均系自主研发的成果。报
告期内,公司研发投入整体保持稳定,具体情况如下:
   项目      2021 年 1-6 月      2020 年度            2019 年度        2018 年度
研发费用(万元)          1,650.12         1,599.36         1,202.58       1,603.83
营业收入(万元)         32,082.43        30,878.74        19,604.66      15,289.99
   占比              5.14%                5.18%        6.13%         10.49%
注:报告期内公司不存在与其他单位合作研发的情形
(五)公司核心技术人员及研发团队情况
  (1)核心技术人员情况
  截至 2021 年 11 月 12 日,公司共有核心技术人员 4 名,公司核心技术人员的基本
情况如下:
  序号               姓名                                     职位
苏州东微半导体股份有限公司                                                       招股意向书
  公司核心技术人员的简历具体参见本招股意向书“第五节                            发行人基本情况”之
“七、董事、监事、高级管理人员与核心技术人员”。
  (2)核心技术人员的认定依据
  截至 2021 年 11 月 12 日,公司核心技术人员为王鹏飞、刘磊、刘伟及毛振东。公
司有关核心技术人员的认定标准为:①拥有深厚的工作资历和丰富的项目经验;上述
四人中,王鹏飞为公司创始人之一,其余三人分别于 2009 年、2009 年及 2015 年加入
东微半导体;公司的核心技术人员目前主管公司研发工作,并作为研发项目负责人主
导了公司各重大研发项目的开展;②拥有与公司业务匹配的学历背景和行业经验,四
名核心技术人员均取得了知名院校相关专业的博士、硕士或本科学位,并在微电子行
业有着丰富的研发经验;③主导多项核心技术的研发、完成绝大部分公司专利的申请。
  报告期各期末,公司研发人员数量不断增加,分别为 10 人、18 人、24 人和 31 人,
占员工总人数的比例分别为 55.56%、48.65%、45.28%和 45.59%。
    项目     2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
研发人员数量
(人)
员工总人数(人)                68                53              37               18
研发人员占比              45.59%            45.28%          48.65%           55.56%
  公司高度重视对研发人才、核心技术人才、关键人才的引进、培养和合理的职业
安排,通过全面的激励机制、市场化的薪酬机制及多样化的人才关爱与奖励机制,稳
定核心技术人才队伍,激励其不断创新,与公司共同成长。相关激励和约束措施主要
包含以下方面:
  公司建立了健全的绩效管理体系,将组织业绩目标全方位、多方式、全过程地层
层落实至个人,并建立绩效标准与个人发展计划。通过长、短期结合的定性、定量指
标设定使个人绩效目标与部门绩效目标、公司目标紧密结合,以确保组织业绩目标按
期达成并进一步强化公司业务能力及持续提升组织能力和绩效水平。对表现突出的员
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
工进行奖励如升职、加薪、奖金等,以充分调动员工的工作积极性,保证公司的快速
发展。
  公司对研发人才专门设立了研发创新项目给予技术研发人员目标奖励或收益分享
奖励,鼓励各类技术与管理创新。
  公司对提出专利、商标等知识产权申请的员工进行奖励,在知识产权获得授权或
注册通过后再进行进一步奖励,以此加强公司的知识产权保护,鼓励员工发明创造的
积极性,加快形成自主知识产权,提高公司核心竞争力。
  公司实施了员工股权激励,对核心技术人员和关键岗位人员等进行了股权激励,
促进员工与公司共同成长,帮助企业实现稳定发展的长期目标。
(六)保持技术不断创新的机制、技术储备及技术创新的安排
  (1)完善研发体系及管理制度
  公司建立了完善的研发体制和专业的技术团队,能够满足公司各领域的新技术与
新产品开发需求。
  公司拥有完善的研发目标确立流程和规划体系,于每年年初进行大型和小型研发
项目的整体规划。大型项目的研发方向由公司管理层确定,主要包括 1200V 以上的高
压超级结 MOSFET、电机驱动系列高压超级结 MOSFET 以及 900V 及以上的 TGBT 产
品等。公司目前对第三代半导体进行研发和技术调查,且已有比较明确的项目计划。
小型项目的立项将在有明确的外部需求后进行。
  公司高度重视市场需求对于研发工作的重要作用,在研发初期即坚持以市场为导
向的研发策略。在小项目研发立项过程中,公司市场部进行认真深入的市场调研,广
泛收集客户的需求,充分论证项目的可行性。除此之外,公司还积极获取客户对产品
的反馈及其他要求,有针对性地进行新产品的开发。公司也会根据未来市场趋势主动
进行新产品和新技术的技术积累,为未来的市场需求做好充分准备。
苏州东微半导体股份有限公司                                     招股意向书
  公司不断加强对研发过程的组织和管理,坚持流程化管理研发组织和项目。每个
项目的研发均需经过立项、研发实施、评审、试产、小规模量产、批量生产等多个环
节,在各个环节均需提交相关资料,并组织多部门联席会议进行评审。公司建立的各
项制度严格落实到产品立项、设计、制造、验证评估、转量产等各个环节,严谨周密
的项目管理机制能够从制度层面保证技术创新的有序开展及持续规范。
  (2)加大研发投入力度
  公司自成立以来,对半导体功率器件核心技术的发展持续跟踪并深入调研,同时
加大研发投入力度,对产品技术不断进行研发创新,使得产品性能和技术水平都得到
了显著提升。
  为了保证企业的持续稳定发展,公司在报告期内持续保证研发投入的力度,2018
年度、2019 年度、2020 年度和 2021 年 1-6 月,公司研发费用合计分别为 1,603.83 万元、
  (3)加强知识产权管理
  公司高度重视知识产权管理,制定了专门的知识产权管理制度,与核心员工均签
署了保密协议,并设立了全职的专利经理岗位,负责跟踪行业的技术动态、检索分析
总结相关的专利技术信息、对公司的知识产权进行撰写修改、申请及跟踪管理。
  为激发研发团队工作积极性,公司实施知识产权保护战略,在专利的申请过程中
对发明人及团队进行奖励,有力地打造了公司的自有知识产权体系。
  (4)建立人才培养与激励机制
  在现有的人才保障体制下,人才的培养与储备是公司实现持续创新的关键。一方
面,公司实施“人才+技术”的双储备机制,同时兼顾优秀人才的引进和领先技术优势
的保持。公司利用现有工作平台不断吸引专业人员,并从重点高校中选拔优秀应届毕
业生,不断加强研发梯队建设,以充实公司的人才储备。另一方面,公司对各级别研
发人员的职业通道、学习路径和培训方案制定了系统的规划,通过完善的培训机制打
造了全员参与的学习型团队。公司采用了定期经验分享、专业化培训等内部培训机制
与外聘专家咨询、对外学习交流等外部培训机制,并配合“研发导师制度”,为公司
的持续发展提供了源源不断的知识动力,有效确保了研发团队的稳定成长。
苏州东微半导体股份有限公司                                              招股意向书
   公司根据行业发展的趋势和下游客户的需求,围绕现有产品和技术成果,在现有
产品芯片研发、结构设计、工艺优化以及新产品开发等方面不断创新,加强技术储备,
从而使公司现有产品技术水平保持行业领先地位并拓展新的应用领域和产品类型。
   公司持续专注于研发高性能的功率半导体产品,以实现国产高性能功率器件的自
主可控。除公司已形成并广泛应用于生产经营的核心技术之外,公司已在高压超级结
MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 及 IGBT 等领域形成一定的技术储备,主要包括适
用于超级结 MOSFET 的深槽结构设计及工艺技术,与多层外延技术相比工艺难度更高,
但性能更优;适用于中低压 MOSFET 的屏蔽栅结构设计和工艺技术,显著降低了器件
导 通 电 阻 及 开 关 损 耗 ; IGBT 产 品 的 创 新 性 三 栅 结 构 的 设 计 和 工 艺 技 术 ; 以 及
MOSFET 功率器件在 12 英寸晶圆制造平台上量产的设计及工艺技术。
十、公司境外经营情况
   公司设立在境外的控股子公司为香港赛普锐思有限公司,不从事实际生产经营活
动,详细情况参见本招股意向书“第五节 发行人基本情况”/“四、发行人控股、参
股公司、分公司情况”。
苏州东微半导体股份有限公司                     招股意向书
                第七节 公司治理与独立性
一、股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘书制度的运行及相
关人员履职情况
  发行人按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上市公司章程指引》
《科创板上市规则》等适用法律、法规及规范性文件及《公司章程》的规定和要求设立
了股东大会、董事会(下设审计委员会、战略委员会、提名委员会、薪酬与考核委员
会)、监事会、独立董事、董事会秘书制度,形成了规范的公司治理结构。同时,发
行人制定了《股东大会议事规则》《董事会议事规则》《监事会议事规则》《独立董
事工作制度》《对外投资管理制度》《关联交易管理制度》《对外担保管理制度》等
相关治理制度。
(一)报告期内发行人公司治理存在的缺陷及改进情况
  公司自整体变更设立股份公司以来,根据《公司法》《证券法》等有关法律、法
规、规范性文件,并参照《上市公司章程指引》《科创板上市规则》及中国证监会、
上交所的其他相关要求,建立健全了公司股东大会、董事会、监事会和管理层组成的
治理架构,组建了较为规范的公司内部组织机构,制定并完善了《公司章程》《股东
大会议事规则》《董事会议事规则》《监事会议事规则》《总经理工作细则》《董事
会秘书工作制度》《独立董事工作制度》《关联交易管理制度》《对外投资管理制度》
《对外担保管理制度》等规范性文件。
  公司改制成为股份公司后,公司股东大会、董事会、监事会及相关职能部门按照
有关法律法规和公司内部制度规范运行,形成了职责明确、相互制衡、规范有效的公
司治理机制,不存在公司治理缺陷。
(二)股东大会、董事会、监事会的实际运行情况
  公司股东大会严格遵循《公司章程》《股东大会议事规则》等规定的要求,保障
各股东利益。自股份公司设立以来,公司股东大会运行情况良好,股东大会的会议通
知、召开方式、提案审议、表决均符合相关规定,对会议表决事项均做出了有效决议。
苏州东微半导体股份有限公司                                                招股意向书
  截至报告期末,公司自整体变更为股份有限公司后,共召开过 4 次股东大会,具
体情况如下:
 序号             届次                      日期               出席情况
  公司董事会严格按照《公司章程》《董事会议事规则》的规定行使职权。自股份
公司设立以来,公司董事会运行情况良好,董事会的会议通知、召开方式、提案审议、
表决均符合相关规定,对会议表决事项均做出了有效决议。
  截至报告期末,公司自整体变更为股份有限公司后,共召开过 5 次董事会会议,
具体情况如下:
 序号             届次                        日期              出席情况
  公司监事会严格按照《公司章程》《监事会议事规则》的规定行使职权。自股份
公司设立以来,公司监事会运行情况良好,监事会的会议通知、召开方式、提案审议、
表决均符合相关规定,对会议表决事项均做出了有效决议。
  截至报告期末,公司自整体变更为股份有限公司后,共召开过 2 次监事会会议,
具体情况如下:
 序号             届次                      日期               出席情况
苏州东微半导体股份有限公司                                        招股意向书
 序号             届次                   日期           出席情况
(三)独立董事制度运行情况
  为完善公司董事会结构,保护中小股东利益,加强董事会的决策功能,公司董事
会设有 3 名独立董事,并制定有《独立董事工作制度》,对独立董事的任职条件、职
权、工作条件等作出明确规定。公司独立董事自聘任以来,按照《公司章程》《独立
董事工作制度》的规定认真履行独立董事职责。各位独立董事亦根据自身的专长,分
别担任董事会下设各专门委员会委员,参与董事会下属专门委员会的工作。公司独立
董事在规范公司运作、维护公司权益、完善内部控制制度、提高董事会决策水平等方
面起到了积极作用,公司法人治理结构得到进一步完善。截至本招股意向书签署之日,
独立董事未对发行人有关事项提出异议。
(四)董事会各专门委员会的设置及运行情况
  公司董事会下设审计委员会、战略委员会、提名委员会、薪酬与考核委员会,各
专门委员会的主要职责、组成情况及运行情况如下:
  审计委员会成员由 3 名董事组成,其中独立董事 2 名。公司现任董事会审计委员
会由郭龙华、毕嘉露及龚轶组成,其中郭龙华为召集人。2020 年 12 月 5 日,第一届董
事会第二次会议审议通过《苏州东微半导体股份有限公司董事会审计委员会工作细
则》。
  战略委员会由 3 名董事组成。公司现任董事会战略委员会由龚轶、王鹏飞及卢万
松组成,其中龚轶为召集人。2020 年 12 月 5 日,第一届董事会第二次会议审议通过
《苏州东微半导体股份有限公司董事会战略委员会工作细则》。
  提名委员会由 3 名董事组成。公司现任董事会提名委员会由毕嘉露、卢红亮及王
苏州东微半导体股份有限公司                           招股意向书
鹏飞组成,其中毕嘉露为召集人。2020 年 12 月 5 日,第一届董事会第二次会议审议通
过《苏州东微半导体股份有限公司董事会提名委员会工作细则》。
  薪酬与考核委员会由 3 名董事组成。公司现任董事会薪酬与考核委员会由郭龙华、
毕嘉露及龚轶组成,其中郭龙华为召集人。2020 年 12 月 5 日,第一届董事会第二次会
议审议通过《苏州东微半导体股份有限公司董事会薪酬与考核委员会工作细则》。
(五)董事会秘书制度运行情况
  公司董事会秘书自聘任以来,按照《公司章程》《董事会秘书工作制度》的规定,
负责组织筹备董事会会议和股东大会会议、投资者关系管理、协调公司信息披露事务
等各项工作,勤勉尽职地履行了职责。
二、公司的特别表决权股份或类似安排
  截至本招股意向书签署之日,发行人不存在特别表决权股份或类似安排,亦不存
在协议控制架构。
三、公司内部控制制度的情况
(一)公司内部控制的自我评价
  根据《企业内部控制基本规范》及相关规定,公司内部控制于 2021 年 6 月 30 日
在所有重大方面是有效的。
(二)注册会计师对公司内部控制制度的评价
  天健就公司的内部控制出具了《关于苏州东微半导体股份有限公司内部控制的鉴
证报告》(天健审〔2021〕6989 号),认为:“东微半导体公司按照《企业内部控制
基本规范》及相关规定于 2021 年 6 月 30 日在所有重大方面保持了有效的内部控制”。
苏州东微半导体股份有限公司                     招股意向书
四、公司最近三年违法违规及处罚情况
  公司严格按照《公司法》及相关法律法规和《公司章程》的规定规范运行、依法
经营,报告期内不存在重大违法违规行为,也未受到相关主管机关的重大处罚。
五、公司资金的占用与担保情况
  截至本招股意向书签署之日,发行人不存在资金被实际控制人及其控制的其他企
业占用的情况,不存在资金被实际控制人及其控制的其他企业以借款、代偿债务、代
垫款项或者其他方式占用的情况,亦不存在为实际控制人及其控制的其他企业进行担
保的情况。
六、公司独立性
  截至本招股意向书签署之日,发行人在资产、人员、财务、机构和业务方面均具
备独立性,具有完整的业务体系和直接面向市场独立持续经营的能力:
(一)资产完整
  发行人具备与生产经营有关的生产系统和配套设施,合法拥有与生产经营有关的
主要土地、房产、机器设备以及商标、专利等,具有独立的采购和销售系统。
  公司资产独立于实际控制人及其控制的其他企业,产权关系明确,不存在被实际
控制人占用资金、资产等情况。
(二)人员独立
  发行人拥有独立的劳动、人事和工资管理体系。目前公司总经理、副总经理、财
务负责人和董事会秘书未在实际控制人及其控制的其他企业中担任除董事、监事、执
行事务合伙人以外的其他职务。公司的董事、高级管理人员均严格按照《公司法》
《公司章程》等有关规定产生,不存在主要股东超越公司股东大会和董事会作出人事
任免决定的情况。
苏州东微半导体股份有限公司                            招股意向书
(三)财务独立
  发行人设有独立的财务部门,拥有独立的财务人员,财务运作独立于实际控制人。
公司建设了独立的财务核算系统,进行独立核算,并独立作出财务决策。公司具有规
范、健全的财务管理制度、资产管理制度和财务会计管理制度。公司未与实际控制人
及其控制的其他企业共用银行账户。公司作为独立纳税主体,依法独立进行纳税申报
和履行缴纳义务。
(四)机构独立
  发行人已建立了适应自身发展需要和市场竞争需要的内部职能机构,按照《公司
章程》及各项规章制度行使职权。公司具有独立的经营场所,独立办公,与实际控制
人及其控制的其他企业间不存在机构混同的情形。
(五)业务独立
  发行人有独立的业务经营体系和直接面向市场独立经营的能力,包括拥有独立的
产品研发体系、生产体系、市场营销体系等,不存在对实际控制人的重大依赖。公司
与实际控制人及其控制的其他企业之间不存在同业竞争或者有失公平的关联交易。
(六)发行人主营业务、控制权、管理团队和核心技术人员稳定
  最近两年内,发行人主营业务和董事、高级管理人员及核心技术人员均没有发生
重大不利变化;最近两年内,发行人实际控制人没有发生变更,实际控制人所持发行
人的股份权属清晰,不存在导致控制权可能变更的重大权属纠纷。
(七)对持续经营有重大影响的事项
  发行人不存在主要资产、核心技术、商标的重大权属纠纷,重大偿债风险,重大
担保、诉讼、仲裁等或有事项,经营环境已经或将要发生的重大变化等对持续经营有
重大影响的事项。
七、同业竞争
(一)不存在同业竞争情况的说明
  截至 2021 年 11 月 12 日,除公司子公司外,公司实际控制人王鹏飞及龚轶控制的
苏州东微半导体股份有限公司                            招股意向书
其他企业为苏州高维和得数聚才,其均为实施股权激励的持股平台,不存在与公司从
事相同、相似业务的情形公司。
(二)避免同业竞争的承诺
  公司实际控制人王鹏飞及龚轶已出具《关于避免同业竞争的承诺函》,主要内容
请参见本招股意向书“第十节 投资者保护 / 七、发行人、实际控制人、董事、监事、
高级管理人员、核心技术人员及本次发行的保荐人及证券服务机构作出的重要承诺 /
(十一)其他承诺承诺 / 1、关于避免同业竞争的承诺”。
八、关联方、关联关系及关联交易
  根据《公司法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《企业会计准则》等相
关法律、法规和规范性文件的规定,公司的主要关联方如下:
(一)关联方
  (1)控股股东
  公司不存在控股股东,具体参见本招股意向书“第五节 发行人基本情况 / 五、主
要股东及实际控制人的基本情况 / (一)控股股东、实际控制人情况 / 1、控股股东”。
  (2)实际控制人及其一致行动人
  公司的实际控制人为王鹏飞和龚轶。截至 2021 年 11 月 12 日,公司股东卢万松和
王绍泽与实际控制人王鹏飞和龚轶签署了《一致行动协议》,卢万松和王绍泽为发行
人实际控制人的一致行动人。
  发行人实际控制人及一致行动人情况参见本招股意向书“第五节 发行人基本情况
/ 五、主要股东及实际控制人的基本情况 / (一)控股股东、实际控制人情况 / 2、实际
控制人”。
  除实际控制人外,其他直接或间接持有发行人 5%以上股份的情况为:
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
序号          关联方名称                         关联关系说明
                                   通过中新创投和原点创投间接持有发行人 5%
                                           以上股份
                                   通过中新创投和原点创投间接持有发行人 5%
                                           以上股份
     发行人的董事、监事和高级管理人员为发行人的关联方,该等人员的具体情况参
见本招股意向书“第五节 发行人基本情况 / 七、董事、监事、高级管理人员与核心技
术人员”的相关内容。
     除公司及其控股子公司外,前述发行人的实际控制人(包括其一致行动人)、直
接持有发行人 5%以上股份的股东以及发行人的董事、监事和高级管理人员直接或者间
接控制的法人或其他组织主要包括:
序号              关联方名称                        关联关系说明
                                       王鹏飞持有 49.6404%出资额并任执
                                          行事务合伙人的企业
                                       龚轶持有 21.8520%出资额并任执行
                                           事务合伙人的企业
苏州东微半导体股份有限公司                                                  招股意向书
序号                    关联方名称                           关联关系说明
      与前述第 1 至 3 项所述关联自然人关系密切的家庭成员,指前述人士的配偶、年
满 18 周岁的子女及其配偶、父母及配偶的父母、兄弟姐妹及其配偶、配偶的兄弟姐妹、
子女配偶的父母。
      公司的控股子公司及合营、联营企业情况本招股意向书“第五节 发行人基本情况
/ 四、发行人控股、参股公司、分公司情况”。
      (1)智禹嘉通系得数聚才的有限合伙人,持有发行人股东得数聚才的合伙份额而
间接持有公司 1.224%股份。此外,智禹嘉通与智禹博信、智禹淼森、智禹东微及智禹
博弘的基金管理人均为苏州丛蓉投资管理合伙企业(有限合伙)。
      (2)除上述关联方外,其他由前述第 1 至 4 项所述关联自然人直接或者间接控制
的,或者由前述关联自然人(独立董事除外)担任董事、监事、高级管理人员的法人
或其他组织(在发行人及其子公司担任的职务除外)构成公司关联方,其具体情况如
下:
苏州东微半导体股份有限公司                                   招股意向书
序号          关联方名称                      关联关系说明
     (3)报告期内曾存在的关联方
     杜民及邱忠乐于报告期内曾担任发行人董事,该曾任董事及其关系密切的家庭成
员为发行人报告期内曾存在的关联自然人。
     杜民及邱忠乐于担任发行人董事期间直接或者间接控制的法人或其他组织,及担
任董事、监事、高级管理人员的法人或其他组织(在发行人及其子公司担任的职务除
外)为发行人报告期内曾存在的关联法人。
     本公司其他关联方还包括其他根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》《企
业会计准则》等相关规定认定的关联方。
苏州东微半导体股份有限公司                                                                  招股意向书
(二)报告期内关联方的变化情况
  报告期内,新增股东哈勃投资持有本公司 5%以上股份,为本公司新增关联方,本
公司间接持有发行人 5%以上股份的法人亦发生变化。
  报告期内,新增股东智禹淼森、智禹东微、智禹博弘,该等股东因与发行人股东
智禹博信均由同一基金管理人管理,从而使得 4 名股东合计持有本公司股份增至 5%以
上。此外,发行人股东得数聚才的新增合伙人智禹嘉通亦与前述 4 名股东受同一基金
管理人管理,故智禹淼森、智禹东微、智禹博弘、智禹博信、智禹嘉通均成为本公司
新增关联方。
  报告期内,本公司关联自然人的主要变化是本公司董事、高级管理人员的变化。
(三)报告期内的关联交易
                                                                          单位:万元
    关联交易性质        2021 年 1-6 月         2020 年度          2019 年度          2018 年度
向关联方销售商品及提供服务               453.25              24.52           67.88             0.07
向关联方采购商品及接受服务                 1.72               1.54               -             0.58
向董事、监事、高级管理人员
     支付薪酬
  (1)向关联方销售商品及提供服务
                                                                          单位:万元
 关联方     交易内容              占营业收    占营业收    占营业收    占营业收
                  金额            金额      金额      金额
                           入比例      入比例     入比例    入比例
杰华特微电
      销售中低压屏
子股份有限                  -         -         -        - 66.38    0.34%       -         -
      蔽栅 MOSFET
  公司
苏州硅能半 销售高压超级      11.93     0.04% 21.87        0.07%    1.50   0.01%
导体科技股 结 MOSFET
份有限公司 销售中低压屏           -         -   2.65      0.01%       -        -   0.07     0.00%
苏州东微半导体股份有限公司                                                                   招股意向书
 关联方         交易内容               占营业收    占营业收    占营业收    占营业收
                       金额            金额      金额      金额
                                入比例      入比例     入比例    入比例
           蔽栅 MOSFET
           销售高压超级
 客户 A               441.32        1.38%
           结 MOSFET
        合计             453.25    1.41% 24.52     0.08% 67.88    0.35%    0.07    0.00%
注:杰华特微电子股份有限公司系发行人董事吴昆红担任董事的公司,吴昆红于 2020 年 4 月任职
发行人,根据《上海证券交易所上市公司关联交易实施指引》,本招股意向书所载关联交易事项
系发行人与杰华特微电子股份有限公司 2019 年 5 月至 2021 年 6 月的交易额。
   报告期内,发行人向关联方销售的商品主要系高压超级结 MOSFET 和中低压屏蔽
栅 MOSFET,销售收入分别为 0.07 万元、67.88 万元、24.52 万元和 453.25 万元,占营
业收入的比例分别为 0.00%、0.35%、0.08%和 1.41%,除 2021 年 1-6 月向客户 A 销售
以外,关联销售收入及占比均相对较小。
     (2)向关联方采购商品及接受服务
                                                                           单位:万元
     关联方      交易内容              占研发费    占研发费    占研发费    占研发费
                       金额            金额      金额      金额
                                用比例      用比例     用比例    用比例
苏州硅能半导体科 检测检验
技股份有限公司   服务
        合计               1.72    0.10%    1.54   0.10%      -        -   0.58    0.04%
   报告期内,发行人向关联方采购的服务主要系产品可靠性验证、产品失效分析等
研发相关的检测检验服务,采购金额分别为 0.58 万元、0 万元、1.54 万元和 1.72 万元,
占研发费用的比例分别为 0.04%、0%、0.10%和 0.10%,关联采购金额及占比均相对较
小。
     (3)向董事、监事、高级管理人员支付薪酬
                                                                           单位:万元
        项目             2021 年 1-6 月       2020 年度         2019 年度         2018 年度
向董事、监事、高级管理人
    员支付薪酬
苏州东微半导体股份有限公司                                                            招股意向书
  报告期内,发行人不存在偶发性关联交易。
  报告期各期末,发行人与关联方不存在往来余额。
(四)比照关联交易披露的交易
  报告期内,亚美斯通作为发行人的经销商,向发行人采购产品后向发行人关联方
客户 A 进行销售,因此,将发行人与亚美斯通的交易比照关联交易进行披露。
  报告期内,具体交易情况如下:
                                                                     单位:万元
交易对方    交易内容                 占营业收    占营业收    占营业收    占营业收
                  金额              金额      金额      金额
                             入比例      入比例     入比例    入比例
       销售高压超级
亚美斯通              4,942.40    15.41% 675.79   2.19%    -        -    -        -
       结 MOSFET
       合计         4,942.40   15.41% 675.79    2.19%    -        -    -        -
(五)报告期内关联交易所履行的程序
  报告期内,本公司关联交易均已严格履行了《公司章程》规定的程序。报告期内
已发生关联交易的审议程序如下:
  发行人于 2021 年 3 月 15 日召开第一届董事会第四次会议,审议了关于公司报告
期内的关联交易的议案,关联董事在董事会审议该议案时回避表决。发行人全体独立
董事就上述关联交易事项发表了独立意见,认为:自 2018 年 1 月 1 日至本独立董事意
见出具之日期间,关联交易的发生有其必要性,关联交易遵循了公平、公正、合理的
原则,关联交易履行了决策程序且作价公允,不存在损害发行人及非关联股东利益的
情况。
  发行人于 2021 年 4 月 5 日召开 2020 年度股东大会,审议了关于公司 2018 年至
苏州东微半导体股份有限公司                         招股意向书
(六)规范和减少关联交易的措施
  截至本招股意向书签署之日,发行人在资产、人员、财务、机构和业务方面均具
备独立性,具有完整的业务体系和直接面向市场独立持续经营的能力。发行人将尽量
减少关联交易的发生,对于将来可能发生的关联交易,发行人将严格按照法律、法规、
其他规范性文件及《公司章程》《关联交易管理制度》《独立董事工作制度》的规定,
认真履行关联交易审议程序,并对关联交易予以充分披露。
  目前,发行人董事会由 9 名成员组成,其中有 3 名独立董事,有利于发行人董事
会的独立性和公司治理机制的完善,独立董事将在规范和减少关联交易方面发挥重要
作用,积极保护公司和中小投资者的利益。
  为规范和减少关联交易,发行人的实际控制人王鹏飞及龚轶及持有公司 5%以上股
份的股东原点创投、聚源聚芯、中新创投、哈勃投资、智禹博信、智禹淼森、智禹东
微及智禹博弘出具了《关于规范并减少关联交易的承诺函》,主要内容请参见本招股
意向书“第十节 投资者保护 / 七、发行人、实际控制人、董事、监事、高级管理人
员、核心技术人员及本次发行的保荐人及证券服务机构作出的重要承诺 / (十一)其
他承诺承诺 / 2、关于规范并减少关联交易的承诺”。
  发行人的实际控制人王鹏飞及龚轶出具了《关于避免资金占用和违规担保的承诺
函》,主要内容请参见本招股意向书“第十节 投资者保护 / 七、发行人、实际控制人、
董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及本次发行的保荐人及证券服务机构作出
的重要承诺 / (十一)其他承诺承诺 / 4、关于避免资金占用和违规担保的承诺”。
苏州东微半导体股份有限公司                                            招股意向书
             第八节 财务会计信息与管理层分析
  天健对公司 2018 年 12 月 31 日、2019 年 12 月 31 日、2020 年 12 月 31 日和 2021
年 6 月 30 日的合并及母公司资产负债表,2018 年度、2019 年度、2020 年度和 2021 年
动表进行了审计,并出具了标准无保留意见的《审计报告》(天健审〔2021〕6988
号)。
  非经特别说明,本节所列财务数据,均引自天健的审计报告,或根据其中相关数
据计算得出。公司提醒投资者关注和阅读本招股意向书所附财务报告及审计报告全文,
以获取全部的财务会计信息。非经特别说明,本节所列财务数据均为合并口径。
一、影响公司盈利能力或财务状况的主要因素概述
(一)国家及产业政策
  集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一,近年来国家高度关注集成
电路产业的发展,推出了一系列支持和鼓励集成电路产业发展的政策。2017 年,国家
提出要重点发展 MOSFET 和 IGBT 功率器件的要求。2018 年,工信部和发改委颁布
《扩大和升级信息消费三年行动计划(2018-2020 年)》,进一步落实鼓励软件和集成
电路产业发展的若干政策,加大现有支持中小微企业税收政策落实力度。
  国家产业政策的支持为集成电路产业企业提升产品质量水平、向国际先进水平进
军奠定了良好的政策基础,有利于未来实现较快增长。
(二)市场需求变动
  下游应用市场的需求变动对功率半导体行业的发展具有较大的牵引作用。近年来,
受益于汽车电动化、工业自动化及电力清洁化进程的推进,汽车电子、工业电子、可
再生能源等领域的稳步增长给功率半导体产品提供了稳定的市场需求。未来,随着国
家经济结构转型升级以及 5G、AI、loT 等新兴技术的应用,5G 基站、人工智能、物联
苏州东微半导体股份有限公司                                 招股意向书
网等下游市场将进一步催生出相对可观的增量需求。此外,下游终端产品的更新换代
及科技进步引致的新产品问市也为半导体功率器件的需求提供了有力支撑。
(三)所处行业的竞争情况
  半导体技术最早源于欧美等发达国家,欧美日厂商经过多年发展,凭借资金、技
术、客户资源、品牌等方面的积累,形成了巨大的领先优势。公司在高性能功率半导
体领域深耕多年,基于多年的技术优势积累、市场推广以及优秀的客户服务能力,已
成为国内领先的高性能功率半导体领域的厂商, 是少数在超级结 MOSFET 领域突破海
外技术垄断的本土公司之一。借助产品及技术优势,公司的品牌知名度和市场认可度
不断提高。同时,公司的下游客户群体持续扩大,其产品已进入华为、英飞源、维谛
技术和麦格米特等多个高知名度客户,随着客户群体的不断扩展,公司的销售规模亦
不断增长。
(四)产品的特点
  功率半导体产品具有规格丰富、定制化程度相对较高等特点,持续研发新产品并
满足不同客户的需求是公司在市场中保持竞争优势的重要手段。公司始终坚持以客户
需求为导向,注重技术升级及新产品开发。功率器件的产品规格丰富,不同规格的产
品能够用于不同的应用场景。公司已自主研发了逾 900 种高压 MOSFET 产品型号并覆
盖 500V-950V 区间的工作电压,以及逾 500 种中低压 MOSFET 产品型号,覆盖 25V-
压 MOSFET 技术升级的同时,也相继推出超级硅 MOSFET 和 TGBT 等新产品,其具
有高可靠性、低成本等特征,成为公司未来新的业绩增长点。
  受益于公司丰富的产品型号以及强大的产品开发能力,公司的功率器件产品已被
广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源
和工业照明电源为代表的工业级应用领域,以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手
机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
(五)Fabless 运营模式
  公司采用 Fabless 运营模式,专注于功率器件的研发与销售,将晶圆制造、封装、
测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。在该经营模式下,公司
可以集中资源专注于研发设计与销售,组织研发团队和建设测试实验室;同时,公司
苏州东微半导体股份有限公司                                                       招股意向书
可以及时追踪市场产品的需求变化,更快速地响应市场需求,推出适合市场发展的新
产品。
     公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成,其中材料成本以定制化晶圆成本
为主,封测费用以委外封装费为主,晶圆采购和封装成本的变动会直接影响公司的主
营业务成本,进而影响毛利率和净利润。随着中国大陆半导体产能的扩张,以及公司
销售规模增大形成的规模效应,公司有望进一步优化成本,提升盈利能力。
     除上述因素外,公司享受的税收优惠政策、政府补助等因素亦会对公司的财务状
况产生一定影响。有关公司营业收入、成本、费用和利润变动情况的分析详见本节之
“十一、经营成果分析”。
二、财务报表
(一)合并资产负债表
                                                                   单位:万元
      项目   2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
流动资产
货币资金              27,909.53        23,024.57         1,487.00         6,387.58
交易性金融资产                   -          2,007.98        4,500.00                -
应收票据                 979.49              654.23       355.84           398.68
应收账款               9,015.40          7,435.38        2,710.67         1,275.30
应收款项融资             1,671.22              854.28       122.14                 -
预付款项               2,140.08          1,275.73        1,315.67         1,595.80
其他应收款                 34.67               34.79          5.22             4.10
存货                 7,673.91          7,476.35        6,207.55         4,765.06
其他流动资产                 1.77               24.78       150.13          1,320.86
流动资产合计            49,426.08        42,788.10        16,854.22        15,747.39
非流动资产
固定资产                 594.21              496.37       326.98           226.10
使用权资产                413.46                   -             -                -
无形资产                  73.88               84.95        56.15            38.47
长期待摊费用               217.24              215.06             -                -
递延所得税资产              192.17              175.47       113.34            80.83
苏州东微半导体股份有限公司                                                        招股意向书
      项目    2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
其他非流动资产                74.14                4.07          1.24             5.20
非流动资产合计              1,565.11             975.92        497.71          350.60
资产总计               50,991.19        43,764.02        17,351.93        16,097.99
     合并资产负债表(续)
                                                                    单位:万元
     项目    2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
流动负债
应付账款               1,541.21           818.22           449.74           242.22
预收款项                      -                   -         41.53            78.63
合同负债                174.16                48.71              -                -
应付职工薪酬              145.39                79.24        155.59           111.66
应交税费               1,148.02           483.05            15.17            37.92
其他应付款                11.21                 3.90              -                -
一年内到期的非流
动负债
其他流动负债              429.20            344.47           179.05           336.82
流动负债合计             3,563.62         1,777.57           841.09           807.25
非流动负债
租赁负债                285.33                    -              -                -
递延收益                 72.26                94.66        416.96           324.27
递延所得税负债                   -                1.99              -                -
非流动负债合计             357.59                96.66        416.96           324.27
负债合计               3,921.21         1,874.23         1,258.05          1,131.52
所有者权益
股本                 5,053.23         5,053.23         4,425.14          4,425.14
资本公积              35,315.09        35,315.09        13,034.19         12,819.38
其他综合收益                 4.19                4.54          6.94              6.34
盈余公积                152.36            152.36                 -                -
未分配利润              6,545.11         1,364.58         -1,372.40        -2,284.39
归属于母公司所有
者权益合计
少数股东权益                    -                   -              -                -
苏州东微半导体股份有限公司                                                                      招股意向书
   项目      2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
所有者权益合计           47,069.98            41,889.80               16,093.87            14,966.47
负债和所有者权益
总计
(二)合并利润表
                                                                                  单位:万元
          项目                  2021 年 1-6 月    2020 年度           2019 年度           2018 年度
一、营业收入                            32,082.43        30,878.74       19,604.66        15,289.99
减:营业成本                            23,500.29        25,365.82       16,677.56        11,257.01
  税金及附加                             127.28            46.49            13.37           12.27
  销售费用                              289.48           505.39           554.79          528.75
  管理费用                              557.59           652.97           476.60          640.22
  研发费用                             1,650.12         1,599.36        1,202.58         1,603.83
  财务费用                              -303.49           32.39           -88.99            -9.07
  其中:利息费用                              5.44                -                  -             -
      利息收入                          312.40              3.60           89.05             2.80
加:其他收益                              496.83           620.96           191.40          249.72
  投资收益(损失以“-”号填
 列)
  公允价值变动收益(损失以“-
                                          -             7.98                  -             -
 ”号填列)
  信用减值损失(损失以“-”号
                                     -91.97          -244.55          -81.63                -
 填列)
  资产减值损失(损失以“-”号
                                    -139.09           -64.35          -69.95          -127.55
 填列)
  资产处置收益(损失以“-”号
                                          -             0.89                  -             -
 填列)
二、营业利润(亏损以“-”号填列)                  6,537.08         3,267.74          984.76         1,696.83
加:营业外收入                                0.00             0.38               0.00        18.31
减:营业外支出                                   -           23.04                2.43        27.37
三、利润总额(亏损总额以“-”号填
列)
减:所得税费用                            1,356.55          476.76            71.32          390.33
四、净利润(净亏损以“-”号填列)                  5,180.53         2,768.32          911.01         1,297.43
(一)按经营持续性分类                               -                -                  -             -
号填列)
苏州东微半导体股份有限公司                                                    招股意向书
        项目          2021 年 1-6 月    2020 年度       2019 年度       2018 年度
                                -             -             -             -
号填列)
(二)按所有权归属分类                     -             -             -             -

五、其他综合收益的税后净额               -0.35        -2.40          0.60         2.31
归属母公司所有者的其他综合收益的
                            -0.35        -2.40          0.60         2.31
税后净额
(一)以后不能重分类进损益的其他
                                -             -             -
综合收益
                                -             -             -             -
资产的变动
类进损益的其他综合收益中享有的份                -             -             -             -

(二)以后将重分类进损益的其他综
                            -0.35        -2.40          0.60         2.31
合收益
                                -             -             -             -

                                -             -             -             -
损益
                                -             -             -             -
益的金额
                                -             -             -             -
售金融资产损益
                                -             -             -             -
期损益的有效部分)
归属于少数股东的其他综合收益的税
                                -             -             -             -
后净额
六、综合收益总额                 5,180.18     2,765.92        911.61      1,299.74
归属于母公司所有者的综合收益总额         5,180.18     2,765.92        911.61      1,299.74
归属于少数股东的综合收益总额                  -             -             -             -
苏州东微半导体股份有限公司                                                   招股意向书
(三)合并现金流量表
                                                               单位:万元
        项目        2021 年 1-6 月     2020 年度       2019 年度       2018 年度
一、经营活动产生的现金流量
销售商品、提供劳务收到的现金        30,641.72      24,267.03     20,496.78     18,283.33
收到其他与经营活动有关的现金           786.96        311.52       5,873.18       195.66
经营活动现金流入小计            31,428.68      24,578.55     26,369.96     18,478.99
购买商品、接受劳务支付的现金        24,913.12      25,888.25     20,747.45     17,303.25
支付给职工以及为职工支付的现金          883.84       1,239.41       903.25        734.51
支付的各项税费                1,789.42        369.07        224.95        358.27
支付其他与经营活动有关的现金           577.17        830.39        588.55       5,969.97
经营活动现金流出小计            28,163.55      28,327.12     22,464.19     24,366.01
经营活动产生的现金流量净额          3,265.13      -3,748.57      3,905.77     -5,887.02
二、投资活动产生的现金流量
收回投资收到的现金              2,000.00      31,050.00     15,600.00     35,800.00
取得投资收益收到的现金               18.13        270.49        176.18        317.67
处置固定资产、无形资产和其他长
                              -           2.50             -             -
期资产收回的现金净额
投资活动现金流入小计             2,018.13      31,322.99     15,776.18     36,117.67
购建固定资产、无形资产和其他长
期资产支付的现金
投资支付的现金                       -      28,550.00     18,900.00     30,000.00
投资活动现金流出小计               326.82      29,064.44     19,083.14     30,066.19
投资活动产生的现金流量净额          1,691.31       2,258.55     -3,306.96      6,051.49
三、筹资活动产生的现金流量
吸收投资收到的现金                     -      23,030.00             -             -
筹资活动现金流入小计                    -      23,030.00             -             -
支付其他与筹资活动有关的现金            69.32              -             -             -
筹资活动现金流出小计                69.32              -             -             -
筹资活动产生的现金流量净额            -69.32      23,030.00             -             -
四、汇率变动对现金及现金等价物
                          -2.17          -2.41          0.61          2.32
的影响
五、现金及现金等价物净增加额         4,884.96      21,537.57       599.41        166.79
加:期初现金及现金等价物余额        23,024.57       1,487.00       887.58        720.80
六、期末现金及现金等价物余额        27,909.53      23,024.57      1,487.00       887.58
苏州东微半导体股份有限公司                                                        招股意向书
(四)母公司资产负债表
                                                                    单位:万元
      项目    2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
流动资产
货币资金               27,765.26          22,989.65          1,449.93      6,350.36
交易性金融资产                       -         2,007.98         4,500.00             -
应收票据                  979.49                654.23        355.84        398.68
应收账款                9,015.40            7,435.38         2,710.67      1,275.30
应收款项融资              1,671.22                854.28        122.14              -
预付款项                2,140.08            1,275.73         1,315.67      1,595.80
其他应收款                 143.57                 34.79           5.22          4.10
存货                  7,673.91            7,476.35         6,207.55      4,765.06
其他流动资产                  1.77                 24.78        150.13       1,320.86
流动资产合计             49,390.71          42,753.18         16,817.15     15,710.17
非流动资产
长期股权投资                 37.01                 37.01         37.01         37.01
固定资产                  594.21                496.37        326.98        226.10
使用权资产                 413.46                        -           -             -
无形资产                   73.88                 84.95         56.15         38.47
长期待摊费用                217.24                215.06              -             -
递延所得税资产               192.44                175.47        113.34         80.83
其他非流动资产                74.14                  4.07           1.24          5.20
非流动资产合计             1,602.40            1,012.93          534.72        387.61
资产总计               50,993.11          43,766.11         17,351.87     16,097.78
     母公司资产负债表(续)
                                                                    单位:万元
     项目    2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
流动负债
应付账款               1,541.21             818.22            449.53        242.01
预收款项                      -                     -          41.53         78.63
合同负债                174.16                  48.71              -              -
应付职工薪酬              145.39                  79.24         155.59        111.66
苏州东微半导体股份有限公司                                                                        招股意向书
      项目     2021 年 6 月 30 日 2020 年 12 月 31 日 2019 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日
应交税费                 1,148.02               483.05                     15.17             37.92
其他应付款                  11.21                     3.90                       -                 -
一年内到期的非流
动负债
其他流动负债                429.20                344.47                    179.05            336.82
流动负债合计               3,563.62             1,777.57                    840.87            807.04
非流动负债
租赁负债                  285.33                        -                       -                 -
递延收益                   72.26                    94.66                 416.96            324.27
递延所得税负债                     -                    1.99                       -                 -
非流动负债合计               357.59                    96.66                 416.96            324.27
负债合计                 3,921.21             1,874.23                   1,257.84          1,131.31
所有者权益
股本                   5,053.23             5,053.23                   4,425.14          4,425.14
资本公积                35,315.09            35,315.09                  13,034.19         12,819.38
盈余公积                  152.36                152.36                          -                 -
未分配利润                6,551.23             1,371.21                  -1,365.31         -2,278.05
所有者权益合计             47,071.90            41,891.88                  16,094.03         14,966.47
负债和所有者权益
总计
(五)母公司利润表
                                                                                    单位:万元
            项目                  2021 年 1-6 月      2020 年度            2019 年度        2018 年度
一、营业收入                              32,082.43           30,878.74       19,604.66     15,289.99
减:营业成本                              23,500.29           25,365.82       16,677.56     11,257.01
  税金及附加                               127.28               46.49            13.37        12.27
     销售费用                             289.48              505.39           554.79       528.75
     管理费用                             557.59              653.56           475.94       618.55
     研发费用                            1,650.12            1,599.36        1,202.58      1,603.83
     财务费用                             -303.80              32.27           -89.10         -9.13
     其中:利息费用                             5.44                   -               -             -
        利息收入                          312.37                 3.60           89.04          2.80
苏州东微半导体股份有限公司                                                        招股意向书
          项目        2021 年 1-6 月        2020 年度       2019 年度       2018 年度
加:其他收益                     496.83            620.96        191.40       249.72
  投资收益(损失以“-”号填
 列)
  公允价值变动收益(损失以“-
                                    -          7.98             -             -
 ”号填列)
  信用减值损失(损失以“-”号
                            -93.07          -244.55        -81.63             -
 填列)
  资产减值损失(损失以“-”号
                           -139.09           -64.35        -69.95       -146.96
 填列)
  资产处置收益(损失以“-”号
                                    -          0.89             -             -
 填列)
二、营业利润(亏损以“-”号填列)         6,536.29         3,267.27        985.52      1,699.13
加:营业外收入                       0.00             0.38          0.00        18.31
减:营业外支出                             -         23.04          2.43        27.37
三、利润总额(亏损总额以“-”号填
列)
减:所得税费用                   1,356.27           476.76         71.32       390.33
四、净利润(净亏损以“-”号填列)         5,180.02         2,767.85        911.77      1,299.74
(一)按经营持续性分类                         -             -             -             -
号填列)
                                    -             -             -             -
号填列)
五、其他综合收益的税后净额                       -             -             -             -
六、综合收益总额                  5,180.02         2,767.85        911.77      1,299.74
(六)母公司现金流量表
                                                                    单位:万元
         项目         2021 年 1-6 月        2020 年度       2019 年度       2018 年度
一、经营活动产生的现金流量
销售商品、提供劳务收到的现金          30,641.72         24,267.03     20,496.78     18,283.33
收到其他与经营活动有关的现金             786.94           311.14       5,873.17       195.65
经营活动现金流入小计              31,428.66         24,578.16     26,369.95     18,478.99
购买商品、接受劳务支付的现金          24,913.12         25,888.25     20,747.45     17,303.25
支付给职工以及为职工支付的现金            883.84          1,239.41       903.25        714.41
支付的各项税费                  1,789.42           369.07        224.95        358.27
支付其他与经营活动有关的现金             576.83           830.26        587.78       5,968.35
苏州东微半导体股份有限公司                                                   招股意向书
        项目        2021 年 1-6 月     2020 年度       2019 年度       2018 年度
经营活动现金流出小计            28,163.21      28,327.00     22,463.43     24,344.29
经营活动产生的现金流量净额          3,265.45      -3,748.83      3,906.53     -5,865.30
二、投资活动产生的现金流量
收回投资收到的现金              2,000.00      31,050.00     15,600.00     35,800.00
取得投资收益收到的现金               18.13        270.49        176.18        317.67
处置固定资产、无形资产和其他长
                              -           2.50             -             -
期资产收回的现金净额
投资活动现金流入小计             2,018.13      31,322.99     15,776.18     36,117.67
购建固定资产、无形资产和其他长
期资产支付的现金
投资支付的现金                       -      28,550.00     18,900.00     30,000.00
支付其他与投资活动有关的现金           110.00
投资活动现金流出小计               436.82      29,064.44     19,083.14     30,066.19
投资活动产生的现金流量净额          1,581.31       2,258.55     -3,306.96      6,051.49
三、筹资活动产生的现金流量
吸收投资收到的现金                     -      23,030.00             -             -
筹资活动现金流入小计                    -      23,030.00             -             -
支付其他与筹资活动有关的现金            69.32
筹资活动现金流出小计                69.32              -             -             -
筹资活动产生的现金流量净额            -69.32      23,030.00             -             -
四、汇率变动对现金及现金等价物
                          -1.83              -             -             -
的影响
五、现金及现金等价物净增加额         4,775.62      21,539.72       599.57        186.19
加:期初现金及现金等价物余额        22,989.65       1,449.93       850.36        664.17
六、期末现金及现金等价物余额        27,765.26      22,989.65      1,449.93       850.36
三、财务报表的编制基础、合并报表范围及变化情况
(一)财务报表的编制基础
  公司财务报表以持续经营为编制基础。
苏州东微半导体股份有限公司                                                          招股意向书
(二)合并财务报表的编制方法
   母公司将其控制的所有子公司纳入合并财务报表的合并范围。合并财务报表以母
公司及其子公司的财务报表为基础,根据其他有关资料,由母公司按照《企业会计准
则第 33 号——合并财务报表》编制。
(三)合并报表范围及其变化
   报告期内,公司合并财务报表范围内子公司如下:
                                  是否纳入合并财务报表范围
   子公司名称
广州动能半导体有限
                    是                是                是               是
    公司
 香港赛普锐思有限
                    是                是                是               是
    公司
   报告期内,公司合并财务报表范围未发生变化。
四、审计意见
   天健接受公司委托,审计了公司 2018 年 12 月 31 日、2019 年 12 月 31 日、2020
年 12 月 31 日、2021 年 6 月 30 日的合并及母公司资产负债表,2018 年度、2019 年度、
母公司所有者权益变动表,以及相关财务报表附注。审计意见摘录如下:
   “我们审计了苏州东微半导体股份有限公司(以下简称东微半导体公司)财务报
表,包括 2018 年 12 月 31 日、2019 年 12 月 31 日、2020 年 12 月 31 日、2021 年 6 月
的合并及母公司利润表、合并及母公司现金流量表、合并及母公司所有者权益变动表,
以及相关财务报表附注。
   我们认为,后附的财务报表在所有重大方面按照企业会计准则的规定编制,公允
反映了东微半导体公司 2018 年 12 月 31 日、2019 年 12 月 31 日、2020 年 12 月 31 日、
苏州东微半导体股份有限公司                                         招股意向书
五、关键审计事项及与财务信息相关的重大事项或重要性水平的判断标准
(一)关键审计事项
   关键审计事项是天健认为对 2018 年度、2019 年度、2020 年度和 2021 年 1-6 月的
财务报表审计最为重要的事项。这些事项的应对以对财务报表整体进行审计并形成审
计意见为背景,天健不对这些事项单独发表意见。天健出具的《审计报告》(天健审
〔2021〕6988 号)中,对关键审计事项的描述具体如下:
          关键审计事项                      审计中如何应对关键审计事项
一、收入确认
公司营业收入主要来源于 MOSFET 功率半导体
                                       针对收入确认,天健实施的审计程序主要包括:
产品、晶圆的销售。2018 年度、2019 年度、
                                       (1)了解与收入确认相关的关键内部控制,评
                                       价这些控制的设计,确定其是否得到执行,并测
别为 15,289.99 万元、19,604.66 万元、30,878.74
                                       试相关内部控制的运行有效性;
万元、32,082.43 万元。收入确认具体方法如下:
                                       (2 )检查销售合同,了解主要合同条款或 条
(1)2020 年度和 2021 年 1-6 月
                                       件,评价收入确认方法是否适当;
公 司 主要 销售 MOSFET 功 率 半导体 产 品、 晶
                                       (3)对营业收入及毛利率按产品、客户等实施
圆,属于在某一时点履行履约义务。内销收入在
                                       分析程序,识别是否存在重大或异常波动,并查
公司将产品运送至合同约定交货地点并由客户确
                                       明波动原因;
认接受、已收取价款或取得收款权利且相关的经
                                       (4)对于内销收入,以抽样方式检查与收入确
济利益很可能流入时确认。外销收入在公司已根
                                       认相关的支持性文件,包括销售合同、销售发
据合同约定将产品报关,取得相关单据,已收取
                                       票、出库单、签收单或月度对账单;对于外销收
货款或取得了收款权利且相关的经济利益很可能
                                       入,以抽样方式检查销售合同、出库单、出口报
流入时确认。
                                       关单等支持性文件;
(2)2018 年度和 2019 年度
                                       (5)结合应收账款函证,以抽样方式向主要客
公 司 主要 销售 MOSFET 功 率 半导体 产 品、 晶
                                       户函证本期销售额;
圆。内销产品收入确认需满足以下条件:公司已
                                       (6)对公司主要客户进行实地访谈,结合查询
根据合同约定将产品交付给购货方,且产品销售
                                       的主要客户的工商信息,检查公司重要客户的真
收入金额已确定,已经收回货款或取得了收款凭
                                       实性;
证且相关的经济利益很可能流入,产品相关的成
                                       (7)以抽样方式对资产负债表日前后确认的营
本能够可靠地计量。外销产品收入确认需满足以
                                       业收入实施截止测试,评价营业收入是否在恰当
下条件:公司已根据合同约定将产品报关,取得
                                       期间确认;
相关单据,且产品销售收入金额已确定,已经收
                                       (8)获取资产负债表日后的销售退回记录,检
回货款或取得了收款凭证且相关的经济利益很可
                                       查是否存在资产负债表日不满足收入确认条件的
能流入,产品相关的成本能够可靠地计量。
                                       情况;
由于营业收入是公司关键业绩指标之一,可能存
                                       (9)检查与营业收入相关的信息是否已在财务
在东微半导体公司管理层通过不恰当的收入确认
                                       报表中作出恰当列报。
以达到特定目标或预期的固有风险,因此,天健
将收入确认确定为关键审计事项。
二、存货可变现净值                      针对存货可变现净值,天健实施的审计程序主要
                               包括:
年 12 月 31 日、2021 年 6 月 30 日,公司存货账 (1)了解与存货可变现净值相关的关键内部控
面余额分别为人民币 4,908.98 万元、6,395.04 万 制,评价其设计和执行是否有效,并测试相关内
元、7,687.85 万元、7,882.65 万元,跌价准备为 部控制的运行有效性;
苏州东微半导体股份有限公司                                       招股意向书
           关键审计事项                      审计中如何应对关键审计事项
人民币 143.92 万元、187.49 万元、211.50 万元、
                                     (2)复核管理层以前年度对存货可变现净值的
                                     预测和实际经营结果,评价管理层过往预测的准
                                     确性;
资产负债表日,存货采用成本与可变现净值孰低
                                     (3)以抽样方式复核管理层对存货估计售价的
计量,按照单个存货成本高于可变现净值的差额
                                     预测,将估计售价与历史数据、期后情况等进行
计提存货跌价准备。管理层在考虑持有存货目的
                                     比较;
的基础上,根据历史售价、相同或类似产品的市
场售价等确定估计售价,并按照估计售价减去至 (4)评价管理层对存货至完工时将要发生的成
完工时估计将要发生的成本、估计的销售费用和 本、销售费用和相关税费估计的合理性;
相关税费后的金额确定存货的可变现净值。                  (5)测试管理层对存货可变现净值的计算是否
由于存货金额重大,且确定存货可变现净值涉及 准确;
重大管理层判断,天健将存货可变现净值确定为 (6)结合存货监盘,检查期末存货中是否存在
关键审计事项。               库龄较长、型号陈旧、技术或市场需求变化等情
                      形,评价管理层是否已合理估计可变现净值;
                                (7)检查与存货可变现净值相关的信息是否已
                                在财务报表中作出恰当列报。
(二)与财务信息相关的重大事项或重要性水平的判断标准
   公司在本节披露的与财务会计信息相关的重大事项标准为金额超过报告期平均营
业收入金额的 0.5%,或金额虽未达到报告期平均营业收入金额的 0.5%,但公司认为
较为重要的相关事项。
六、重要会计政策和会计估计
(一)金融工具
   (1)金融资产和金融负债的分类
   金融资产在初始确认时划分为以下三类:1)以摊余成本计量的金融资产;2)以
公允价值计量且其变动计入其他综合收益的金融资产;3)以公允价值计量且其变动计
入当期损益的金融资产。
   金融负债在初始确认时划分为以下四类:1)以公允价值计量且其变动计入当期损
益的金融负债;2)金融资产转移不符合终止确认条件或继续涉入被转移金融资产所形
苏州东微半导体股份有限公司                           招股意向书
成的金融负债;3)不属于上述 1)或 2)的财务担保合同,以及不属于上述 1)并以
低于市场利率贷款的贷款承诺;4) 以摊余成本计量的金融负债。
  (2)金融资产和金融负债的确认依据、计量方法和终止确认条件
  公司成为金融工具合同的一方时,确认一项金融资产或金融负债。初始确认金融
资产或金融负债时,按照公允价值计量;对于以公允价值计量且其变动计入当期损益
的金融资产和金融负债,相关交易费用直接计入当期损益;对于其他类别的金融资产
或金融负债,相关交易费用计入初始确认金额。
  (3)金融资产转移的确认依据和计量方法
  公司转移了金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬的,终止确认该金融资产,
并将转移中产生或保留的权利和义务单独确认为资产或负债;保留了金融资产所有权
上几乎所有的风险和报酬的,继续确认所转移的金融资产。
  (4)金融工具减值
  公司以预期信用损失为基础,对以摊余成本计量的金融资产、以公允价值计量且
其变动计入其他综合收益的债务工具投资、合同资产、租赁应收款、分类为以公允价
值计量且其变动计入当期损益的金融负债以外的贷款承诺、不属于以公允价值计量且
其变动计入当期损益的金融负债或不属于金融资产转移不符合终止确认条件或继续涉
入被转移金融资产所形成的金融负债的财务担保合同进行减值处理并确认损失准备。
          项目           确定组合的依据   计量预期信用损失的方法
其他应收款——押金保证金组合
                               参考历史信用损失经验,结
其他应收款——应收暂付款组合                 合当前状况以及对未来经济
                    款项性质
其他应收款——备用金组合                   状况的预测,通过违约风险
                               敞口和未来12个月内或整个
其他应收款——其他组合                    存续期预期信用损失率,计
                    公司合并范围内款项有 算预期信用损失
其他应收款——合并范围内关联方往来组合
                    相同的信用风险
苏州东微半导体股份有限公司                                      招股意向书
    ① 具体组合及计量预期信用损失的方法
        项目       确定组合的依据             计量预期信用损失的方法
应收银行承兑汇票            参考历史信用损失经验,结合当前状况以及对未来经
           票据类型     济状况的预测,通过违约风险敞口和整个存续期预期
应收商业承兑汇票            信用损失率,计算预期信用损失
                    参考历史信用损失经验,结合当前状况以及对未来经
           相同账龄款项信用
应收账款——账龄组合          济状况的预测,编制应收账款账龄与整个存续期信用
           风险相似
                    损失率对照表,计算预期信用损失
           公司合并范围内关 参考历史信用损失经验,结合当前状况以及对未来经
应收账款-合并范围内
           联方款项有相同的 济状况的预测,编制应收账款账龄与整个存续期预期
关联方往来
           信用风险     信用损失率对照表,计算预期信用损失
    ② 应收账款——账龄组合的账龄与整个存续期预期信用损失率对照表
                                         应收账款
                账龄
                                      预期信用损失率(%)
    (5)金融资产和金融负债的抵销
    金融资产和金融负债在资产负债表内分别列示,不相互抵销。但同时满足下列条
件的,公司以相互抵销后的净额在资产负债表内列示:1)公司具有抵销已确认金额的
法定权利,且该种法定权利是当前可执行的;2)公司计划以净额结算,或同时变现该
金融资产和清偿该金融负债。
    不满足终止确认条件的金融资产转移,公司不对已转移的金融资产和相关负债进
行抵销。
    (1)金融资产和金融负债的分类
    金融资产在初始确认时划分为以下四类:以公允价值计量且其变动计入当期损益
的金融资产(包括交易性金融资产和在初始确认时指定为以公允价值计量且其变动计
入当期损益的金融资产)、持有至到期投资、贷款和应收款项、可供出售金融资产。
苏州东微半导体股份有限公司                     招股意向书
  金融负债在初始确认时划分为以下两类:以公允价值计量且其变动计入当期损益
的金融负债(包括交易性金融负债和在初始确认时指定为以公允价值计量且其变动计
入当期损益的金融负债)、其他金融负债。
  (2)金融资产和金融负债的确认依据、计量方法和终止确认条件
  公司成为金融工具合同的一方时,确认一项金融资产或金融负债。初始确认金融
资产或金融负债时,按照公允价值计量;对于以公允价值计量且其变动计入当期损益
的金融资产和金融负债,相关交易费用直接计入当期损益;对于其他类别的金融资产
或金融负债,相关交易费用计入初始确认金额。
  金融资产或金融负债公允价值变动形成的利得或损失,除与套期保值有关外,按
照如下方法处理:1)以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产或金融负债公
允价值变动形成的利得或损失,计入公允价值变动收益;在资产持有期间所取得的利
息或现金股利,确认为投资收益;处置时,将实际收到的金额与初始入账金额之间的
差额确认为投资收益,同时调整公允价值变动收益。2)可供出售金融资产的公允价值
变动计入其他综合收益;持有期间按实际利率法计算的利息,计入投资收益;可供出
售权益工具投资的现金股利,于被投资单位宣告发放股利时计入投资收益;处置时,
将实际收到的金额与账面价值扣除原直接计入其他综合收益的公允价值变动累计额之
后的差额确认为投资收益。
  当收取某项金融资产现金流量的合同权利已终止或该金融资产所有权上几乎所有
的风险和报酬已转移时,终止确认该金融资产;当金融负债的现时义务全部或部分解
除时,相应终止确认该金融负债或其一部分。
  (3)金融资产转移的确认依据和计量方法
  公司已将金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬转移给了转入方的,终止确认
该金融资产;保留了金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬的,继续确认所转移的
金融资产,并将收到的对价确认为一项金融负债。
  (4)金融资产的减值测试和减值准备计提方法
资产的账面价值进行检查,如有客观证据表明该金融资产发生减值的,计提减值准备。
苏州东微半导体股份有限公司                           招股意向书
单独进行减值测试;对单项金额不重大的金融资产,可以单独进行减值测试,或包括
在具有类似信用风险特征的金融资产组合中进行减值测试;单独测试未发生减值的金
融资产(包括单项金额重大和不重大的金融资产),包括在具有类似信用风险特征的
金融资产组合中再进行减值测试。测试结果表明其发生了减值的,根据其账面价值高
于预计未来现金流量现值的差额确认减值损失。
  公司于资产负债表日对各项可供出售权益工具投资单独进行检查。对于以公允价
值计量的权益工具投资,若其于资产负债表日的公允价值低于其成本超过 50%(含
其于资产负债表日的公允价值低于其成本超过 20%(含 20%)但尚未达到 50%的,或
低于其成本持续时间超过 6 个月(含 6 个月)但未超过 12 个月的,公司会综合考虑其
他相关因素,诸如价格波动率等,判断该权益工具投资是否发生减值。对于以成本计
量的权益工具投资,公司综合考虑被投资单位经营所处的技术、市场、经济或法律环
境等是否发生重大不利变化,判断该权益工具是否发生减值。
  以公允价值计量的可供出售金融资产发生减值时,原直接计入其他综合收益的因
公允价值下降形成的累计损失予以转出并计入减值损失。对已确认减值损失的可供出
售债务工具投资,在期后公允价值回升且客观上与确认原减值损失后发生的事项有关
的,原确认的减值损失予以转回并计入当期损益。对已确认减值损失的可供出售权益
工具投资,期后公允价值回升直接计入其他综合收益。
  以成本计量的可供出售权益工具发生减值时,将该权益工具投资的账面价值,与
按照类似金融资产当时市场收益率对未来现金流量折现确定的现值之间的差额,确认
为减值损失,计入当期损益,发生的减值损失一经确认,不予转回。
(二)应收款项
  详见本节“六、重要会计政策和会计估计/(一)金融工具/1、2019 年度、2020 年
度和 2021 年 1-6 月/(5)金融工具减值”。
苏州东微半导体股份有限公司                                                  招股意向书
    (1)单项金额重大并单项计提坏账准备的应收款项
                 占应收款项(含应收商业承兑汇票、应收账款和其他应收
单项金额重大的判断依据或金额标准
                 款,下同)账面余额 10%以上的款项
单项金额重大并单项计提坏账准备的 单独进行减值测试,根据其未来现金流量现值低于其账面价
计提方法             值的差额计提坏账准备
    (2)按信用风险特征组合计提坏账准备的应收款项
                按信用风险特征组合计提坏账准备的计提方法
账龄组合                 账龄分析法
合并范围内关联往来组合          余额百分比法
                     应收商业承兑汇票              应收账款              其他应收款
           账龄
                      计提比例(%)             计提比例(%)           计提比例(%)
         组合名称        应收账款计提比例(%)                  其他应收款计提比例(%)
合并范围内关联往来组合                                1.00                    1.00
    (3)单项金额不重大但单项计提坏账准备的应收款项
单项计提坏账准备的理由         具有特殊性质的款项
                    单独进行减值测试,根据其未来现金流量现值低于其账面价
坏账准备的计提方法
                    值的差额计提坏账准备
    对应收银行承兑汇票、应收利息、长期应收款等其他应收款项,根据其未来现金
流量现值低于其账面价值的差额计提坏账准备。
苏州东微半导体股份有限公司                     招股意向书
(三)存货
  存货包括在日常活动中持有以备出售的产成品或商品、处在生产过程中的在产品、
在生产过程或提供劳务过程中耗用的材料和物料等。
  发出存货采用移动加权平均法。
  资产负债表日,存货采用成本与可变现净值孰低计量,按照单个存货成本高于可
变现净值的差额计提存货跌价准备。直接用于出售的存货,在正常生产经营过程中以
该存货的估计售价减去估计的销售费用和相关税费后的金额确定其可变现净值;需要
经过加工的存货,在正常生产经营过程中以所生产的产成品的估计售价减去至完工时
估计将要发生的成本、估计的销售费用和相关税费后的金额确定其可变现净值;资产
负债表日,同一项存货中一部分有合同价格约定、其他部分不存在合同价格的,分别
确定其可变现净值,并与其对应的成本进行比较,分别确定存货跌价准备的计提或转
回的金额。
  存货的盘存制度为永续盘存制。
  (1)低值易耗品
  按照一次转销法进行摊销。
  (2)包装物
  按照一次转销法进行摊销。
(四)无形资产
苏州东微半导体股份有限公司                            招股意向书
的预期实现方式系统合理地摊销,无法可靠确定预期实现方式的,采用直线法摊销,
具体年限如下:
                项目             摊销年限(年)
                软件                           5
目开发阶段的支出,同时满足下列条件的,确认为无形资产:(1)完成该无形资产以
使其能够使用或出售在技术上具有可行性;(2)具有完成该无形资产并使用或出售的
意图;(3)无形资产产生经济利益的方式,包括能够证明运用该无形资产生产的产品
存在市场或无形资产自身存在市场,无形资产将在内部使用的,能证明其有用性;(4)
有足够的技术、财务资源和其他资源支持,以完成该无形资产的开发,并有能力使用
或出售该无形资产;(5)归属于该无形资产开发阶段的支出能够可靠地计量。
  公司划分内部研究开发项目研究阶段支出和开发阶段支出的具体标准:为获取新
的技术和知识等进行的有计划的调查阶段,应确定为研究阶段,该阶段具有计划性和
探索性等特点;在进行商业性生产或使用前,将研究成果或其他知识应用于某项计划
或设计,以生产出新的或具有实质性改进的材料、装置、产品等阶段,应确定为开发
阶段,该阶段具有针对性和形成成果的可能性较大等特点。
(五) 股份支付
  包括以权益结算的股份支付和以现金结算的股份支付。
  (1)以权益结算的股份支付
  授予后立即可行权的换取职工服务的以权益结算的股份支付,在授予日按照权益
工具的公允价值计入相关成本或费用,相应调整资本公积。完成等待期内的服务或达
到规定业绩条件才可行权的换取职工服务的以权益结算的股份支付,在等待期内的每
个资产负债表日,以对可行权权益工具数量的最佳估计为基础,按权益工具授予日的
公允价值,将当期取得的服务计入相关成本或费用,相应调整资本公积。
苏州东微半导体股份有限公司                          招股意向书
  换取其他方服务的权益结算的股份支付,如果其他方服务的公允价值能够可靠计
量的,按照其他方服务在取得日的公允价值计量;如果其他方服务的公允价值不能可
靠计量,但权益工具的公允价值能够可靠计量的,按照权益工具在服务取得日的公允
价值计量,计入相关成本或费用,相应增加所有者权益。
  (2)以现金结算的股份支付
  授予后立即可行权的换取职工服务的以现金结算的股份支付,在授予日按公司承
担负债的公允价值计入相关成本或费用,相应增加负债。完成等待期内的服务或达到
规定业绩条件才可行权的换取职工服务的以现金结算的股份支付,在等待期内的每个
资产负债表日,以对可行权情况的最佳估计为基础,按公司承担负债的公允价值,将
当期取得的服务计入相关成本或费用和相应的负债。
  (3)修改、终止股份支付计划
  如果修改增加了所授予的权益工具的公允价值,公司按照权益工具公允价值的增
加相应地确认取得服务的增加;如果修改增加了所授予的权益工具的数量,公司将增
加的权益工具的公允价值相应地确认为取得服务的增加;如果公司按照有利于职工的
方式修改可行权条件,公司在处理可行权条件时,考虑修改后的可行权条件。
  如果修改减少了授予的权益工具的公允价值,公司继续以权益工具在授予日的公
允价值为基础,确认取得服务的金额,而不考虑权益工具公允价值的减少;如果修改
减少了授予的权益工具的数量,公司将减少部分作为已授予的权益工具的取消来进行
处理;如果以不利于职工的方式修改了可行权条件,在处理可行权条件时,不考虑修
改后的可行权条件。
  如果公司在等待期内取消了所授予的权益工具或结算了所授予的权益工具(因未
满足可行权条件而被取消的除外),则将取消或结算作为加速可行权处理,立即确认
原本在剩余等待期内确认的金额。
(六)收入
  (1)2020 年度和 2021 年 1-6 月
苏州东微半导体股份有限公司                       招股意向书
  公司主要销售 MOSFET 功率半导体产品、晶圆,属于在某一时点履行履约义务。
内销收入在公司将产品运送至合同约定交货地点并由客户确认接受、已收取价款或取
得收款权利且相关的经济利益很可能流入时确认。外销收入在公司已根据合同约定将
产品报关,取得相关单据,已收取货款或取得了收款权利且相关的经济利益很可能流
入时确认。
  (2)2018 年度和 2019 年度
  公司主要销售 MOSFET 功率半导体产品、晶圆。内销产品收入确认需满足以下条
件:公司已根据合同约定将产品交付给购货方,且产品销售收入金额已确定,已经收
回货款或取得了收款凭证且相关的经济利益很可能流入,产品相关的成本能够可靠地
计量。外销产品收入确认需满足以下条件:公司已根据合同约定将产品报关,取得相
关单据,且产品销售收入金额已确定,已经收回货款或取得了收款凭证且相关的经济
利益很可能流入,产品相关的成本能够可靠地计量。
  经销模式下,公司以客户确认收货,已收取价款或取得收款权利且相关的经济利
益很可能流入时作为收入确认时点。
  直销模式下,公司以客户确认收货,已收取价款或取得收款权利且相关的经济利
益很可能流入时作为收入确认时点。
  经销模式下,以经销商客户回传的签收单或有盖章确认的对账单作为收入确认的
依据。境外经销客户还需要报关单作为收入确认的依据。
  直销模式下,以直销客户回传的签收单或有盖章确认的对账单作为收入确认的依
据。个别销售金额较小的直接客户,以物流运单及物流查询记录作为收入确认的依据。
  各销售模式下,公司根据协议约定的销售价格确认收入。
  (1)原材料采购入库
苏州东微半导体股份有限公司                     招股意向书
  晶圆厂根据公司采购订单完成晶圆加工并向公司仓库发货。公司对不同规格、型
号的晶圆均设置了单独的物料代码,完成晶圆的入库,并作为原材料以采购成本入账。
  (2)委外封装测试订单
  运营部根据生产计划向封测厂下达封测订单,并向封测厂发送晶圆。封测厂对指
定批次的晶圆进行测试、封装。根据封测订单出库通知单,系统自动完成原材料到委
托加工物资的转移。
  (3)完成封测并产成品入库
  封测厂完成测试、封装后,运营部通知封测厂将成品发往公司仓库或指定地点。
仓库收到产成品及发货清单,清点无误后并办理入库手续,在系统中编制产成品入库
通知单。系统根据封测订单将委托加工物资成本加上封测费,计算产成品的成本,并
完成委托加工物资到产成品的成本结转。
  (4)销售发货及收入成本确认
  当产品到达客户或经销商指定收货地点并确认收货后,财务部与客户对账双方确
认销售金额后,月末系统生成收入确认凭证和成本结转凭证,完成产成品成本到营业
成本的结转。
  在组织生产的过程中,公司按照订单批次对各阶段的存货进行管理,以物料号汇
总进行移动加权平均核算产品成本。
(七)租赁
  在租赁期开始日,公司对租赁确认使用权资产和租赁负债。
  使用权资产按照成本进行初始计量, 按照直线法对使用权资产计提折旧。能够合
理确定租赁期届满时取得租赁资产所有权的,公司在租赁资产剩余使用寿命内计提折
旧。无法合理确定租赁期届满时能够取得租赁资产所有权的,公司在租赁期与租赁资
产剩余使用寿命两者孰短的期间内计提折旧。
苏州东微半导体股份有限公司                     招股意向书
  在租赁开始日,公司将尚未支付的租赁付款额的现值确认为租赁负债。租赁付款
额与其现值之间的差额作为未确认融资费用,在租赁期各个期间内按照确认租赁付款
额现值的折现率确认利息费用,并计入当期损益。未纳入租赁负债计量的可变租赁付
款额于实际发生时计入当期损益。
(八)政府补助
  (1)公司能够满足政府补助所附的条件;(2)公司能够收到政府补助。政府补
助为货币性资产的,按照收到或应收的金额计量。政府补助为非货币性资产的,按照
公允价值计量;公允价值不能可靠取得的,按照名义金额计量。
  政府文件规定用于购建或以其他方式形成长期资产的政府补助划分为与资产相关
的政府补助。政府文件不明确的,以取得该补助必须具备的基本条件为基础进行判断,
以购建或其他方式形成长期资产为基本条件的作为与资产相关的政府补助。与资产相
关的政府补助,冲减相关资产的账面价值或确认为递延收益。与资产相关的政府补助
确认为递延收益的,在相关资产使用寿命内按照合理、系统的方法分期计入损益。按
照名义金额计量的政府补助,直接计入当期损益。相关资产在使用寿命结束前被出售、
转让、报废或发生毁损的,将尚未分配的相关递延收益余额转入资产处置当期的损益。
  除与资产相关的政府补助之外的政府补助划分为与收益相关的政府补助。对于同
时包含与资产相关部分和与收益相关部分的政府补助,难以区分与资产相关或与收益
相关的,整体归类为与收益相关的政府补助。与收益相关的政府补助,用于补偿以后
期间的相关成本费用或损失的,确认为递延收益,在确认相关成本费用或损失的期间,
计入当期损益或冲减相关成本;用于补偿已发生的相关成本费用或损失的,直接计入
当期损益或冲减相关成本。
减相关成本费用。与公司日常活动无关的政府补助,计入营业外收支。
苏州东微半导体股份有限公司                               招股意向书
(九)递延所得税资产、递延所得税负债
的项目按照税法规定可以确定其计税基础的,该计税基础与其账面数之间的差额),
按照预期收回该资产或清偿该负债期间的适用税率计算确认递延所得税资产或递延所
得税负债。
为限。资产负债表日,有确凿证据表明未来期间很可能获得足够的应纳税所得额用来
抵扣可抵扣暂时性差异的,确认以前会计期间未确认的递延所得税资产。
无法获得足够的应纳税所得额用以抵扣递延所得税资产的利益,则减记递延所得税资
产的账面价值。在很可能获得足够的应纳税所得额时,转回减记的金额。
下列情况产生的所得税:(1)企业合并;(2)直接在所有者权益中确认的交易或者
事项。
(十)重要会计政策和会计估计的变更
  公司于 2019、2020 年度及 2021 年 1-6 月执行了财政部于近年颁布的以下企业会
计准则修订:
  ①《企业会计准则第 22 号——金融工具确认和计量 (修订) 》、《企业会计准
则第 23 号——金融资产转移 (修订) 》、《企业会计准则第 24 号——套期保值
(修订) 》及《企业会计准则第 37 号——金融工具列报 (修订) 》(统称“新金融
工具准则”)
  ②《企业会计准则第 14 号——收入 (修订) 》(“新收入准则”)
  ③《企业会计准则第 21 号——租赁》(“新租赁准则”)
  (1)执行新金融工具准则的影响
  公司自 2019 年 1 月 1 日起执行新金融工具准则。根据相关新旧准则衔接规定,对
可比期间信息不予调整,首次执行日执行新准则与原准则的差异追溯调整 2019 年 1 月
苏州东微半导体股份有限公司                                                           招股意向书
  新金融工具准则改变了金融资产的分类和计量方式,确定了三个计量类别:摊余
成本;以公允价值计量且其变动计入其他综合收益;以公允价值计量且其变动计入当
期损益。公司考虑自身业务模式,以及金融资产的合同现金流特征进行上述分类。权
益类投资需按公允价值计量且其变动计入当期损益,但非交易性权益类投资在初始确
认时可选择按公允价值计量且其变动计入其他综合收益(处置时的利得或损失不能回
转到损益,但股利收入计入当期损益),且该选择不可撤销。
  新金融工具准则要求金融资产减值计量由“已发生损失模型”改为“预期信用损
失模型”,适用于以摊余成本计量的金融资产、以公允价值计量且其变动计入其他综
合收益的金融资产、租赁应收款。
                                                                     单位:万元
                                             资产负债表
    项目
 交易性金融资产                       -                     1,200.00             1,200.00
  应收票据                  398.68                         -11.45              387.23
 应收款项融资                        -                       11.45                11.45
  其他应收款                   4.10                          1.15                 5.25
 其他流动资产               1,320.86                   -1,200.00                 120.86
 递延所得税资产                 80.83                          -0.17               80.66
  未分配利润               -2,292.81                         0.98             -2,291.83
具准则的规定进行分类和计量结果对比如下:
                                                                     单位:万元
                 原金融工具准则                                新金融工具准则
   项目
           计量类别                账面价值             计量类别               账面价值
          摊余成本(贷款和                           以摊余成本计量的
  货币资金                               6,387.58                             6,387.58
            应收款项)                              金融资产
                                             以摊余成本计量的
          摊余成本(贷款和                                                         387.23
  应收票据                                398.68   金融资产
            应收款项)
                                             以公允价值计量且                       11.45
苏州东微半导体股份有限公司                                                         招股意向书
                    原金融工具准则                             新金融工具准则
   项目
                计量类别         账面价值                    计量类别          账面价值
                                                其变动计入其他综
                                                合收益的金融资产
            摊余成本(贷款和                            以摊余成本计量的
  应收账款                               1,275.30                           1,275.30
              应收款项)                               金融资产
            摊余成本(贷款和                            以摊余成本计量的
 其他应收款                                  4.10                               5.25
              应收款项)                               金融资产
            以公允价值计量且                            以公允价值计量且
 其他流动资产     其变动计入其他综                 1,200.00   其变动计入当期损                1,200.00
            合收益的金融资产                             益的金融资产
            摊余成本(其他金                            以摊余成本计量的
  应付账款                                242.22                             242.22
              融负债)                                金融负债
准则的规定进行分类和计量的新金融资产和金融负债账面价值的调节表如下:
                                                                     单位:万元
                按原金融工具准则列示                                     按新金融工具准则列示
       项目       的账面价值(2018 年 12         重分类          重新计量      的账面价值(2019 年 1
                   月 31 日)                                        月 1 日)
金融资产
(1)摊余成本
货币资金
按原 CAS22 列示的余
额和按新 CAS22 列示             6,387.58                                      6,387.58
的余额
应收票据
按原 CAS22 列示的余

减:转出至以公允价
值计量且其变动计入
                                            -11.45
其他综合收益的金融
资产(新 CAS22)
按新 CAS22 列示的余

应收账款
按原 CAS22 列示的余
额和按新 CAS22 列示             1,275.30                                      1,275.30
的余额
其他应收款
按原 CAS22 列示的余

重新计量:预期信用                                               1.15
苏州东微半导体股份有限公司                                                          招股意向书
                按原金融工具准则列示                                      按新金融工具准则列示
       项目       的账面价值(2018 年 12       重分类              重新计量     的账面价值(2019 年 1
                   月 31 日)                                         月 1 日)
损失准备
按新 CAS22 列示的余

以摊余成本计量的总
金融资产
(2)以公允价值计量且其变动计入当期损益
交易性金融资产
按原 CAS22 列示的余

加:自其他流动资产
(原 CAS22)转入
按新 CAS22 列示的余

以公允价值计量且其
变动计入当期损益的                                  1,200.00                      1,200.00
总金融资产
(3)以公允价值计量且其变动计入其他综合收益
应收款项融资
按原 CAS22 列示的余

加:自应收票据(原
CAS22)转入
按新 CAS22 列示的余

其他流动资产
按原 CAS22 列示的余

减:转出至交易性金
                                           -1,200.00
融资产(新 CAS22)
按新 CAS22 列示的余

以公允价值计量且其
变动计入其他综合收                 1,200.00         -1,188.55                       11.45
益的总金融资产
金融负债
(1)以摊余成本计量的金融负债
应付账款
按原 CAS22 列示的余
额和按新 CAS22 列示              242.22                                         242.22
的余额
以摊余成本计量的总
金融资产
苏州东微半导体股份有限公司                                                                  招股意向书
则的规定进行分类和计量的新损失准备的调节表如下:
                                                                            单位:万元
            按原金融工具准则计提                                               按新金融工具准则计提
     项目     损失准备(2018 年 12               重分类      重新计量                损失准备(2019 年 1
               月 31 日)                                                  月 1 日)
其他应收款坏账准备                        1.43                        -1.15                     0.28
  (2)执行新收入准则的影响
  公司自 2020 年 1 月 1 日起执行新收入准则。根据相关新旧准则衔接规定,对可比
期间信息不予调整,首次执行日执行新准则的累积影响数追溯调整 2020 年 1 月 1 日的
留存收益及财务报表其他相关项目金额。
  执行新收入准则对公司 2020 年 1 月 1 日财务报表的主要影响如下:
                                                                            单位:万元
                                              资产负债表
   项目
  预收款项                 41.53                      -41.53                                  -
  合同负债                       -                    36.75                               36.75
其他流动负债                       -                        4.78                             4.78
  对 2020 年 1 月 1 日之前发生的合同变更,公司采用简化处理方法,对所有合同根
据合同变更的最终安排,识别已履行的和尚未履行的履约义务、确定交易价格以及在
已履行的和尚未履行的履约义务之间分摊交易价格。采用该简化方法对公司财务报表
无重大影响。
  (3)执行新租赁准则的影响
  公司自 2021 年 1 月 1 日起执行新租赁准则。
  公司作为承租人,根据新租赁准则衔接规定,对可比期间信息不予调整,首次执
行日执行新租赁准则与原准则的差异追溯调整本报告期期初留存收益及财务报表其他
相关项目金额。
苏州东微半导体股份有限公司                                                             招股意向书
  执行新租赁准则对公司 2021 年 1 月 1 日财务报表的主要影响如下:
                                                                         单位:万元
                                              资产负债表
      项目
   其他流动资产                   24.78                    -17.83                    6.95
    使用权资产                          -                 481.47                 481.47
一年内到期的非流动负债                        -                 121.08                 121.08
    租赁负债                           -                 342.55                 342.55
  本报告期未发生重大会计估计变更事项。
七、非经常性损益
  报告期内,公司非经常性损益情况如下表所示:
                                                                         单位:万元
        项目              2021 年 1-6 月          2020 年度      2019 年度       2018 年度
非流动资产处置损益,包括已计提资
                                          -        0.86              -       -27.37
   产减值准备的冲销部分
计入当期损益的政府补助(与公司正
常经营业务密切相关,符合国家政策
规定、按照一定标准定额或定量持续
   享受的政府补助除外)
除同公司正常经营业务相关的有效套
期保值业务外,持有以公允价值计量
且其变动计入当期损益的金融资产、
金融负债产生的公允价值变动收益,                   10.16         278.47       176.18        317.67
以及处置以公允价值计量且其变动计
入当期损益的金融资产、金融负债和
可供出售金融资产取得的投资收益
根据税收、会计等法律、法规的要求
对当期损益进行一次性调整对当期损                          -       75.56
      益的影响
除上述各项之外的其他营业外收入和
                                          -       -22.63        -2.43        18.31
       支出
其他符合非经常性损益定义的损益项
       目
        小计                     506.99            953.23       150.33        -505.40
苏州东微半导体股份有限公司                                                            招股意向书
         项目             2021 年 1-6 月       2020 年度        2019 年度       2018 年度
减:所得税费用(所得税费用减少以
     “-”表示)
        少数股东损益                         -             -              -             -
归属于母公司普通股股东的非经常性
      损益净额
 归属于母公司普通股股东的净利润              5,180.53       2,768.32        911.01       1,297.43
扣除非经常性损益后归属于母公司普
    通股股东的净利润
注:报告期内,公司其他符合非经常性损益定义的损益项目分别为-1,063.74 万元、-214.58 万元、
  报告期内,公司归属于母公司普通股股东的非经常性损益净额分别为-593.26 万元、
付进行会计处理计入的期间费用。
八、税项
(一)公司主要税种和税率
                                                     税率
   税种            计税依据
          以按税法规定计算的销售
          货物和应税劳务收入为基
          础计算销项税额,扣除当
   增值税                                      17%、16%、13%、6%
          期允许抵扣的进项税额
          后,差额部分为应交增值
          税
城市维护建设税 实际缴纳的流转税税额                                   7%
 教育费附加    实际缴纳的流转税税额                                 3%
地方教育费附加 实际缴纳的流转税税额                                   2%
 企业所得税    应纳税所得额                             15%、16.5%、25%
(二)公司及所属子公司执行的所得税税率
                                            所得税税率
     纳税主体名称
 苏州东微半导体股份有限公司               25%              25%              15%           15%
苏州东微半导体股份有限公司                                                                        招股意向书
                                                     所得税税率
     纳税主体名称
  香港赛普锐思有限公司                       16.5%                 16.5%          16.5%            16.5%
  广州动能半导体有限公司                       25%                   25%                25%          25%
(三)税收优惠
  公司于 2017 年 12 月 27 日取得由江苏省科学技术厅、江苏省财政厅、江苏省国家
税务局和江苏省地方税务局联合颁发的高新技术企业证书(证书编号:
GR201732003993),有效期三年。2020 年度,公司未能通过高新技术企业认定,当年
度不再享受高新技术企业税收优惠,企业所得税税率由 15%调整至 25%。
九、报告期内的主要财务指标
(一)主要财务指标
     项目
  流动比率(倍)                13.87                  24.07              20.04                 19.51
  速动比率(倍)                11.72                  19.87              12.66                 13.60
资产负债率(合并)               7.69%                   4.28%              7.25%                 7.03%
资产负债率(母公司)              7.69%                   4.28%              7.25%                 7.03%
     项目         2021 年 1-6 月         2020 年度                2019 年度                2018 年度
应收账款周转率(次)                  3.71                 5.78                 9.34                   9.84
 存货周转率(次)                   3.02                 3.60                 2.95                   3.17
息税折旧摊销前利润
   (万元)
归属于母公司普通股股
东的净利润(万元)
扣除非经常性损益后归
属于母公司普通股股东            4,800.29                2,040.26            815.81               1,890.70
 的净利润(万元)
研发投入占营业收入的
    比例
每股经营活动产生的现
  金流量(元)
每股净现金流量(元)                  0.97                 4.26                 0.14                   0.04
归属于母公司普通股股
东的每股净资产(元)
苏州东微半导体股份有限公司                                    招股意向书
注:上述财务指标的计算方法如下:
(二)近三年净资产收益率及每股收益
  按照中国证监会《公开发行证券公司信息披露编报规则第 9 号—净资产收益率和
每股收益的计算及披露》(2010 年修订)要求计算的净资产收益率和每股收益如下:
                                               每股收益
                                   加权平均        (元)
 期间             报告期利润
                                  净资产收益率
                                               基本     稀释
           归属于母公司普通股股东的净利润            11.65%   1.03   1.03
    月      扣除非经常性损益后归属于母公司普通股股东
           的净利润
        归属于母公司普通股股东的净利润               12.66%   0.60   0.60
        的净利润
        归属于母公司普通股股东的净利润                5.87% 不适用 不适用
        的净利润
        归属于母公司普通股股东的净利润                9.46% 不适用 不适用
        的净利润
十、分部报告
  公司以内部组织结构、管理要求、内部报告制度等为依据确定报告分部,并以产
品分部为基础确定报告分部。具体详见本节“十一、经营成果分析”之“(一)营业
苏州东微半导体股份有限公司                                                                 招股意向书
收入分析”与“(二)营业成本分析”。
十一、经营成果分析
(一)营业收入分析
  报告期内,公司营业收入分别为 15,289.99 万元、19,604.66 万元、30,878.74 万元
和 32,082.43 万元,具体构成情况如下:
                                                                              单位:万元
     项目
           金额         比例        金额            比例       金额       比例       金额      比例
主营业务收入 32,082.43      100.00%   30,878.74 100.00% 19,604.66 100.00% 15,283.52 99.96%
其他业务收入            -         -          -           -        -        -    6.46   0.04%
     合计   32,082.43   100.00%   30,878.74 100.00% 19,604.66 100.00% 15,289.99 100.00%
  报告期内,公司主营业务收入分别为 15,283.52 万元、19,604.66 万元、30,878.74
万元和 32,082.43 万元,占营业收入的比例分别为 99.96%、100.00%、100.00%和
影响较小。公司 2019、2020 年度及 2021 年 1-6 月无其他业务收入。
     (1)主营业务收入按产品品类分类
  公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业。报告期
内,公司的主营产品为 MOSFET,主要分为高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅
MOSFET 和超级硅 MOSFET 产品,公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、
域,以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领
域。
  报告期内,公司主营业务收入按产品品类分类的构成情况如下:
苏州东微半导体股份有限公司                                                                                         招股意向书
                                                                                                  单位:万元
 产品                      2021 年 1-6 月           2020 年度              2019 年度                   2018 年度
         产品品类
 类别                      金额       比例        金额            比例       金额           比例           金额           比例
       高压超级结
        MOSFET
       中低压屏蔽
MOSFET           8,006.71         24.96% 5,930.43         19.21% 3,858.16      19.68% 2,830.16 18.52%
       栅 MOSFET
         超级硅
        MOSFET
 IGBT     TGBT            22.95     0.07%           -          -          -            -              -        -
        合计          32,082.43 100.00% 30,878.74 100.00% 19,604.66 100.00% 15,283.52 100.00%
    公司分产品品类的收入结构相对稳定,以高压超级结 MOSFET 和中低压屏蔽栅
MOSFET 为主。
    近年来,超级硅 MOSFET 和 TGBT 经公司长期研发后已分别于 2019 年和 2021 年
开始小批量生产并实现销售,2019、2020 年度和 2021 年 1-6 月超级硅 MOSFET 分别
实现营业收入 8.32 万元、40.36 万元和 135.31 万元,2021 年 1-6&