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赛微电子：拥有硅通孔、深反应离子刻蚀等MEMS核心专利

来源：证星互动追踪 2025-12-16 11:34:42

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证券之星消息，赛微电子(300456)12月16日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问：公司在 MEMS 领域掌握的核心工艺技术达到了怎样的国际领先水平？特别是硅通孔（TSV）、晶圆键合、深反应离子刻蚀等关键技术的具体优势体现在哪些方面？

赛微电子回复：您好，公司境内外产线（目前瑞典Silex为参股子公司）长期专注于MEMS工艺开发及晶圆制造业务，具备优越的技术水平和工艺开发能力，拥有丰富的量产经验以及不断拓展的规模量产能力。公司拥有硅通孔、深反应离子刻蚀等在内的多项MEMS核心专利，如TSV（硅通孔）技术是实现三维系统集成所必须的首要工艺，相关专利技术可以推广移植至2.5D和3D晶圆级先进集成封装平台，可以为实现功能化晶圆级封装和三维集成提供支持。谢谢关注！

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