中晶科技获得发明专利授权：“一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中晶科技（003026）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法”，专利申请号为CN202511011320.1，授权日为2025年10月28日。

专利摘要：本发明涉及半导体硅片检测领域，尤其涉及一种半导体碱腐硅片主副定位面位置准确性的检测方法，包括以下步骤：步骤一、硅片化腐，将清洁的硅片放入配置好的具有腐蚀性的碱溶液中，在一定温度以及腐蚀时间的条件下进行腐蚀，形成化腐片；步骤二、检测，采用特定波长的光源照射化腐片，化腐片上反射一定形状的光线条纹；步骤三、判断，根据化腐片上的显现形状结合数据库中的标准图案，判断化腐片的主定位面、副定位面是否准确；利用特定波长的光束照射化腐片，在化腐片上形成一定的光线条纹，通过条纹形状与标准数据库的图案进行比对，实现快速检测主副定位面的位置是否正确，降低了传统检测方式存在将硅片表面污染的技术问题。

今年以来中晶科技新获得专利授权3个。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1556.32万元，同比增11.12%。

通过天眼查大数据分析，浙江中晶科技股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2次；财产线索方面有商标信息55条，专利信息55条；此外企业还拥有行政许可3个。

数据来源：天眼查APP

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