晶丰明源获得发明专利授权：“具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶丰明源（688368）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管”，专利申请号为CN202111547635.X，授权日为2025年9月12日。

专利摘要：本发明提供一种具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括用作漏极区域的半导体衬底和设置在衬底上表面上的外延区域。所述MOSFET器件包括在外延区中形成的多个体区域和多个源极区域。所述体区域设置在外延区域的上表面附近并且彼此横向间隔，并且每个源极区域设置在对应的体区域中靠近所述体区域的上表面。MOSFET器件包括具有多个平面栅和一沟槽栅的栅极结构。每个平面栅设置在外延区域的上表面上并与相应体区域重叠。所述沟槽栅形成为部分地通过所述外延区域并且在所述体区域之间，所述沟槽栅的上表面凹陷在所述外延区域的上表面之下。

今年以来晶丰明源新获得专利授权15个，较去年同期减少了59.46%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.75亿元，同比减5.05%。

通过天眼查大数据分析，上海晶丰明源半导体股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目6次；财产线索方面有商标信息54条，专利信息479条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可3个。

数据来源：天眼查APP

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