证券之星消息,近期晶升股份(688478)发布2025年半年度财务报告,报告中的管理层讨论与分析如下:
发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所属行业
公司是一家半导体专用设备供应商,主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售,向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所属行业为“专用设备制造业”下的“半导体器件专用设备制造”(C3562);根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类(2018)》,公司属于“1、新一代信息技术产业”中“1.2电子核心产业”中的“1.2.1新型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”。
(二)所属行业的发展情况
1、半导体行业
半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点,其技术水平与发展规模已成为衡量一个国家综合国力和产业竞争力的重要标准之一。半导体行业遵循螺旋式上升规律,下游应用行业的需求增长是半导体产业快速发展的核心驱动力。近年来,人工智能、大数据、云计算、物联网、汽车电子及消费电子等应用领域快速发展,使全球半导体行业逐渐恢复增长。其中,由于人工智能技术的多项颠覆性应用,市场对先进逻辑芯片和存储产品的需求不断增加,业内关于DRAM和HBM的投资正快速加大,半导体行业的发展与进步也被进一步推动。2024年全球半导体行业在经历短暂调整后迅速反弹并重回增长通道,也预示着新一轮增长周期的启动。根据Yole最新报告,预计全球半导体市场规模2025年将进一步增长至7770亿美元,2030年或将突破9980亿美元,年复合增长率达6.8%。
凭借巨大的市场需求、下游应用行业快速发展、稳定的经济增长及有利的政策等众多优势条件,我国半导体产业规模持续快速发展。然而半导体产业国产化进程严重滞后于国内快速增长的市场需求,导致该行业存在较严重的进口依赖,市场供需错配状况亟待扭转,进口替代空间巨大。与此同时,随着国际贸易纷争不断,基于电子信息安全等因素考虑,国内半导体产业链技术水平也亟需发展和提升。因此,现阶段国内半导体行业正处于产业升级的关键阶段,实现核心技术“自主可控”已成为最重要的发展目标。
碳化硅作为第三代半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点,碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势,广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、轨道交通、5G通讯等领域。特别是随着近期新能源汽车渗透率的不断升高以及多款搭载800V平台的车型密集发布,碳化硅产业链迎来频繁催化。根据Yole统计及预测,未来全球碳化硅器件市场将继续稳步攀升,2030年有望达到103亿美元的规模。在现有应用领域加速渗透的同时,碳化硅在AR眼镜等其他新兴领域也展现出显著的应用潜力。得益于其独特的物理、化学性质以及与AR/VR设备需求的深度契合,碳化硅成为了AR眼镜突破重量、显示效果、耐用性瓶颈的核心材料,将推动AR/VR设备从概念走向量产。未来,受下游应用领域发展驱动,第三代半导体材料的需求将持续增加,全球产业已步入高速发展阶段。
2、半导体设备行业
随着半导体产业的第三次转移,中国大陆半导体行业快速发展,带动半导体设备行业也随之发展。在国产设备不断取得突破,持续通过客户验证且下游客户产能顺利爬坡后,国产化率有望得到显著提升。同时,晶圆厂投资力度的加大及新建产能进程的加快,进一步刺激对半导体设备采购需求,为半导体设备行业,尤其是国产半导体设备行业的发展奠定了广阔的市场。此外,除传统硅基晶圆制造外,以碳化硅为代表的第三代半导体材料产业链也愈发成熟,随着下游市场需求逐渐增多,将会带动其晶圆制造产线的建设,进一步加大对半导体设备的需求。
由于不同技术等级的芯片需求大量并存,决定了不同技术等级的半导体设备依然存在较大的市场需求,各类技术等级的设备均有其对应的市场空间,短期内将持续并存发展。受人工智能计算需求推动,全球半导体行业正展示出强大的增长潜力,其中中国的半导体设备支出尤为可观。据SEMI预测,2025年全球原始设备制造商(OEM)的半导体制造设备总销售额将创下1255亿美元的新纪录,同比增长7.4%。在先进逻辑、存储器及技术迁移的持续催化下,2026年设备销售额有望进一步攀升至1381亿美元。
未来随着下游客户新建产线及更新升级,各半导体设备厂商将迎来巨大的成长机遇,拥有更多机会使设备产品获得验证和试用。这也为国内半导体设备企业开发新产品、扩大市场占有率构建有利的竞争环境,形成“设备—工艺—产品”良好的相互促进作用,使国内半导体产业进一步发展,缩小与国际产业水平的差距。
3、半导体级晶体生长设备行业
半导体级晶体生长设备主要以硅片制备和化合物材料制备的晶体生长设备为主,其中,化合物材料主要以碳化硅为主。硅片/碳化硅材料主要用于制造芯片,应用于通信、消费电子、汽车、工业等领域。晶体生长设备的技术先进性对半导体级硅片、碳化硅单晶衬底的规格指标及性能优劣具有决定性作用。
基于成本等因素的考虑,半导体硅片不断向大尺寸方向演进,12英寸硅片占据市场主要份额,对大尺寸单晶硅晶体生长设备产生较大需求;此外,由于设备投入成本较高,技术难度较大等因素,国内12英寸硅片主要依赖于进口,国内厂商市场份额和国产化率较低,进口替代空间巨大。半导体级单晶硅晶体生长设备,尤其是大尺寸设备未来市场前景广阔。
作为整个碳化硅产业链中成本占比最大、技术门槛最高的环节,碳化硅衬底同样处于由6英寸向8英寸升级的阶段。国内外8英寸碳化硅加速布局,多家中国厂商正积极推进8英寸碳化硅的开发工作。而碳化硅晶体生长设备的国产化率较高,衬底端的良率突破有望给设备端带来大规模放量。应用方面,国内新能源汽车、光伏逆变等应用领域在全球处于主导地位。以新能源汽车和光伏逆变技术为代表的碳化硅功率器件的广泛应用,是推动碳化硅衬底市场及其上游晶体生长设备市场规模显著增长的核心驱动因素。根据Yole等机构统计及预测,碳化硅继续强力渗透至新能源汽车领域,汽车应用仍将在众多市场应用中占据绝对主导地位,预计2028年度将达到碳化硅功率器件市场总量的74%。此外,随着AR眼镜向轻量化、智能化发展,碳化硅镜片的市场需求快速增长,将推动碳化硅的产能扩张与成本下降,从而与AR眼镜的规模化普及形成正向循环。因此,不同尺寸、不同类型的碳化硅材料及不同的下游应用需求又将进一步大幅提升对碳化硅单晶炉的需求。在市场保持高景气度的情况下,在国内产能加速扩产叠加设备国产化率提升的双重因素驱动下,我国碳化硅晶体生长设备市场发展潜力巨大。
(三)公司的主营业务情况
1、公司的主营业务
公司是一家半导体专用设备供应商,主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。自成立以来,公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性,结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力,致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发,并聚焦于半导体领域,向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。
公司凭借多应用领域产品技术开发经验,已在晶体生长设备领域形成丰富产品序列,可满足客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求,逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。依靠优质的产品及服务质量,公司得到了众多主流半导体厂商的认可,陆续开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电子、合晶科技、比亚迪等客户,已取得良好的市场口碑,确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。
2、主要经营模式
(1)盈利模式
公司主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售,通过向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品,同时销售设备相关配件等配套产品,提供设备售后维护升级等技术服务,实现收入和利润。
(2)研发模式
公司主要采取自主研发模式,以高温晶体生长设备为基础,以半导体级晶体生长设备为核心,持续进行研发投入,开展自主研发及创新,不断提升设备品质,优化设备性能,取得了晶体生长设备关键核心技术领域的重要成果,并同时积极推进新产品布局,不断拓展技术应用领域。
(3)采购模式
公司采购的原材料主要包括机械加工件、机械标准件、热场件、系统部件、电气控制件、仪器仪表及气路部件等。其中,机械加工件、热场件、系统部件及气路部件等零部件由公司进行设计开发,由第三方供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料,完成定制加工后向公司供应;其他标准零部件则面向市场独立进行采购。为了保证公司产品的质量,公司制定了严格的供应商引入、选择评价制度,对供应商进行多个维度评价,包括:品质管理体系、量具管理、制程管理、供方管理、售后服务等,进而选择优质的厂家进行合作。整个采购流程注重效率与质量控制,确保供应链的稳定性和产品的高品质。
(4)生产模式
公司主要采取订单式生产结合库存式生产的生产模式,根据客户的差异化需求,进行定制化设计及生产制造,实施订单式生产为主,少量库存式生产为辅的生产方式。其中,订单式生产指公司在与客户签订订单或客户有较明确的采购预期后,根据订单情况进行设计并组织生产。库存式生产指公司对标准化模块或批量出货设备常用组件,根据内部需求及生产计划进行预生产,达到快速响应客户需求及平衡产能。
(5)销售模式
公司通过直销模式销售产品,与潜在客户主要通过商务谈判等方式获取订单。公司配备了专业的销售与服务团队,负责市场推广、客户开发、销售及售后等服务。
客户基于自身的业务发展情况及定制化需求,对公司产品提出要求,并在公司向其提供技术设计方案后进行评审确认。待客户通过公司制定的设计方案后,根据客户的要求提供公司相关的资质材料,完成客户对公司的资质认证,并将公司纳入客户的合格供应商体系中。经履行商务谈判程序后,公司与客户按照双方确认的产品技术设计方案、验收标准及生产、交付、结算等合同条款,签订合同及技术协议书。公司组织生产并完成产品交付、产品验收程序。
3、公司的主要产品
根据客户在晶体技术指标、产品类型及工艺路线、设备配置及技术规格参数等不同的定制化工艺方案,公司主要为半导体材料厂商及其他材料客户提供定制化晶体生长设备,以满足不同客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。经过多年持续的研发投入和技术工艺积累,公司开发了包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及其他设备等主要产品,具体情况如下:
(1)半导体级单晶硅炉
公司生产的半导体级单晶硅炉主要应用于8-12英寸半导体硅片制造,设备结构设计具有高稳定性、高可靠性等特点,通过配备自主研发晶体生长控制、热场系统,能够满足不同技术规格半导体级硅片的生长及制造要求。
根据不同客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要,公司开发了与产品相配套的标准化工艺方案,可为客户提供热场开发、长晶控制系统策略、视觉识别系统、磁力强度及分布设计、氧化物过滤系统等主要构成要素的定制化“晶体生长设备+工艺方案”,从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。
公司半导体级单晶硅炉完整覆盖主流12英寸、8英寸轻掺、重掺硅片制备,生长晶体制备硅片可实现19nm存储芯片、28nm以上通用处理器芯片、CIS/BSI图像传感器芯片,以及90nm以上指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动芯片等半导体器件制造,28nm以上制程工艺已实现批量化生产。
(2)碳化硅单晶炉
公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底,具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。
公司碳化硅单晶炉需满足客户在特定工艺技术路线下关于控温精度、控压精度、工艺气体流量精度、极限真空、压升率的指标参数要求,保证设备长晶产出的一致性和稳定性,满足客户特定压力及温度控制策略的应用需要,匹配客户晶体生长工艺/技术路线要求。针对不同客户对于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的差异化适配性需求,产品具有定制化特点。公司可根据不同客户关于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的需要,实现腔室结构、加热方式、生长过程监控、控制方式等主要产品构成要素的定制化方案,可满足不同下游客户差异化应用需求。公司碳化硅单晶炉结构的模块化设计,可根据不同客户的不同需求,切换设备功能部件,便于备货并能大大缩短供货周期。
公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品,下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备:①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片,可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件,下游应用领域主要包括新能源汽车(主驱逆变器、车载充电机(OBC)、车载电源转换器、充电桩、UPS等)、光伏发电(光伏逆变器)、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等;②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片,可制成HEMT等微波射频器件,下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。
(3)其他设备
除上述主要产品外,公司根据客户差异化应用需求,研发并供应其他定制化设备。凭借半导体级单晶硅炉的设计与制造经验,公司向新的业务领域进行拓展,自主开发了光伏级单晶硅炉。该设备具有高度的可靠性与稳定性,可满足光伏市场规模化生产、高自动化程度、高拉速等要求。为达到并匹配客户对于晶体技术指标的需求,公司开发了新一代晶体提拉机构、坩埚升降机构等,提高设备在引晶、转肩、等径、收尾运行过程中的稳定性;设备配备自主研发的自动化拉晶控制系统(软硬件),实现了拉晶过程全自动化运行,并可结合信息化集控软件,进行远程集控操作。且根据客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要,公司开发了与产品相配套的标准化工艺方案,可为客户提供“单晶炉整机+控制系统+工艺方案”为主要构成要素的定制化服务方案,从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。
公司自主研制的自动化拉晶控制系统(软硬件),主要应用于G10至G12太阳能电池片的制造,该全自动控制系统具有高可靠性、通用性、安全性等特点。通过配备自主研发的液面距精确控制、直径控制、生长控制等技术,可进一步提高系统的自动化程度和智能控制水平,能够满足光伏单晶硅片高效率、高产量的市场需求。该控制系统,依据多年积累的研发经验及工艺验证,在采用PIDF嵌套式、多循环控制算法的基础上,配备了自主开发的多功能视觉系统和信息化集成控制软件,可实现长晶过程全自动运行和即时监控反馈,同时可实现各辅助工步(例如复投、化料等)自动化操作,无需人工过多干预,极大地提高了客户处设备大规模生产的运行稳定性和单晶生产效率。
公司生产的碳化硅外延炉主要用于6-8英寸碳化硅外延片生产。贴合主流外延工艺路线,公司针对性开发了行星式外延炉与水平式外延炉,二者在外延片品质、生产效率、生产成本等方面相较于传统外延炉均有较大提升。系列产品搭载自主研发的晶圆传输系统,减少人员操作,稳定可靠,同时避免了过程污染。同时公司针对不同工艺路线的外延炉,定向开发了稳定成熟的工艺配方,可实现高品质外延生长。
加工设备是由晶体坯料转变成晶圆片不可缺少的工艺设备,在晶体生长完成后,使用多线切割机切片,再由减薄机进行厚度的减薄,最后由抛光机达到需要的表面平坦度。其中,减薄机还可以用在外延后及封装阶段。公司的加工设备具有高运动精度、高刚性、长效稳定性等特点。公司半导体多线切割机采用精密无反向间隙摇摆工作台机构,实现了机构整体结构刚性,防护和润滑的优化配置,同时其自动寻边系统可以替代人工自动对工字轮寻边校准并实时检测,使设备具备自动化、智能化。减薄机配备了半导体晶圆减薄机TTV自动调整技术,减薄过程中实时检测晶圆中心和边缘的厚度差,通过精密机械调整机构调整晶圆的TTV和面形参数。
二、经营情况的讨论与分析
报告期内,公司以“成为国内半导体晶体材料生长设备领域的领导者,推动中国半导体行业的发展”为目标,在半导体晶体生长设备领域持续深耕,继续致力于晶体生长设备的研发生产。公司坚持自主创新、研发先行的理念,努力提高设备的技术先进性和稳定性,不断拓展技术应用领域,加速拓展产品序列,深化与客户合作。2025年上半年,在宏观经济环境和所处行业形势等多重因素的作用下,公司面临新的挑战,但仍然坚持科技创新,开拓国内外市场,加强企业精细化管理和人才队伍建设,持续促进公司业务发展。
(一)深耕主业,持续迭代产品技术
报告期内,公司聚焦主业,不断提升晶体生长设备领域的核心技术先进性,增强主营业务产品竞争优势。公司持续对算法进行迭代升级,开发精度更高的自动化控制系统以及与之匹配的热场,并着力解决晶体生长过程不可监测等制约碳化硅材料发展的问题。公司通过优化设备综合性能、提升设备自动化及智能化水平,有效帮助客户提高晶体良率、降低生产成本,得到了市场以及众多客户的认可。
(二)寻求增长,加速拓展产品序列
公司在具有新增长潜力的协同业务领域积极探索,布局晶体生长设备以外的半导体领域其他产品,丰富产品种类以满足客户差异化需求。公司高度重视新产品的自主研发与创新,继续保持高额的研发投入,加速CVD设备、切割设备、减薄设备、抛光设备等新产品的推出与定制样机的批量化转换,同时推进特种材料、耗材等材料领域的业务进程,努力为公司发展贡献新的增长点。报告期内,公司研发费用为20563911.99元,占营业收入的12.98%。
(三)优化治理结构,提升运营管理水平
报告期内,公司持续加强内控建设,完善内部管理体系,强化内部监督机制,夯实公司发展根基。公司进一步推动内部组织结构和业务流程的优化,提升运营效率,降低运营成本费用。公司从质量控制、成本控制、效率管理等多个维度设立内部指标,定期对各项指标的执行情况进行跟踪,结合内部统计数据和外部客户反馈展开相关讨论并制定改进措施。通过内部治理结构的优化和运营管理能力的提升,实现公司产品及服务质量的升级,促进企业持续、稳定、健康发展。
(四)技术交流与人才培养,推进高质量科技创新
公司聚焦国际半导体技术前沿,深耕高水平国际人才合作交流,加大与海外先进技术交流合作的深度与广度。通过海外业务和技术合作的机遇,公司能够更敏锐地捕捉全球行业发展动态,更及时地发现最新技术突破,更充分地了解国际技术研发理念。同时,公司持续加强企业自身的创新人才的培养,瞄准相关重点领域关键核心技术开展科研攻关,共同推动高质量科技创新,实现高水平科技自立自强。报告期末,公司研发人员总数为83人,占公司总人数比例为42.35%,较上年同期同比增长5.06%。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、公司具有先发优势
半导体材料及专用设备行业具有技术壁垒高、研发周期长、资金投入大、下游验证周期长等特点。基于上述特点,目前,国内晶体生长设备领域仅有公司及其他少数行业参与者可实现设备技术验证并批量供应晶体生长设备。此外,考虑到半导体产业链各环节的技术要求、精密程度及稳定性要求极高,通常来说,下游芯片厂商对已通过认证的半导体设备及制备工艺均会进行稽核,硅片/衬底材料厂商对半导体设备和制备工艺的改动均需通知下游芯片厂商,待其进行审核后方可进行。由于更换半导体设备供应商需要较长的时间进行上述稽核,且存在较大的不确定性,已通过认证的半导体设备供应商可形成较强的客户认证壁垒。由于晶体生长设备对硅片/衬底的规格指标及性能优劣具有重要影响,进而对芯片制造及半导体器件的成本与性能产生重要影响,故是否已在下游客户产线投入使用并形成较强的客户认证壁垒,成为衡量晶体生长设备供应商市场竞争力的重要标准。公司无论在大尺寸半导体级单晶炉,还是碳化硅单晶炉方面都具有先发及客户认证的优势。
2、公司具有技术及研发优势
公司基于在晶体生长设备行业多年积累的专业技术及工艺,通过持续研发,对工艺技术和设备不断优化升级,同时对标国外晶体生长设备前沿技术的发展方向,在晶体生长设备设计、晶体生长工艺及控制等技术方面,形成了独创性的设计及技术,掌握了晶体生长设备设计及控制技术、热场的设计与模拟技术和半导体晶体生长工艺开发技术等核心技术,并成功应用到公司主要产品中且实现量产销售,产品技术水平国内领先,部分技术指标已达到国际主流先进水平。公司凭借自主研发的晶体生长设备技术,以及多应用领域产品技术开发经验,已在半导体级晶体生长设备领域形成丰富产品序列,可满足不同客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。同时,公司提供的晶体生长设备已在下游客户产线批量投入使用,得到了众多客户的认可。公司持续对晶体生长设备进行研发,积累了大量的研发经验和技术储备,有助于公司进一步提升技术水平优势和竞争优势。
为推进半导体设备国产化进程,公司已建成2000平米超洁净实验室,实验室涵盖了从碳化硅粉料合成、晶体生长、晶锭切割、衬底磨抛、外延生长、外延片检测等全实验流程。该实验室的投入使用,为公司生产的各类型设备提供了原位验证平台,结合工艺团队的配方优化、信息反馈,助力公司加速产品迭代、优化提升产品性能。
3、公司具有优质客户资源优势
晶体生长设备作为半导体产业链的基础和起点,其设备供应商的市场竞争力主要体现于设备的研发设计、晶体生长工艺积累及下游厂商的认可程度,市场竞争结果体现为设备供应商所开拓客户的实力及地位、是否获得重复和批量订单、设备是否已投入产线使用及市场份额等。
公司凭借多年的研发及工艺积累,结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力,形成了自主研发的核心技术,并覆盖了硅片厂商及碳化硅衬底的国内龙头企业或主流客户,与沪硅产业(上海新昇)、立昂微(金瑞泓)、神工股份、合晶科技、三安光电、东尼电子、比亚迪等知名企业建立了合作关系。自签订首台(套)合同后,公司得到了客户的认可并获得客户的重复和批量订单,结合客户产线建设及业务开展情况,持续推进批量销售且保持跟进,形成了相对其他晶体生长设备企业较强的客户资源优势。此外,通过与上述半导体制造企业建立合作关系后,对客户的核心需求、技术发展的趋势等方面理解更为深刻,有助于公司在研发方向的选择及增强客户粘性,保证了公司未来收入的持续、稳定增长及业务的进一步拓展。
4、优秀的技术研发团队是保证公司竞争优势的驱动力
公司高度重视技术研发团队建设和培养,持续引进行业内的专业人才,经过多年的积累,公司形成了一支经验较为丰富,技术水平较高的技术研发团队,能紧密跟踪国内外先进技术发展趋势,保证了公司能够不断推出新产品,并不断改进现有产品,巩固和提升公司的技术研发能力。公司按照半导体级单晶硅炉和化合物单晶炉设备等不同研发对象和项目产品,组成了分工明确的专业研发团队。在核心技术人员带领下,公司在半导体设备领域不断突破。
5、定制化服务及区位优势巩固与客户的合作关系
半导体制造企业具有高度定制化的需求,故供应商服务的快速响应和熟悉客户相关工艺的经验和能力尤为关键,保证了双方无障碍沟通。随着半导体制造环节向亚洲尤其是中国大陆转移,相较于国际竞争对手,在服务中国大陆半导体制造企业方面,公司在地域上更接近客户,对客户的需求及问题能够提供更快捷、更经济、更顺畅的技术支持和客户维护。此外,公司销售及研发人员会定期进行客户拜访,以了解客户需求及市场发展趋势,并对公司产品进行升级或更新换代,以保持产品的持续竞争力。
6、公司具有运营成本优势
针对海外竞争对手,由于其研发和生产人员成本较高,并且基于距离、沟通不便等因素,服务中国大陆客户的成本较高。公司的研发和生产主要位于中国大陆,拥有区位优势,人员成本相对较低。此外,公司与国内外供应商建立了较为稳定合作关系,具有较为完善的原材料供应链体系,有利于保证公司产品原材料来源的稳定性及可靠性。同时,随着本土供应链的不断成熟,给予了公司更多的采购选择,使得原材料采购更为稳定,有效降低了公司原材料采购成本及运营成本。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司基于在晶体生长设备行业多年积累的专业技术及工艺,通过持续研发,对工艺技术和设备不断优化升级,在晶体生长设备设计、晶体生长工艺及控制等技术具有优势。公司核心技术来源于自主研发,并通过专利和技术秘密的方式进行保护。
2、报告期内获得的研发成果
截至2025年6月30日,公司及其子公司累计取得国内专利94项,其中发明专利40项,实用新型专利54项。此外,公司拥有计算机软件著作权4项。报告期内,公司获得新增授权专利2项。
五、报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入15839.06万元,同比减少20.29%;归属于上市公司股东的净利润-745.09万元,同比减少121.29%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益净利润-1973.75万元,同比减少213.81%。
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