天岳先进（688234）2025年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期天岳先进（688234）发布2025年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）所属行业情况

    根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。当前时代，能源变革和人工智能（AI）是未来科技革命的双重引擎。构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源变革和AI技术进步和融合发展的核心目标，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。

    碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域加速渗透应用，行业前景广阔。

    相较硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅展现出独特的物理化学性能。碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。这些特性使得碳化硅在电动汽车及光伏等高性能应用领域中具有显著优势，尤其是在稳定性和耐用性方面。碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括电动汽车、光伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导体激光等。

    公司作为衬底制造商，属于整个碳化硅半导体器件产业链的上游参与者，是产业链中将原材料转化为可供下游使用的衬底产品的关键环节。伴随着下游应用领域旺盛的需求，碳化硅市场产能持续稳定释放、上下游产业链的协同发展、碳化硅厂商的核心技术竞争力将成为全球宽禁带半导体行业未来发展的重点。

    （二）主营业务情况

    公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。公司专注于碳化硅行业已超过14年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，目前公司量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，公司于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底。不仅在碳化硅衬底大尺寸化上，公司在产业化能力和产品品质方面也能继续保持全球领先。通过推动产品大尺寸化、生产效率提升的双轮驱动，公司助力客户持续降低碳化硅衬底的规模化使用成本，推动碳化硅衬底在更多应用场景加速应用。

    公司积极提升产能布局。目前已形成山东济南、上海临港碳化硅半导体材料生产基地，设计产能每年超40万片，高品质碳化硅衬底产品供应能力持续提升。公司积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世、安森美等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。截至目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系，客户主要采用我们高品质的碳化硅衬底制造功率器件及射频器件，最终用于电动汽车、AI数据中心以及光伏系统等领域。

    公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验。这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬底，克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制的难题。2024年11月，公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

    （三）主营经营模式

    1、研发模式

    我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：

    1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反馈的分析，向研发团队提交需求申请；

    1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；

    1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实验验证；

    1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编写《项目验收报告》并交至研发团队审核；

    1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。

    2、采购模式

    碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。

    公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。

    公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。

    3、生产模式

    公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。

    公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术升级及产品迭代奠定坚实的基础。

    公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及制定纠正及预防措施。公司的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。

    4、营销模式

    公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售策略。

    公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下优势：

    4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；

    4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；

    4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；

    4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的营销战略；

    4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。

    二、经营情况的讨论与分析

    2025年上半年，随着全球新能源汽车、可再生能源产业等领域的持续扩张，能源变革日益成为全球发展的核心目标，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。同时，碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。

    公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。

    作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，公司管理层紧紧围绕公司发展战略和年度经营目标，持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率，坚持研发创新和市场拓展；同时，公司积极主动开源节流，合理管控成本费用，推进精益改善等一系列措施实现降本增效。

    （一）公司经营情况

    1、深耕主业，强化巩固竞争优势

    2025年上半年，公司持续提升核心产品的产能产量。公司济南工厂的产能产量通过技术与工艺提升稳步推进，上海临港工厂已于2024年年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划，目前正在推进二阶段产能提升计划，两个工厂合计设计产能已突破40万片。

    2025年上半年，公司实现营业收入7.94亿元；归属于上市公司股东的净利润1088.02万元。这一变动主要系公司战略性加大了研发投入。

    2、深挖合作客户新订单，积极拓展新客户

    随着全球对绿色低碳能源的需求日益增加，碳化硅材料在新能源汽车和光伏行业的市场前景广阔。公司通过加强在碳化硅衬底产品领域的长远布局，紧抓行业发展新机遇，提高市场份额，为未来的持续增长打下坚实的基础。同时，公司继续优化碳化硅衬底的产品结构，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，深挖原有合作客户，积极拓展新客户、新产品，以保持在碳化硅材料市场的竞争力，最终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。公司已实现8英寸导电型衬底产品质量和批量供应。截至报告期末，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系，客户体系进一步完善。公司持续开拓光学等新兴领域客户，已与全球头部光学领域厂商建立了合作关系，并已获得相关客户多个订单，实现了光学领域碳化硅衬底产品的销售。

    2025年7月，公司与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司（以下简称“舜宇奥来”）达成战略合作，开启了微纳米光学领域和新材料领域两家龙头企业合作新篇章。此次合作，通过整合天岳先进的材料优势与舜宇奥来的光学技术专长，将助力碳化硅衬底材料在光学领域的应用，开拓一个新兴的蓝海市场。

    2025年3月，权威行业调研机构日本富士经济发布报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）为22.8%，稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。

    2025年8月，公司与东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称"东芝电子元件"）就公司开发制造的SiC功率半导体用衬底达成基本协议，双方将开展以下合作：针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。基于此，东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩为基础，正加速推进服务器电源用、车载用等SiC器件开发，未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗，开发面向高效电力转换应用的高可靠性、高效率产品。

    3、持续丰富产品矩阵，助力下游应用拓展

    公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。

    2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。

    2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。目前，公司已形成6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。随着碳化硅行业全面迈入“12英寸新时代”，公司将以超大尺寸技术及产品为支点，持续深耕碳化硅半导体材料的蓝海市场。

    （二）研发创新情况

    公司致力于研发创新，重点涵盖基础研究、产品开发及工程研发，确保公司不仅紧跟科技进步，并不断改进公司产品，巩固公司宽禁带半导体材料领导者的地位。2025年上半年，公司研发费用7584.67万元，同比增加34.94%，主要用于大尺寸衬底产品技术攻关以及AR眼镜等新兴应用领域的拓展。

    公司在碳化硅衬底及生产技术的研发方面投入了大量资源，保障了高品质碳化硅衬底的大批量稳定交付。目前公司在衬底制备上处于国际第一梯队，引领行业发展，在基础研究、产品开发以及工程研发等方面依托于完全自主研发创新。

    公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。同时，公司是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。截至2025年半年度末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。

    截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计63人，占研发人员总数的36.63%。公司享受国务院特殊津贴专家两人。

    （三）半年度成果和荣誉

    2024年12月，公司荣获由中国电子信息行业联合会经严格评审并颁发的数据管理能力成熟度模型(DCMM）3级认证，这是公司以宽禁带半导体技术立足数字化低碳化发展又一里程碑式成就。公司已构建起一套全面且规范的数据管理制度，为企业决策及管理运营提供可靠、科学且高效的数据支撑，从而显著提升企业的市场竞争力和管理先进性，保障了企业的稳健运营。2025年5月，山东省政府正式发布2025年第四批“好品山东”品牌名单，公司凭借全球领先的碳化硅技术实力、绿色低碳智造成果及国际化品牌影响力荣耀登榜！这标志着企业以持续创新和高质量发展，成为山东省乃至中国半导体产业的“标杆力量”。

    2025年6月，公司获得第二十五届中国专利银奖。公司此次获得中国专利银奖，是对公司技术创新能力和技术发明产业化能力的重大肯定，也是对公司在碳化硅半导体领域核心关键技术重大突破以及自主可控的充分认可。

    2025年6月4日，公司凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。这是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎，也是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术。历届获奖企业主要包括英飞凌、索尼、美光等国际半导体巨头，此次获奖标志着我国在半导体关键基础材料领域实现历史性突破，彰显了中国宽禁带半导体材料技术的国际领先地位。

    （四）H股成功挂牌上市

    为加快公司的国际化战略及海外业务布局，增强公司的境外融资能力，进一步提高公司的资本实力和综合竞争力，根据公司总体发展战略及运营需要，2024年12月，公司发布计划在境外发行股份（H股）并在香港联合交易所有限公司上市（以下简称“本次H股上市”）公告，正式启动本次H股上市相关筹备事项。

    之后，公司陆续于2025年1月、2月召开董事会及股东大会审议通过了本次H股上市相关事项，并于2025年2月24日向香港联交所递交了本次发行的申请。公司于2025年6月收到中国证监会出具的《关于山东天岳先进科技股份有限公司境外发行上市备案通知书》，备案公司拟发行不超过87206050股境外上市普通股并在香港联合交易所上市。经香港联交所批准，公司本次发行的47745700（行使超额配售权之前）股H股股票于2025年8月20日在香港联交所主板挂牌并上市交易。公司H股股票中文简称为“天岳先進”，英文简称为“SICC”，股份代号为“2631.HK”。公司本次港股上市，标志着中国碳化硅产业从“高品质产品供应”向“技术+标准+资本”全要素集成的质变。公司将通过紧抓新能源+人工智能两大未来科技革命的双重引擎，以港股上市构建全球化资本及营销网络，用技术创新构筑护城河，引领全球碳化硅产业发展的新方向。

    2025年，全球碳化硅产业正处于深度变革与战略重组的关键阶段，面临多重挑战，也存在诸多机遇，是奠定公司未来发展的破局之年，天岳先进始终围绕技术、产能、客户、市场构建长远发展的核心竞争力。

    作为碳化硅行业的领导者，秉承我们既定的发展战略，公司将以“先进品质持续”的经营理念，凭借领先的技术、产能及高效的生产优势，努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化，提升其在功率半导体市场的渗透率，开创可持续发展的经营基业。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    1、推动碳化硅材料商业化的全球领导者和创新者

    我们是碳化硅行业的领导者，拥有覆盖全生产环节的强大技术能力。我们自成立以来，同时布局导电型及半绝缘型碳化硅衬底的研发和产业化。利用从产品开发过程中获得的专业技术知识，我们迅速向市场推出一系列不同类型、不同尺寸的碳化硅衬底。我们实现了8英寸碳化硅衬底量产，并成为全球首家推出12英寸碳化硅衬底的公司。

    我们推进全球碳化硅材料产业发展，积极响应可再生能源与AI两大市场需求，不断推出新产品，推进碳化硅材料在下游终端产品的广泛应用。我们推出的大尺寸、高品质碳化硅衬底，正加速碳化硅材料在下游应用领域的渗透，如电动汽车、AI数据中心、光伏系统及电网等。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的公司之一，及全球首家发布12英寸碳化硅衬底的公司。

    2024年11月，我们率先交付通过液相法生产的高质量低阻P型碳化硅衬底。此外，我们与多个消费电子行业全球领导者共同合作，探索碳化硅材料在AI眼镜、手机射频前端的应用，这将帮助碳化硅材料进一步打开更大规模的下游应用市场。

    得益于我们在碳化硅领域构建的技术优势及强大的行业影响力，我们不断扩大市场份额并获得更多的优质客户认可。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，与全球龙头客户共同推动行业发展。

    2、前瞻的研发布局和研发能力，构筑技术壁垒，实现创新

    通过前瞻性研发布局和持续性研发投入，我们形成了全球领先的碳化硅材料相关研发能力。

    我们观察到全球可再生能源行业的发展潜力，继续致力于开展导电型产品技术开发，进而成为全球主要功率半导体厂商的供应伙伴。碳化硅材料需求爆发的关键在于成本效益能够持续优化，因此我们在生产大尺寸碳化硅衬底相关的技术上大力投入，成为全球首家推出首个12英寸碳化硅衬底的公司。我们在碳化硅材料上所形成的技术优势，使得我们处于将碳化硅材料应用于更广泛场景的前沿，在数据中心、电网以及AI眼镜等新兴技术及应用领域上推进碳化硅材料的加速应用。

    我们形成了覆盖全生产环节的核心技术储备，并在行业中处于领先地位：(i)在粉料制备环节，我们自主开发了高真空度的粉料反应腔室，设计了特殊反应工艺，从而控制粉料中主要电活性杂质浓度和氮浓度；(ii)在长晶环节，我们通过自主设计长晶设备，对坩埚、保温进行设计，实现了均匀热场结构，提升了晶体质量和生产效率；我们形成了系统性的缺陷表征与控制技术，有效降低了包括微管、多型夹杂、位错等在内的缺陷密度；(iii)在衬底加工环节，以长期积累的海量衬底加工大数据为基础，我们开发了多块拼接多线切片技术，解决了拼接棒长与切片质量关系的行业难题，通过优化切片液的流变性和磨料形貌、粒径及分布的调控，大幅度降低了切片的表面损伤；我们还研发了一整套的磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。我们的技术能力使我们能够精确控制碳化硅衬底的性能，实现所生产碳化硅衬底的近零微管缺陷，提高生产效率并降低加工成本，同时确保衬底质量的一致性。

    我们注重对研发成果的保护，将上述核心技术转化为知识产权，构建起技术壁垒。截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，2024年度，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。

    我们获得了国内宽禁带半导体材料领域首个基于ISO56005的《创新与知识产权管理能力》三级证书，这体现了我们在研发管理和知识产权管理方面取得的成绩。

    除了专利转化外，我们的核心技术已经具体化为专有技术体系。如我们基于自主开发的应力量化表征技术体系，实现了对碳化硅衬底应力的量化表征，进而实现对生产工艺的良好控制及持续改进。这允许对衬底质量进行深度控制，规避如晶圆翘曲、缺陷增值、器件失效及光学镜片光栅变形脱落等问题。

    我们的研发成就主要得益于以下几个方面：(i)我们高效的销售—研发—生产协同机制，我们根据该机制将下游客户需求融入我们前瞻性的研发工作中，以确保研发成果及时且有效地传递至生产部门；(ii)我们充满活力且稳定的研发团队，我们已培养了一支专业的研发队伍，其中博士及硕士学历占比接近40%。

    3、强大的量产能力，实现高质、高效、高稳定性的交付

    我们经过多年行业深耕、工艺经验积累，已取得突破，实现产能快速提升。截至报告期末，我们已在山东及上海建立两个生产基地，合计设计年产能超过40万片碳化硅衬底。

    我们的产能与我们丰富的生产管理经验互为补充，确保我们碳化硅衬底的质量。我们积极践行精益生产理念，制定了标准化生产流程，引入先进的自动化和智能化设备，减少人工干预，提高生产过程的稳定性和可靠性。我们持续对生产过程进行实时监控、有效分析并持续改进。我们强大的生产管理能力使得我们在规模化交付上进一步领先行业。

    我们的生产能力优势表明我们顺应了下游市场的发展趋势，在大尺寸快速量产及生产一致性保障能力、有效长晶厚度提升能力、低缺陷生产能力、智能化生产能力等方面具备领先地位。

    3.1大尺寸快速量产及生产一致性保障能力

    我们在8英寸产品的量产能力上领先于竞争对手，这主要得益于我们拥有一支具备极强执行力以及前瞻性战略布局能力的生产管理团队。我们的生产管理团队已经形成了一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸产品的快速量产经验。在前瞻性布局方面，我们提前对晶体生长设备进行差异化设计，使得其具备兼容8英寸和6英寸碳化硅衬底生产工艺的能力。随着近年来8英寸碳化硅衬底需求上升，我们的工厂可以快速从生产6英寸碳化硅衬底切换至8英寸碳化硅衬底。我们灵活的生产能力将使得我们在碳化硅衬底大尺寸化的趋势中占据有利地位。

    我们不仅在生产质量方面表现卓越，而且在大尺寸碳化硅衬底产品的质量方面亦同样出色，并确保生产过程中的生产一致性。这保证批量交付的碳化硅衬底的质量，并为我们的全球客户提供稳定的交付保障。此外，基于客户反馈，我们能对8英寸碳化硅衬底产品的生产工艺持续进行迭代升级，进一步构筑高竞争壁垒。

    3.2有效晶体生长厚度提升能力

    碳化硅晶锭的有效厚度如果能够提升，一方面可以节约昂贵的碳化硅籽晶用量；另一方面单个晶锭切割出来的衬底增加，能够大幅降低碳化硅衬底的生产成本。然而，提升有效厚度在量产端面临诸多挑战，包括如何确保晶体生长时厚度增加和碳化硅粉料消耗对生长腔室内部热场不会造成改变。我们解决了上述生产难题，并通过高效的生产管理能力，保证了大量离散的长晶设备产出结果的一致性。我们的碳化硅衬底有效厚度已超过60毫米，处于行业领先水平，而行业平均水平约为20毫米。

    3.3高良品及低缺陷

    我们的碳化硅衬底已达到近零微管，表现为无堆垛层错、低基底面位错(BPD)密度、低螺位错(TSD)密度及低刃位错(TED)密度。我们已进一步制定并实施Z计划，旨在实现高质量产品及无缺陷交付。

    3.4高智能化生产能力

    我们注重生产的智能化及自动化。一方面，智能化工厂一旦稳定运行，将大幅减少人为因素产生不利影响的风险，这对高品质衬底的制备至关重要。另一方面，高度自动化将帮助我们有效优化相关人力成本。以上海生产基地为例，其在设计之初即定位为智慧工厂。因此，我们为该生产基地配备了高性能、智能化的设备，通过AI和数字化技术持续优化工艺。在我们的上海生产基地，我们运用信息系统实现了生产品质实时分析、监测和预警，在工艺控制、信息采集、运行环节都完成了信息化建设，对生产工艺持续优化升级。公司通过部署机器人系统和智能设备单元，实现了炉具点火与装载、工艺选择以及操作控制与管理的自动化，从而在晶体生长设施中实现了无人化运营。

    4、持续拓展且性能卓越的产品组合，助力下游应用拓展

    我们致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。

    为顺应下游应用的发展趋势，我们积极进行产品创新，这让我们能够抓住每个随时出现的市场机会。例如，我们在业内战略性率先布局电动汽车领域，于2022年较早的通过了车规级IATF16949体系认证，我们的碳化硅衬底已得到国际一线领先功率半导体厂商的严苛验证，并已实现持续大规模批量供货。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，我们的碳化硅衬底产品已成功深度切入可再生能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。

    我们致力于为客户提供高性能的碳化硅衬底。我们通过技术创新，合理设计晶体生长工艺，解决大尺寸热场下的成核均匀性及诱生的微管、多型夹杂等缺陷问题，实现具有良好面型、高平整度、低粗糙度的高质量车规级碳化硅衬底，获得了客户的高度认可。2023年，我们获国际头部汽车厂商授予的“优秀供应商奖”荣誉。

    5、与客户、供应商构建紧密的合作生态，共同推动碳化硅行业发展

    我们深度融入碳化硅行业价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。以我们先进的技术能力为核心，我们精准把握全球客户的最新需求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最终实现产业链共赢，助力我们持续提升全球影响力。此外，我们致力于通过创新和广泛的行业合作打造强大的碳化硅行业生态系统，在可再生能源、AI两大重点领域拓宽碳化硅行业下游应用，助力碳化硅行业蓬勃发展。

    在客户端，我们(i)实行品牌触点计划（P计划），确保在与我们的每一次互动中为客户留下对我们品牌的正面印象和记忆；(ii)形成了覆盖中国、欧洲及日本等地的全球销售服务网络，以便能够及时响应全球客户的各类业务需求；(iii)与客户建立了从其设计导入阶段即紧密相连的生态系统。得益于我们的技术优势、卓越的产品品质、强大的交付和客户服务能力，我们已与标杆客户维持稳固及长期的合作关系。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。报告期内，我们的客户保持高度忠诚，除了我们卓越的产品品质外，这也与我们和客户建立的合作生态密切相关。

    碳化硅衬底作为半导体器件的关键，需要经过外延、芯片制造、封装测试等复杂的验证程序，实现最终应用。由于验证周期长，半导体企业一般不会轻易变更通过认证的碳化硅衬底材料供应商。此外，我们的碳化硅衬底已经在可再生能源及AI领域公司的产品中得到使用，这使得我们能够及时听到该等终端客户的需求反馈，帮助我们优化碳化硅产品及服务以满足其要求，从而进一步提高客户忠诚度。国际知名客户的收入贡献稳步增长，且我们策略性地专注于满足下游产业对高品质产品的需求，使我们在显著扩大业务规模的同时，仍能保持财务韧性。我们积极推动碳化硅材料在下游市场的更广泛应用，以发掘新兴商机，体现在我们已投资了一家滤波器材料公司。

    我们与知名供应商建立了深厚关系并签订长期战略采购协议，确保关键原材料的供应稳定。

    报告期内，我们自多元化的供应来源采购原材料，不仅确保了原材料的稳定供应，同时降低了原材料采购成本。我们与主要供应商订立的长期采购框架协议约定一定时间的采购价格及供应量，有效保留其部分产能，确保其能够为我们提供价格具有竞争力的原材料，助力我们实现量产。此外，我们与供应链合作伙伴合作，分享行业洞察、交流技术理念及进行协同开发，促进碳化硅行业关键原材料及上游设备的优化升级。

    6、富有远见且经验丰富的管理团队及具有竞争思维的人才队伍

    我们的创始及执行团队由业内富有远见且经验丰富的领导者组成，具备卓越的战略视野和丰富的行业管理经验。创始人兼董事长、总经理宗艳民先生在碳化硅行业拥有多年的研究和产业化经验。他对该行业的深刻理解以及在科技创新方面的远见卓识，为我们的战略发展方向提供了重要指引。公司首席技术官高超先生作为第一发明人已获30余项专利授权。高博士作为本公司创始团队成员，带领研发团队突破多项关键技术。我们的核心管理团队对于全球行业发展趋势和客户需求具有深刻洞察，能够带领我们在业务和财务方面取得显著突破。

    受益于我们管理团队所带来的丰富经验，我们能够建立成功的产品开发及量产的经营表现。

    应对不断变化的营运环境和执行战略举措的能力对推动我们的增长至关重要。此外，我们秉持“人才第一、引育一流”的理念，通过建立健全的人才培养、激励和晋升机制，打造了一支专业背景多元、年轻富有创造力的研发团队。报告期末，我们的研发团队由来自材料科学、电子工程、物理、化学及机械工程等领域的多个学科的人员组成，博士及硕士学历人员占比接近40%。我们的研发团队富有创造力，有力支撑我们的技术创新和产品迭代。

    (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及材料质量表征创新。公司的成功源于我们的专有技术，公司致力于自主研发，并形成一套全面的知识产权保护体系。

    （1）碳化硅晶体生长过程中的缺陷控制技术

    碳化硅材料中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅材料包含200多种晶体结构，为确保获得符合要求的晶体结构并避免产生多型夹杂等常见缺陷，精确控制温度、压力、气流等多种参数至关重要；碳化硅晶体生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错及点缺陷等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。

    我们(i)通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和近零微管密度的晶体生长；(ii)通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，大幅度提高了晶体结晶质量；(iii)通过对贯穿型位错的产生及转化机制的研究，以及在位错消除工艺上的创新，实现了对螺型位错密度低于100cm-2以内以及最优质控制在1cm-2以下的高质量碳化硅衬底的商业化；及(iv)通过C/Si成分调节技术，实现了生长界面上C/Si组分的精准调控，确保对晶体内点缺陷的类型及浓度进行控制。

    该等技术使我们能够在高质量碳化硅晶体的连续生长过程中实现质量稳定可控。

    （2）碳化硅晶体生长设备及热场设计制造技术

    我们的碳化硅晶体生长设备采用高真空系统结构，可在实现极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了碳化硅粉料及碳化硅晶体生长腔室的纯度。此外，我们对碳化硅晶体生长设备自动化程度进行不断提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的自动上料、封炉及自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。

    碳化硅晶体生长热场是碳化硅晶体生长的核心，决定了晶体生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。我们的热场仿真建模团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅晶体进行精确的热场仿真、建模和设计，从而满足晶体的生长技术需求。

    （3）高纯碳化硅粉料制备技术

    碳化硅粉料是碳化硅晶体生长的原料。由于合成环境的影响及原辅材料中本身含有不可去除的杂质，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。我们研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨保温材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。

    （4）精准杂质控制技术及电学性能控制技术

    半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，在生长过程中对进入到晶体中的杂质进行精准控制至关重要。

    我们基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制。此外，我们开发出创新性的电学性能控制技术，实现导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性，并将其面内电阻率均匀性控制在2%以内。

    （5）碳化硅衬底超精密加工技术

    我们的超精密加工技术包括：

    (i)高面型质量的碳化硅晶锭多线切片技术。碳化硅晶体的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，是一种硬脆材料。我们开发出一种针对大尺寸晶体的分段式多线切片工艺。根据特定晶体类型，我们设计了最优的进刀曲线，从进刀到出刀阶段优化了晶体面型，从而降低切片晶圆的表面损伤。

    我们亦配制了独特的碳化硅晶体切片液，显著提升了切割效率。

    (ii)高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术。由于碳化硅晶体材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。我们通过多年研究，研发了碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑、平坦且高度抛光的碳化硅表面。

    (iii)碳化硅衬底表面清洗技术。在化学机械抛光后，需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面亚微米级颗粒、沾污、金属离子等。我们自主研制了化学清洗液，开发了多步清洗工艺，有效去除衬底表面的微小颗粒及金属离子沾污，使客户能够开盒即用。

    （6）液相法

    有别于传统技术，我们的液相法涉及从熔融硅碳溶液中生长碳化硅晶体。该技术能够更好地控制生长参数，使晶体内的掺杂剂分布更加均匀，特别适用于高功率高耐压电子产品碳化硅晶体的生长。通过精细管理熔融物的温度及成分，我们可以生产出缺陷更少、电阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶锭。液相法使我们能够生产无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底。

    五、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入7.94亿元；实现归属于母公司所有者的净利润1088.02万元。

    报告期内，公司总资产77.06亿元，较期初增加4.75%；归属于母公司的所有者权益53.30亿元，较期初增加0.32%。

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。