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股市必读:士兰微(600460)8月28日披露最新机构调研信息

来源:证星每日必读 2025-08-29 00:19:15
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截至2025年8月28日收盘,士兰微(600460)报收于33.2元,上涨4.76%,换手率8.27%,成交量137.64万手,成交额44.52亿元。

当日关注点

  • 来自交易信息汇总:8月28日主力资金净流入2.05亿元,占总成交额4.59%。
  • 来自机构调研要点:士兰微电子在车规级SiC模块领域处于领跑者地位,8英寸SiC产线预计年底通线。
  • 来自机构调研要点:公司5英寸至12英寸硅线产能完全满载,6英寸SiC月产量目前低于5000片,尚未供不应求。

交易信息汇总

资金流向

8月28日主力资金净流入2.05亿元,占总成交额4.59%;游资资金净流出8430.42万元,占总成交额1.89%;散户资金净流出1.2亿元,占总成交额2.7%。

机构调研要点

  • 下半年特别是第四季度为汽车与白电市场旺季,公司预计处于产销紧平衡状态;消费与工业领域需求预估维持上半年水平。
  • 车规级市场方面,IGBT主驱芯片及模块已具备较大份额,SiC模块为未来主要成长方向,公司处于行业领跑地位;IGBT单管在车载OBC、压缩机、热管理领域亦为领跑者;中低压SGT-MOSFET广泛应用于油泵、刹车、助力转向等领域,为国内车用MOSFET出货量最大厂商;车用模拟电路如隔离驱动、预驱、高低边驱动、E-FUSE等已进入客户量产与评测阶段。
  • 产能方面,5英寸、6英寸、8英寸、12英寸硅产线均处于满载状态,6英寸SiC产线尚有部分产能闲置,LED产线基本满载,成都封装产线基本满产。
  • 在人工智能领域,公司已在高压硅MOSFET、SiC-MOSFET、低压SGT-MOSFET、硅基GaN-HEMT器件及高性能模拟电路(如DrMOS、多相电源控制器、E-Fuse)等方面进行针对性布局。
  • 当前6英寸SiC月实际产量低于5000片,未出现供不应求,产能接近设计目标;8英寸SiC产线预计年底实现通线并产出可评价产品;第二代与第四代SiC芯片推广进展顺利,其中第四代产品技术处于先进水平。
  • 公司MEMS惯性传感器已进入国内多家主流品牌手机供应链,此前主要提供三轴加速度计,自去年下半年起六轴惯性传感器(三轴加速度计+三轴陀螺)进入量产阶段。

以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。

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