证券之星消息,根据天眼查APP数据显示金宏气体(688106)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种基于氘气退火工艺的顶栅底接触器件及制造方法和有机场效应晶体管”,专利申请号为CN202210404875.2,授权日为2025年8月26日。
专利摘要:本发明公开了一种顶栅底接触器件结构,从上而下依次包括栅极层?绝缘层?半导体层?源漏电极层和基底层,所述半导体层的材质为有机聚合物,所述有机聚合物的单体中碳碳双键的不饱和度≥8;所述绝缘层和所述半导体层为一体结构;所述半导体的表层经氘气退火工艺处理得到所述绝缘层。采用了本发明的技术方案,无需重新选择材料再单独制备绝缘层,而是通过氘气退火,利用氘气在半导体层表面进行加成反应,使表层的半导体层转化为绝缘材料,直接在半导体层的表层形成绝缘层,减少了绝缘层的加工工艺步骤,从根本上解决了绝缘材料和半导体材料选择的难题。
今年以来金宏气体新获得专利授权23个,较去年同期增加了9.52%。结合公司2025年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了5557.75万元,同比增18.04%。
通过天眼查大数据分析,金宏气体股份有限公司共对外投资了70家企业,参与招投标项目197次;财产线索方面有商标信息149条,专利信息506条,著作权信息5条;此外企业还拥有行政许可738个。
数据来源:天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。