晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202510170721.5，授权日为2025年5月23日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有掩膜层，所述掩膜层暴露所述衬底内需要形成高阻结构的区域；采用离子注入工艺于所述区域内注入离子；去除所述掩膜层并进行退火工艺，于所述区域内形成绝缘埋层，并于所述绝缘埋层上形成结晶层，以形成包括所述绝缘埋层和所述结晶层的高阻结构。半导体器件包括衬底和高阻结构，所述高阻结构包括位于所述衬底内的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层上的结晶层。本申请通过于衬底内形成高阻结构，提升了高阻结构的阻值统一性，有助于减小后续形成的层间介质层的厚度，降低了半导体器件的寄生电容和器件功耗。

今年以来晶合集成新获得专利授权139个，较去年同期增加了5.3%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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