晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202510174509.6，授权日为2025年5月23日。

专利摘要：本公开涉及半导体结构的制备方法及半导体结构，该方法于第一金属层结构上形成第一牺牲层，通过刻蚀第一牺牲层形成若干间隔设置的台阶型第一沟槽，并于第一沟槽内形成第二金属导线和宽度小于第二金属导线的金属通孔。接着，去除相邻第二金属导线间的第一牺牲层，形成第二沟槽，并于第二沟槽内填充介质层材料形成第一介质层。刻蚀第一介质层至露出部分金属通孔侧壁的第一牺牲层后，去除金属通孔侧壁的第一牺牲层，使第一介质层与金属通孔之间形成第一气隙，最后于第二沟槽继续填充介质层材料，使第一介质层的顶面与第二金属导线的顶面平齐。由于空气的介电常数远低，第一气隙的形成降低金属互联结构之间的电容，改善RC延迟，提高半导体性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权139个，较去年同期增加了5.3%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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