广立微获得发明专利授权：“侧墙融合距离条件监测的电学测试结构及其位置选放方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“侧墙融合距离条件监测的电学测试结构及其位置选放方法”，专利申请号为CN202111664363.1，授权日为2025年4月15日。

专利摘要：本发明提供侧墙融合距离条件监测的电学测试结构，包括若干测试单元；所述测试单元包括至少一个测试组；所述测试组包括相邻预设间距的第一待测芯轴和第二待测芯轴、若干鳍；所述第一待测芯轴的左端设置有鳍部切断区，右端设有第一连接结构；所述第二待测芯轴右端设有鳍部切断区，左端设有第二连接结构。本发明的电学测试结构易于制备，能够快捷进行电学测试获取电性参数，高效地确定侧墙融合的距离条件；适用于监控Fin制造过程中的Spacer Merge的距离，利于提高工艺监控的效率，为突破侧墙融合技术的现有局限提供了解决方案。本发明还提供的位置选放方法能够高效直观的选取本发明的电学测试结构放置位置，实现对芯片不同区域的属性更有效的监控，使测试结果更加精确、全面。

今年以来广立微新获得专利授权35个，较去年同期增加了250%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.32亿元，同比增41.77%。

数据来源：天眼查APP

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