广立微获得发明专利授权：“栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质”，专利申请号为CN202411346862.X，授权日为2025年3月18日。

专利摘要：本申请涉及一种栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质，其中，该方法通过获取版图，在版图的标准单元区域中确定至少两个目标区域；获取目标区域中的栅极多晶硅，通过设置辅助图形，将目标区域中的栅极多晶硅进行覆盖串联，并将至少两个目标区域中的辅助图形并联；基于目标区域中的栅极切断层和连接栅极多晶硅的金属互连线，筛选栅极多晶硅得到目标栅极多晶硅；基于辅助图形和目标栅极多晶硅生成金属结构；金属结构通过栅极通孔连接栅极多晶硅，解决了相关技术中存在手动搭建栅极多晶硅测试结构效率低，质量差的问题，实现了通过获取到的版图信息使用脚本快速生成测试结构，提高了测试结构生成的效率和准确性。

今年以来广立微新获得专利授权24个，较去年同期增加了300%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.32亿元，同比增41.77%。

数据来源：天眼查APP

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