广立微获得发明专利授权：“栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质”，专利申请号为CN202411346965.6，授权日为2025年3月18日。

专利摘要：本申请涉及一种栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质，该方法通过在版图的标准单元区域中确定至少一个目标区域；在目标区域中，得到第一辅助图形和第二辅助图形；基于第一辅助图形和第二辅助图形分别生成第一金属线和第二金属线；从目标区域的栅极多晶硅中定义第一目标栅极多晶硅和第二目标栅极多晶硅；在第一金属线与第一目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔，在第二金属线与第二目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔；第一金属线/第二金属线分别通过栅极通孔连接第一目标栅极多晶硅/第二目标栅极多晶硅，得到栅极多晶硅短接测试结构，解决了测试结构生成效率和良率低的问题，实现测试结果自动生成，提高效率和精度。

今年以来广立微新获得专利授权24个，较去年同期增加了300%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.32亿元，同比增41.77%。

数据来源：天眼查APP

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