芯联集成：公司SiCMOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局

证券之星消息，芯联集成(688469)03月17日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问：尊敬的董秘您好：电动汽车向800伏1000伏高压平台发展技术趋势明显：充电更快，动力更强能源效率更高,相应零部件耐高压性能要求大幅提高，碳化硅产品替代硅IGBT成为高压平台电控核心零部件需求暴增，贵公司作为碳化硅行业龙头，请问贵公司的产品能否满足800伏1000伏高压平台性能要求,有没有为比亚迪汽车或其他新能源汽车厂家供货！公司8英寸碳化硅产线产能是多少？谢谢

芯联集成回复：尊敬的投资者您好，公司SiCMOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiCMOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiCMOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。在车载SiCMOSFET领域，公司持续拓展车载领域和工控领域国内外OEM和Tier1客户。目前已经覆盖大部分新能源汽车主流品牌。在产能方面，公司已拥有一条8英寸SiCMOSFET晶圆试验线和一条月产8000片的6英寸SiCMOSFET晶圆量产线。公司将结合市场需求、相关技术成熟情况等因素，逐步拓展8英寸产线的产能。感谢您的关注。

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