芯瑞达获得发明专利授权：“一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯瑞达（002983）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片”，专利申请号为CN201910748911.5，授权日为2024年12月24日。

专利摘要：本发明公开了一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片，包括DBR反射层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层和P型电极，所述P型半导体层设置在发光层上方，且所述P型半导体层设置有第一环形凹槽。本发明的有益效果是：本发明是在生长二氧化硅之前，对P型半导体层进行表面结构设计，在P型半导体层上，且在P型电极的正下方，刻蚀出第一环形凹槽，再生长二氧化硅，形成的电流阻挡层与P型半导体层之间紧密结合，结构稳定，电流阻挡层不易从P型半导体层上脱落。P型半导体层上的第一环形凹槽深度为500A，不会破坏P型半导体的结构性能，N型半导体层上的第二环形凹槽深度500A，不会破坏N型半导体层的结构性能。

今年以来芯瑞达新获得专利授权24个，与去年同期持平。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2574.51万元，同比增3.04%。

数据来源：天眼查APP

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