芯联集成获得发明专利授权：“一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法、电子装置”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法、电子装置”，专利申请号为CN202410926299.7，授权日为2024年12月3日。

专利摘要：本发明提供一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法、电子装置，该制备方法包括：提供衬底，形成从衬底的表面延伸至衬底内部的第一沟槽，在第一沟槽的底部和至少部分侧壁形成有屏蔽介质层，并在第一沟槽中形成有位于屏蔽介质层上的第一屏蔽栅，第一屏蔽栅的顶面低于屏蔽介质层的顶面；刻蚀第一屏蔽栅上方的屏蔽介质层，去除部分厚度的屏蔽介质层，以在第一屏蔽栅上方形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁上形成衬垫层；在第二沟槽中形成第二屏蔽栅；在第二沟槽中形成栅间介质层覆盖第二屏蔽栅；刻蚀去除部分屏蔽介质层、部分衬垫层、部分栅间介质层，以形成位于栅间介质层上的第三沟槽；在第三沟槽中形成栅极结构。

今年以来芯联集成新获得专利授权72个，较去年同期增加了18.03%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

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