晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体测试结构及其测试方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体测试结构及其测试方法”，专利申请号为CN202410764741.0，授权日为2024年9月13日。

专利摘要：本发明提供一种半导体测试结构及其测试方法，半导体测试结构的第一围墙结构绝缘围设在第二焊盘结构外侧，第二围墙结构绝缘围设在第三焊盘结构外侧，第二焊盘结构和第三焊盘结构通过电容电连接，第一焊盘结构和第一围墙结构电连接，第一围墙结构通过第一电阻与第三焊盘结构电连接，第二围墙结构和第四焊盘结构电连接，第二围墙结构通过第二电阻与第二焊盘结构电连接；TDDB测试时，第二焊盘结构和第三焊盘结构中一个接地一个施加电压，根据第一焊盘结构和第二焊盘结构之间的电阻，第三焊盘结构和第四焊盘结构之间的电阻确定IMD是否为正常击穿，以有效剔除因TDDB测试或封装原因导致半导体测试结构损伤样品，极大提高了IMD的TDDB测试准确性。

今年以来晶合集成新获得专利授权222个，较去年同期增加了40.51%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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