晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制作方法”，专利申请号为CN202410702896.1，授权日为2024年9月10日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体结构的制作方法包括：提供一衬底，并在所述衬底上形成栅极；在所述栅极两侧形成第一侧墙，所述第一侧墙包括叠层和阻挡层，所述叠层覆盖所述栅极的侧壁和靠近所述栅极的部分衬底，在所述栅极和所述衬底的连接处形成拐角，所述阻挡层位于所述拐角上；在所述衬底中形成掺杂区，所述掺杂区位于所述第一侧墙两侧；移除所述阻挡层，形成第二侧墙；在所述衬底、所述第二侧墙以及所述栅极上沉积应力层，并退火；以及，移除所述应力层，并在所述栅极和所述掺杂区上形成金属硅化物层。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，提高半导体结构的电性性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权220个，较去年同期增加了39.24%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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