晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件的制作方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的制作方法”，专利申请号为CN202410781132.6，授权日为2024年9月3日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成伪栅极，所述伪栅极的栅极材料层包括无定型碳氮层；在所述伪栅极两侧形成侧墙结构；在所述侧墙结构远离所述伪栅极一侧的所述衬底内形成重掺杂区；在所述重掺杂区上形成金属硅化物层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层的表面与所述伪栅极的表面齐平；干法刻蚀去除所述伪栅极，形成凹部；在所述凹部内形成金属栅极。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，能够控制金属栅极的高度，提高半导体器件的电学性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权219个，较去年同期增加了67.18%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。