晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制备方法”，专利申请号为CN202410764740.6，授权日为2024年8月30日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，形成若干闪存单元位于衬底上，若干闪存单元沿X方向和Y方向呈阵列排布，沿Y方向相邻两个闪存单元之间的衬底上形成有多晶硅残留和绝缘物残留，多晶硅残留还延伸至沿Y方向相邻两个闪存单元的下方使得沿Y方向相邻两个闪存单元连接，绝缘物残留覆盖沿Y方向相邻两个闪存单元之间的多晶硅残留；执行离子轰击工艺，轰击绝缘物残留以在绝缘物残留中形成暴露多晶硅残留的孔洞；以及，执行热氧化工艺，透过孔洞氧化沿Y方向相邻两个闪存单元之间的多晶硅残留以形成绝缘氧化层。本发明减小半导体器件漏电的可能性，提高半导体器件的可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权216个，较去年同期增加了64.89%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。