晶合集成获得发明专利授权：“半导体金属层关键尺寸的量测方法、系统、设备及介质”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体金属层关键尺寸的量测方法、系统、设备及介质”，专利申请号为CN202410585292.3，授权日为2024年8月16日。

专利摘要：本发明提供一种半导体金属层关键尺寸的量测方法、系统、设备及介质，量测方法包括在半导体的金属层结构中，选取相邻两个金属层，相邻两个金属层间设有绝缘介质层；通过晶圆接受测试机台对相邻两个金属层测试，获取相邻两个金属层上的累计电荷和电压差值；利用累计电荷和电压差值，计算相邻两个金属层的电容值；获取绝缘介质层的介电常数和相邻两个金属层的侧面面积，其中，侧面面积表征为一个金属层的侧面投影于另一个金属层的侧面上的投影面积，侧面面积的数值大于相邻两个金属层的关键尺寸数值，投影面积为预设值；以及根据电容值、介电常数、侧面面积，生成相邻两个金属层间的关键尺寸数值。本发明具有灵敏度高，时效性强的优点。

今年以来晶合集成新获得专利授权210个，较去年同期增加了69.35%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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