晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202410726760.4，授权日为2024年8月16日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体结构至少包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；第一浅沟槽隔离结构，设置在所述第一区域内；第二浅沟槽隔离结构，设置在所述第二区域内，所述第二浅沟槽隔离结构的宽度小于所述第一浅沟槽隔离结构的宽度，所述第二浅沟槽隔离结构的深度大于所述第一浅沟槽隔离结构的深度；第一有源区，为相邻所述第二浅沟槽隔离结构之间的所述衬底；第二有源区，为相邻所述第二浅沟槽隔离结构之间的外延层；隔离区，设置在所述第二有源区的底部。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，能够抑制寄生效应引起的漏电，降低生产成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权210个，较去年同期增加了69.35%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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