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晶合集成获得发明专利授权:“一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法”

来源:证券之星企业动态 2024-08-17 02:20:47
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法”,专利申请号为CN202410591928.5,授权日为2024年8月16日。

专利摘要:本发明提供了一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法,应用于半导体技术领域。具体在本发明提供的一种多晶硅缺陷的测试结构中,其通过仿照标准单元器件以及SRAM器件中呈U字型形状的PG晶体管的有源区结构形状,设计了一款将多个缩小间距后的U字型形状有源区串联的测试结构,之后再在每个U字型形状有源区上插入多晶硅栅极,得到意想不到的效果是:通过缩小多个U字型有源区的间距的方式,加剧U字型形状有源区与多晶硅栅极的间距和应力效应,从而使得测试结构对多晶硅的漏电以及饱和电流不足缺陷更加敏感,即提高了多晶硅缺陷测试的可靠性和稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权210个,较去年同期增加了69.35%。结合公司2024年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元,同比增22.27%。

数据来源:天眼查APP

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