晶合集成获得发明专利授权：“一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法”，专利申请号为CN202410591928.5，授权日为2024年8月16日。

专利摘要：本发明提供了一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法，应用于半导体技术领域。具体在本发明提供的一种多晶硅缺陷的测试结构中，其通过仿照标准单元器件以及SRAM器件中呈U字型形状的PG晶体管的有源区结构形状，设计了一款将多个缩小间距后的U字型形状有源区串联的测试结构，之后再在每个U字型形状有源区上插入多晶硅栅极，得到意想不到的效果是：通过缩小多个U字型有源区的间距的方式，加剧U字型形状有源区与多晶硅栅极的间距和应力效应，从而使得测试结构对多晶硅的漏电以及饱和电流不足缺陷更加敏感，即提高了多晶硅缺陷测试的可靠性和稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权210个，较去年同期增加了69.35%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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