晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202410635678.0，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：本公开实施例涉及一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供键合晶圆，键合晶圆包括键合在一起的承载晶圆和器件晶圆；于键合晶圆的背面形成应力缓冲层；翻转键合晶圆之后，对键合晶圆的正面进行减薄处理；于键合晶圆的正面形成金属层；其中，键合晶圆的背面为承载晶圆背离器件晶圆的表面，键合晶圆的正面为器件晶圆背离承载晶圆的表面，键合晶圆和金属层作为整体的产品翘曲度和应力缓冲层的应力翘曲度的方向相反。使得形成金属层后键合晶圆的表面翘曲更小，降低了表面翘曲对光刻工艺的影响，降低了半导体器件的制备难度和制备成本，提高了半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权201个，较去年同期增加了63.41%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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