晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制作方法”，专利申请号为CN202410702806.9，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一衬底，衬底上形成有垫氧化层；形成多个浅沟槽隔离结构，将衬底隔离为第一区域、第二区域和第三区域；刻蚀第一区域的垫氧化层和部分衬底，形成第一凹部；在第一凹部内形成第一栅极氧化层；刻蚀第二区域上的部分垫氧化层，同时侧刻第二区域两侧的部分浅沟槽隔离结构；去除第二区域上的垫氧化层及回刻两侧的部分浅沟槽隔离结构，形成凹槽；刻蚀第二区域的部分衬底，形成第二凹部，第二凹部表面齐平；在第二凹部内形成第二栅极氧化层；去除第三区域上的垫氧化层并形成第三栅极氧化层。通过本发明提供的半导体结构的制作方法，提高半导体器件的电性性能和可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权201个，较去年同期增加了63.41%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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