晶合集成获得发明专利授权：“双栅氧化层及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“双栅氧化层及其形成方法”，专利申请号为CN202410624514.8，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：本申请公开了双栅氧化层及其形成方法，所述形成方法包括：在衬底上形成第一氧化层，衬底包括第一区和第二区，第一区和第二区的衬底表面具有高度差且所形成的第一氧化层厚度相同；将第二区的衬底上的第一氧化层通过湿法刻蚀去除；在第二区的衬底上形成第二氧化层，以使第二区的衬底上的第二氧化层和第一区的衬底上的第一氧化层表面齐平；其中，去除第一氧化层的湿法刻蚀采用包括双氧水的刻蚀液，去除了第一氧化层的第二区的衬底上形成第一化学氧化层，所述形成方法还包括使第一化学氧化层与氢原料气体反应生成挥发物。本申请能够消除现有双栅氧化层工艺技术中引入的化学氧化层，从而有效改善电子器件在晶圆验收测试的电性。

今年以来晶合集成新获得专利授权201个，较去年同期增加了63.41%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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