晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法和电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法和电子设备”，专利申请号为CN202410635943.5，授权日为2024年8月9日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体结构及其制备方法和电子设备。该方法包括：提供基底；于基底上形成初始栅介质材料层；于初始栅介质材料层的表面形成栅导电材料层；对栅导电材料层的上表层进行图形化处理，刻蚀形成位于剩余导电材料层表面的预设栅导电层；于预设栅导电层的侧壁形成阻挡层；对剩余栅导电材料层进行氧化处理，得到栅导电层和栅介质材料层；其中，栅介质材料层包括初始栅介质材料层，位于栅导电层和基底的之间的栅介质材料层作为栅介质层，栅介质层包括水平部和凸起部，水平部包括中心区和位于所述中心区外侧的边缘区，凸起部位于边缘区的表面，且向水平部远离所述基底的一侧延伸。可以调控半导体结构的阈值电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权196个，较去年同期增加了59.35%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：天眼查APP

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