晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202410586692.6，授权日为2024年8月6日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域，具体包括：提供衬底，在衬底上形成第一开口和第二开口，第二开口内填充部分第一填充层，在第一开口和所述填充后的第二开口内填充第二填充层，在本发明利用一步刻蚀工艺同步形成的第一开口和第二开口的过程中，深度较浅的第一开口底部势必会存在过刻蚀的问题，而针对此问题，本发明进一步通过填充第二填充层的方式，将其弥补，之后再利用第二次光刻?刻蚀工艺和灰化工艺，形成深度不同的两种沟槽，从而避免了现有技术中在形成高深宽比沟槽的过程中，由于其刻蚀时长太长而导致的低深宽比接触孔发生过刻蚀的损伤问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权195个，较去年同期增加了58.54%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。