南大光电获得发明专利授权：“半导体级二乙基乙氧基铝的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示南大光电（300346）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体级二乙基乙氧基铝的制备方法”，专利申请号为CN202210546988.6，授权日为2024年7月26日。

专利摘要：本发明涉及半导体级二乙基乙氧基铝的制备方法，先在无水无氧惰性气氛保护下，去除正己烷溶剂；再减压精馏，收集中间馏分；在低温条件下，用高纯无水的正己烷对其进行多次洗涤；继而常温常压蒸馏；加钾钠合金除硅剂，搅拌，高温回流；最后减压精馏，收集中间馏分。先通过常压蒸馏与减压精馏操作，去除了绝大部分的有机杂质和无机杂质；再通过正己烷多次洗涤去除微量有机杂质，蒸馏后采用钾钠合金除硅剂高温回流吸附微量的硅杂质，最后经减压精馏，取中馏分，最终得到高纯的二乙基乙氧基铝；可除去二乙基乙氧基铝中的有机杂质，所有的无机杂质含量＜1ppm，获得的二乙基乙氧基铝纯度、颗粒度均较好满足半导体行业的产品要求。

今年以来南大光电新获得专利授权22个，较去年同期增加了214.29%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.94亿元，同比增10.53%。

数据来源：企查查

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