晶合集成获得发明专利授权：“电荷检测装置及其制备方法、电荷检测方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“电荷检测装置及其制备方法、电荷检测方法”，专利申请号为CN202410585567.3，授权日为2024年7月26日。

专利摘要：本发明提供一种电荷检测装置及其制备方法、电荷检测方法，电荷检测装置包括形成于半导体基底上的天线结构、二极管和MOSFET，二极管包括第一二极管，第一二极管设置在天线结构与MOSFET的栅极之间，且第一二极管的正极连接天线结构，负极连接MOSFET的栅极，以检测半导体元件制造工艺中源自等离子体的正电荷损伤程度；或者，第一二极管的负极连接天线结构，正极连接MOSFET的栅极，以检测半导体元件制造工艺中源自等离子体的负电荷损伤程度，在电荷检测时可以区分对等离子体工艺中产生的电荷极性，电荷检测装置对等离子体工艺中产生的无论电荷是正电荷还是负电荷，均能够贴切地检测等离子体工艺中半导体器件所受的损伤。

今年以来晶合集成新获得专利授权194个，较去年同期增加了63.03%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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