晶合集成获得发明专利授权：“高压MOS晶体管及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“高压MOS晶体管及其制备方法”，专利申请号为CN202410586257.3，授权日为2024年7月26日。

专利摘要：本发明提供了一种高压MOS晶体管及其制备方法，应用于半导体技术领域，包括先提供半导体衬底，在形成栅氧化层和栅极层，在进行离子注入，以在形成有栅极层的栅极沟槽的两侧所对应的半导体衬底中形成源极和漏极，由于本发明中的高压MOS晶体管的栅极层从现有的位于半导体衬底之上改为位于半导体衬底内，而其源漏极则位于形成有所述栅极层的栅极沟槽的两侧所对应的半导体衬底内，得到意想不到的效果是：通过沟槽栅和平面型MOS晶体管结构相结合的方式，提出一种新型的高压MOS管结构，进而起到缩小高压MOS管器件体积、提高芯片集成度的目的，同时还具有优异的高压性能和产品竞争力。

今年以来晶合集成新获得专利授权194个，较去年同期增加了63.03%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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