晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410422598.7，授权日为2024年7月19日。

专利摘要：本发明属于半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法；所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层和衬垫氧化层；在衬底上形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内沉积绝缘介质；第一沟槽底部沉积的绝缘介质厚度大于第二沟槽底部沉积的绝缘介质厚度；刻蚀第一沟槽和第二沟槽底部的绝缘介质，将第二沟槽底部的绝缘介质刻蚀穿，露出衬底；第一沟槽底部的绝缘介质未被刻蚀穿；在第一沟槽和第二沟槽内沉积多晶硅，形成结构不同的第一深沟槽隔离结构和第二深沟槽隔离结构。可以在同一工艺制程下，制备出结构不同的第一深沟槽隔离结构和第二深沟槽隔离结构，简化了工艺，节约了时间和成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权191个，较去年同期增加了60.5%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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