晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202410472202.X，授权日为2024年7月23日。

专利摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，并公开了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构的制造方法包括以下步骤：提供一衬底，并形成栅极结构于衬底上；形成栅极侧墙于栅极结构的侧部，且形成沉积窗口于相邻的栅极侧墙之间；形成有机介质层于衬底上、栅极侧墙上和栅极结构上；去除有机介质层和部分栅极侧墙，并拓宽沉积窗口；以及形成层间介电层于衬底上、栅极结构上和栅极侧墙上。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升半导体制程良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权191个，较去年同期增加了60.5%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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