晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202410554162.3，授权日为2024年7月23日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供初始半导体结构，初始半导体结构包括衬底、位于衬底之上的栅极结构、位于栅极结构侧壁的侧墙结构以及位于衬底内且位于栅极结构两侧的源区以及漏区；于初始半导体结构的表面依次沉积第一扩散阻挡层以及导电材料层；刻蚀去除部分第一扩散阻挡层以及部分导电材料层，以保留位于栅极结构顶部、源区顶部以及漏区顶部的第一扩散阻挡层和导电材料层；于导电材料层的侧壁形成第二扩散阻挡层；其中，第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层与导电材料层共同构成互连结构；于各互连结构之间填充介质层。采用本发明的半导体结构的制备方法能够降低形成互连结构的工艺难度。

今年以来晶合集成新获得专利授权191个，较去年同期增加了60.5%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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