国电南瑞获得发明专利授权：“多芯片并联的半桥型IGBT模块”

证券之星消息，根据企查查数据显示国电南瑞（600406）新获得一项发明专利授权，专利名为“多芯片并联的半桥型IGBT模块”，专利申请号为CN201910361350.3，授权日为2024年7月19日。

专利摘要：本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本发明能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，明显缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。

今年以来国电南瑞新获得专利授权154个，较去年同期减少了62.8%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了27.12亿元，同比增13.92%。

数据来源：企查查

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