晶合集成获得发明专利授权：“深沟槽隔离结构的形成方法和图像传感器的制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“深沟槽隔离结构的形成方法和图像传感器的制造方法”，专利申请号为CN202311507844.0，授权日为2024年7月19日。

专利摘要：本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法和图像传感器的制造方法，先执行第一刻蚀工艺在第一介质层内形成开口，再多次交替执行钝化工艺和第二刻蚀工艺以在所述外延层内形成深沟槽，所述深沟槽靠近开口一侧的宽度小于深沟槽远离开口一侧的宽度，然后采用原子层沉积工艺形成第二介质层，所述第二介质层沉积在开口时封闭开口，所述开口上方的第二介质层的厚度与所述第一介质层上的第二介质层的厚度差在误差范围内。本发明无需采用化学机械研磨工艺，解决了化学机械研磨工艺所导致的像素区域的缺陷与杂质的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权183个，较去年同期增加了55.08%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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