晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202410471758.7，授权日为2024年7月12日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，衬底包括器件区和非器件区，且非器件区的衬底的表面低于器件区的衬底表面；金属栅极，设置在器件区上；电阻结构，设置在非器件区上，且电阻结构的高度与金属栅极的高度齐平，电阻结构包括多晶硅分部和金属分部，金属分部设置在多晶硅分部上，且金属分部与金属栅极同步获得；介质层，设置在衬底上，且覆盖金属栅极和电阻结构；以及栓塞结构，设置在介质层内，且至少设置在金属栅极和电阻结构上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的工艺整合度，并提高半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权182个，较去年同期增加了61.06%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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