晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件版图结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件版图结构”，专利申请号为CN202410432173.4，授权日为2024年7月5日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、第一P型阱区和两个N型阱区，第一P型阱区位于半导体衬底中，两个N型阱区均位于半导体衬底中，两个N型阱区对称设置于第一P型阱区的两侧，且每个N型阱区均包括第一N型子阱区和两个第二N型子阱区，每个N型阱区中的两个第二N型子阱区分别与第一N型子阱区靠近第一P型阱区一侧的两端部连接，且第二N型子阱区与第一P型阱区连接。本发明能够防止半导体器件工作在饱和区时出现基区扩展效应，从而提高半导体器件的稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权174个，较去年同期增加了62.62%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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