证券之星消息,根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“导线型深沟槽隔离结构及其制备方法”,专利申请号为CN202410446813.7,授权日为2024年6月21日。
专利摘要:本发明公开了一种导线型深沟槽隔离结构及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:在掺杂衬底上形成深沟槽,该深沟槽底部连通衬底,在深沟槽的侧壁形成有内衬氧化层;向深沟槽底部进行离子注入,该离子注入类型与掺杂衬底的掺杂类型相同;进行第一次填充,具体为向深沟槽内填充第一层未掺杂多晶硅,在第一层未掺杂多晶硅上再沉积掺杂玻璃薄膜,并进行退火,掺杂元素向第一层未掺杂多晶硅中扩散;扩散完成后,去除全部的掺杂玻璃薄膜;以相同的方法重复进行多次填充,直到在深沟槽内形成完整的多晶硅柱。本发明可以在深沟槽中多次沉积未掺杂多晶硅并分层均匀掺杂相应元素形成多晶硅柱的DTI结构,且形成的DTI结构的阻值不会过大。
今年以来晶合集成新获得专利授权167个,较去年同期增加了91.95%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了10.58亿元,同比增23.39%。
数据来源:企查查
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