晶合集成获得发明专利授权：“闪存及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“闪存及其制作方法”，专利申请号为CN202410316416.8，授权日为2024年6月18日。

专利摘要：本发明提供一种闪存及其制作方法。所述闪存的制作方法包括：提供基底，基底的有源区包括多个存储单元区以及源线区，源线区的基底顶部形成有源线沟槽；在源线沟槽内填充牺牲层；在基底上形成多个浮栅条；在基底上形成极间介质层；在基底上形成控制栅材料层，控制栅材料层覆盖极间介质层；对控制栅材料层、极间介质层和浮栅条进行图形化刻蚀以形成栅极结构，其中，在刻蚀源线沟槽上方的浮栅条之间的极间介质层时进行过刻蚀并停止于牺牲层，以避免源线沟槽上方的浮栅条的靠近极间介质层底部的部分残留。如此可以改善存储单元之间的漏电问题，且不会损伤基底。所述闪存利用上述的闪存的制作方法制成。

今年以来晶合集成新获得专利授权166个，较去年同期增加了90.8%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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