捷捷微电获得发明专利授权：“一种横向结构的可控硅芯片及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种横向结构的可控硅芯片及其制造方法”，专利申请号为CN202410350377.3，授权日为2024年6月14日。

专利摘要：本发明公开了一种横向结构的可控硅芯片，包括N?型硅衬底，所述N－型硅衬底的上端设置有P型阳极区、P型阴极区、N+型阴极区、N+型截止环、阳极电极、阴极电极、门极电极和表面钝化层，所述P型阳极区和P型阴极区对称设置在N?型硅衬底上端的两侧，所述N+型阴极区设置在P型阴极区上端面的内侧，所述N+型截止环设置在N?型硅衬底上端围绕在P型阳极区、P型阴极区外侧，所述阳极电极设置在P型阳极区上端面，所述阴极电极设置在N+型阴极区上端面。本发明可控硅芯片将有源区设置在芯片正面，取消了P+型穿通环结构的设计，且无需分压环就能满足VDRM＞900 V的要求，节省了芯片面积，降低了制造成本，提高了生产效率。

今年以来捷捷微电新获得专利授权12个，较去年同期增加了140%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.57亿元，同比增20.78%。

数据来源：企查查

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