晶合集成获得发明专利授权：“深沟槽结构的制备方法及深沟槽结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“深沟槽结构的制备方法及深沟槽结构”，专利申请号为CN202410270600.3，授权日为2024年6月11日。

专利摘要：本申请涉及一种深沟槽结构的制备方法及深沟槽结构，通过提供基底，基底上形成有依次叠层的衬底、第一氧化层、阻挡层和第二氧化层，且基底内形成有初始深沟槽，初始深沟槽的槽底位于衬底内，于初始深沟槽的槽底形成填充结构，然后于位于衬底的初始深沟槽的槽壁形成隔离层，初始深沟槽的槽底不形成隔离层，然后去除填充结构，从而形成深沟槽底部具有开口、槽壁具有隔离层以及基底顶面具有第二氧化层的深沟槽结构。本申请在底部形成开口的同时不破坏槽壁和基底顶面的膜层结构，实现了深沟槽结构的制备，降低了深沟槽结构的制备难度。

今年以来晶合集成新获得专利授权160个，较去年同期增加了95.12%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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