晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410353847.1，授权日为2024年6月11日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供衬底，衬底一侧表面形成有间隔分布的至少两个初始凸起部；于每个初始凸起部的侧壁和顶部形成层叠的第一导电层和第一自然氧化层；去除形成于各第一导电层顶面的第一自然氧化层，并于衬底表面形成牺牲层，牺牲层暴露各第一导电层的顶面；于各第一导电层的顶面对应形成第二自然氧化层，第一导电层、保留的第一自然氧化层和第二自然氧化层共同构成支撑部；于牺牲层上形成第二导电层，第二导电层至少与相邻的两个支撑部顶面相连接；去除牺牲层，以使第二导电层、相邻的两个支撑部以及衬底所围成的封闭图形内具有空气间隙。该制备方法制作工艺难度较低，有利于提升生产效率并实现量产。

今年以来晶合集成新获得专利授权160个，较去年同期增加了95.12%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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