晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410154885.4，授权日为2024年6月7日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括中压晶体管以及低压晶体管，中压晶体管包括位于衬底上的中压有源层，以及位于中压有源层两侧的中压侧墙结构；中压侧墙结构包括沿远离中压有源层依次层叠的第一子中压侧墙、第二子中压侧墙、第三子中压侧墙以及第四子中压侧墙；低压晶体管包括位于衬底上的低压有源层，以及位于低压有源层两侧的低压侧墙结构；低压侧墙结构包括沿远离低压有源层依次层叠的第一子低压侧墙、第二子低压侧墙以及第三子低压侧墙；其中，沿第一方向相邻的中压晶体管之间的距离大于沿第一方向相邻的低压晶体管之间的距离。能够实现在中压晶体管有较快响应速度的同时，低压晶体管有较低的功耗和稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权151个，较去年同期增加了93.59%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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