晶合集成获得发明专利授权：“静态随机存取存储器单元的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“静态随机存取存储器单元的制备方法”，专利申请号为CN202410257179.2，授权日为2024年6月7日。

专利摘要：本发明提供了一种静态随机存取存储器单元的制备方法，包括：提供衬底，衬底中形成有两个第一有源区、两个第二有源区、两个第三有源区和沟槽隔离结构；形成两个下拉栅极结构、两个传输栅极结构和两个上拉栅极结构；执行第一离子注入工艺，形成第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区；形成图形化的掩模层覆盖第一有源区、第二有源区和第一有源区与第三有源区之间的沟槽隔离结构，以及覆盖第二漏区和传输栅极结构与第三有源区之间的沟槽隔离结构；执行第二离子注入工艺，形成第三源区和第三漏区；执行第三离子注入工艺，以降低第二源区的掺杂浓度。本发明提高静态随机存取存储器单元的静态噪声容限。

今年以来晶合集成新获得专利授权151个，较去年同期增加了93.59%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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