晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的制备方法”，专利申请号为CN202410193652.5，授权日为2024年6月7日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体层中形成掺杂区；在半导体层的第一表面形成绝缘层，并且形成从绝缘层远离半导体层的表面延伸至半导体层内部的沟槽，沟槽包括上部、下部以及上部和下部之间的顶角，掺杂区与沟槽邻接；形成第一氧化层、隔离层以及第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述沟槽下部的内壁以及所述顶角，所述隔离层共形地覆盖所述第一氧化层以及所述上部的内壁，所述第二氧化层覆盖所述隔离层，并且填充所述沟槽；以及去除沟槽的上部内的第二氧化层和部分的绝缘层；其中，在形成第二氧化层之后，或者在去除沟槽的上部内的第二氧化层和部分的绝缘层之后还包括对沟槽的顶角进行离子注入的步骤。

今年以来晶合集成新获得专利授权151个，较去年同期增加了93.59%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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