晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202410199364.0，授权日为2024年6月7日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底的顶面上形成有垫氧化层和位于垫氧化层上的第一硬掩模层，垫氧化层和第一硬掩模层中形成有第一开口，第一开口露出基底的顶面；在第一开口的位置形成场氧化层，场氧化层的厚度大于垫氧化层的厚度，场氧化层至少部分嵌入基底中；以及刻蚀去除垫氧化层邻近场氧化层的部分、场氧化层的边缘部分以及部分基底，形成第一沟槽，剩余的场氧化层作为高压器件的高压栅氧化层。如此形成的较厚的高压栅氧化层对后续光刻制程的套刻精度影响较小。该半导体结构的高压栅氧化层至少部分嵌入基底中。

今年以来晶合集成新获得专利授权151个，较去年同期增加了93.59%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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