晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制造方法”，专利申请号为CN202410263408.1，授权日为2024年6月4日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法至少包括：提供一基底；在所述基底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成光催化层；对所述基底进行至少一次离子注入，一次所述离子注入包括在所述光催化层上形成光刻胶层，并图案化所述光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜，进行离子注入，在紫外光照射下，采用第一化学药剂去除所述光刻胶层；采用第二化学药剂去除所述光催化层；去除所述牺牲层。通过本发明提供的一种半导体结构的制造方法，可提高半导体结构的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权143个，较去年同期增加了95.89%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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