晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410257075.1，授权日为2024年6月4日。

专利摘要：本发明提出一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括提供一半导体基底；在半导体基底的部分表面上形成金属层，金属层具有一凸起；在金属层和半导体基底的表面上共形沉积介质层，以在介质层上同步凸起形成一台阶结构；在台阶结构位置处形成研磨阻挡块；对介质层进行第一平坦化处理，以减薄研磨阻挡块两侧的介质层；湿法清洗去除研磨阻挡块；对介质层进行第二平坦化处理。在金属层有台阶结构的情况下，本发明可保证介质层的高度满足制程工艺，并提高介质层的产品良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权143个，较去年同期增加了95.89%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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