晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202410263407.7，授权日为2024年5月28日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，包括第一区域和第二区域；在衬底上形成多个伪栅极，伪栅极上设置硬掩膜层；在第二区域上形成应力区后，第二区域上的硬掩膜层的厚度小于第一区域上的硬掩膜层的厚度；在衬底、硬掩膜层和伪栅极的侧壁上形成第一停止层和第一介电层；减薄并刻蚀第一介电层后，第一介电层的表面低于或平齐于伪栅极的表面；在第一介电层和第一停止层上形成第二停止层和第二介电层；以衬底上的第二停止层为停止层，进行研磨，直至伪栅极与两侧的第二停止层齐平；去除伪栅极，形成金属栅极。通过本发明提供的半导体器件及其制作方法，能够提高半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权140个，较去年同期增加了129.51%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。